实现高性能带隙基准设计的低功耗高电源抑制比解决方案及调试过程

最新推荐文章于 2024-08-18 23:57:59 发布
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超低温漂，带隙基准，高电源抑制比，低功耗，高阶温度补偿带隙基准，cadence
ppm：1.9
psrr：-90dB
电流：14.47uA
1.带37页设计文档PDF，有推导过程和调试过程，以及仿真设置
2.带工艺库打包，都是61OA格式，可以提供虚拟机和cadence618，包安装调试
3.过程截图和电路截图
关联词：cadence电路设计，带隙基准，bandgap，低温漂，高阶温度补偿

ID:75199711391537726

老王模拟IC

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目标检测YOLO实战应用案例100讲-智能目标检测系统在FPGA中的设计与实现
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06-06 2173
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电源技术中的一个高性能带隙基准电压源的设计
11-11
摘 要：设计一种适用于标准CMOS工艺的带隙基准电压源。该电路采用一种新型二阶曲率补偿电路改善输出电压的温度特性；采用高增益反馈回路提高电路的电源电压抑制能力。结果表明，电路温度系数为3．3 ppm／℃，在电源电压2．7～3．6 V范围内输出仅变化18μV左右。 　　0 引 言 　　基准电压是集成电路设计中的一个重要部分，特别是在高精度电压比较器、数据采集系统以及A／D和 D／A转换器等中，基准电压随温度和电源电压波动而产生的变化将直接影响到整个系统的性能。因此，在高精度的应用场合，拥有一个具有低温度系数、高电源电压抑制的基准电压是整个系统设计的前提。 　　传统带隙基准由于仅对晶体管基一
 一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计
01-30
 介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR），整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。
【模拟CMOS集成电路设计】带隙基准（Bandgap）设计与仿真
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此次设计，未使用运放，使用电流镜结构为基础的Bandgap来满足设计指标，主要目标是在结构简单的前提下满足设计指标要求。本次bandgap设计，通过基于低压cascode电流镜结构的电流模结构，实现预设性能指标，但性能仍有待提升，由于cascode电流镜结构需要更大的电压裕度，因此对低压应用有严格限制，可换用电压模+Buffer结构对相关指标进一步优化。或者采用运放结构（但是电流应该合理分配，甚至运放中一些管子可以工作在亚阈值区，满足低功耗要求）。
「基于Cadence的高阶温度补偿带隙基准设计：超低温漂、高电源抑制比与低功耗」，实现高性能带隙基准设计的低功耗高电源抑制比解决方案及调试过程
HjxMyBwygkj的博客
06-10 562
综上所述，本文围绕cadence电路设计工具展开讨论，介绍了如何实现带隙基准电路，并解决低温漂和高阶温度补偿的问题。超低温漂，带隙基准，高电源抑制比，低功耗，高阶温度补偿带隙基准是现代芯片设计中非常重要的技术指标。超低温漂，带隙基准，高电源抑制比，低功耗，高阶温度补偿带隙基准，cadence。关联词：cadence电路设计，带隙基准，bandgap，低温漂，高阶温度补偿。关键词：cadence电路设计，带隙基准，bandgap，低温漂，高阶温度补偿。3.过程截图和电路截图。电流：14.47uA。
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