型号:RFD12N06LESM-VB
品牌:VBsemi
参数说明:
- 沟道类型:N-Channel
- 最大工作电压:60V
- 最大电流:45A
- 开态电阻:24mΩ @ VGS=10V
- 阈值电压:Vth=1.8V
- 封装类型:TO252
产品简介:
RFD12N06LESM-VB是一款N-Channel沟道场效应晶体管,由VBsemi生产。该器件具有60V的最大工作电压和45A的最大电流容许值。采用TO252封装,适用于各种电路设计,提供可靠的功率开关控制和高效的性能。
详细参数说明:
1. 沟道类型:N-Channel
2. 最大工作电压:60V
3. 最大电流:45A
4. 开态电阻:24mΩ @ VGS=10V
5. 阈值电压:Vth=1.8V
6. 封装类型:TO252
适用领域和模块示例:
1. 电源开关:RFD12N06LESM-VB适用于各种电源开关电路,如开关电源、DC-DC转换器和电源管理模块。其高电压容许值和低开态电阻使其成为可靠的功率开关元件。
2. 电动车控制:在电动车电机控制系统中,需要高性能的功率开关器件来实现电机的准确控制和高效运行。RFD12N06LESM-VB可用于电动车的驱动器、电池管理系统和充电器,确保电动车的安全和可靠性。
3. 工业自动化:在工业自动化领域,需要各种功率开关器件来驱动各种设备和执行各种功能。RFD12N06LESM-VB可用于工业电机控制、电源管理和电源逆变器等应用,提供可靠的性能和稳定性。
4. LED照明:在LED照明系统中,需要高效的功率开关器件来驱动LED灯条和灯具。RFD12N06LESM-VB可用于LED驱动器和照明控制模块,提供高效的功率转换和稳定的性能。