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MOSFET
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金属氧化物半导体场效应晶体管
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MOSFET(五):DrMos
DrMos(Driver + MOSFET)技术是 Intel 于2004年推出的服务器主板节能技术,即把2个MOSFET和1个MOS驱动器三合一,集成在一个封装中。集成后的 DrMos 面积是分离MOSFET的,功率密度是其 3倍,通过搭配多相控制器使用,可以在相同电压下增大电流,满足低压大功率应用需求。原创 2023-10-21 18:23:26 · 4975 阅读 · 0 评论 -
MOSFET(四):区别JFET
一、JFET及工作原理N沟道JFET是一种三极结构的半导体器件,包含源极(S)、漏极(D)、栅极(G) 工作原理是通过栅源电压控制反型沟道的导电特性。 当栅极-源极电压为零或正电压时,沟道关闭,漏极电流几乎为零,器件处于截止状态; 当栅极-源极之间施加一定的负电压时,形成反型沟道,沟道打开,漏极电流开始流动,器件处于导通状态。二、与MOSFET区别N沟道JFET的栅极和源极之间没有绝缘层(N沟道MOSFET的G、S之间有SiO₂绝缘层),而是通过P型沟道连接在一起。当在栅极和源极之间施加原创 2023-08-08 10:04:14 · 1632 阅读 · 0 评论 -
MOSFET(三):电源缓启动
一:原因 电源在进行插拔时,会有如下两种情况出现: 1、电源连接器的机械触点在接触瞬间会出现弹跳; 2、由于系统大容量储能电容的充电效应,系统中会出现很大的冲击电流 上述两种情况可能会引起连接器打火,引发火灾;也可能会引起系统电源跌落,导致误码或系统重启。二:MOS管 MOS管有导通阻抗Rds低和驱动简单的特点,利用其米勒效应,在电路设计中可以设计电源缓启动电路(通常情况下,在正电源中用PMOS,在负电源中使用NMOS),可以实现...原创 2022-02-13 17:55:47 · 10831 阅读 · 0 评论 -
MOSFET(二):米勒效应
管做开关,做电源的缓启动,在热拔插、独立模块供电、大功率设备上电,都有很好的益处。的开通损耗,但是在电源缓启动中有很大的用处。米勒平台虽然在高频开关状态会严重增加。的下降区间,大部分都在米勒平台之间完成,如果增加。管的任何两极之间都会存在寄生电容,分别是。没有增加,这段时间就是米勒平台。电压又开始上升直至完全导通。的下降时间,也就可以利用。电压上升到某一电压值后,电压有一段稳定值(图中。,驱动电流主要开始反向给。原创 2021-01-27 11:24:10 · 11334 阅读 · 3 评论 -
MOSFET(一):基础
分为结型(JFET)和金属-氧化物-半导体(MOSFET)两种类型:Junction Field-Effect Transistor,分为N沟道和P沟道:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor,MOSFET一般称为MOS管一般使用最多的是增强型MOS管,NMOS最多,一般多用在信号控制上,其次是PMOS,一般多用在电源开关等方面,耗尽型不太常用。原创 2020-09-07 12:55:06 · 3148 阅读 · 2 评论