pn结原理

我有点儿怀疑我的脑子是不是有问题……

 

今天，才算真正弄通pn结的基本原理。

从大一学模拟电路时便开始接触pn结，还记得当时一字一句的阅读那本模电书，

无论怎样也看不懂，看懂了，也记不住，记住了，也用不上……

 

 

【pn结】被喻为“集成电路的心脏”“太阳电池的心脏”，

应该也是一切半导体器件的心脏。

 

pn结的原理

 

 

看了很多本书，关于pn结方面的讲述，总是高深莫测，从没有通俗易懂的讲解，

因此我一直囫囵吞枣，希望我的这篇解释能显得通俗一些……

 

 

pn结的制作，以硅为基础，硅之所以是半导体，

和它的最外层有4个电子有很大关系。

真正纯净的晶体硅是不能用作半导体器件的，正所谓【水至清则无鱼】，

必须对其进行【掺杂】，掺杂是工艺方面的术语，

有很多方 式，究其效果，和一把沙子投进米中的效果差不多。

 

假设有一块长方体形状的硅砖，左端放入一把磷原子，右端放入一把硼原子；

进行理论分析时，假设为均匀掺杂；

为什么用磷原子和硼原子呢？

因为磷原子的最外层有5个电子，硼原子最外层有3个电子，

原子由原子核和核外电子组成，相对于电子 ，

原子核很大，大概是足球和足球场相比的结果，很悬殊；

 

因此，当硅、硼、磷原子手牵手排队时，

磷原子的一个外层电子就被无情的挤掉了，

便形成了一种非常重要的载流子——自由的电子；

 

另一方面，硼原子的外层形成一个小的空位，

是另一种载流子——我们称之为【空穴】。

 

水向低处流……

硅砖中的两种载流子——自由电子和空穴也不例外：

由于掺杂的原因，硅砖的左侧聚集了大量的带负电荷的自由电子

（磷原子失去的，我们称磷为【施主】），

右侧聚集了同样多的带正电荷的空穴，它们自然要向密度低的地方 【扩散】，

扩散是专业术语，这样的流动形成了扩散电流。

但是有一点需要注意，虽然电子向右流动，

但左端的电子密度无论如何也要比右端大，

因此硅砖左端，也就是掺杂磷原子的部分，

被标记为 n区【也就是negative】；

右端空穴密集，也就是正电荷密集，

自然成为p区【positive】。

 

相对于电子和空穴，这时失去电子的磷原子带一个单位正电荷，

成为挺立不动的阳离子；

硼原子带一个单位负电荷，同样不动，成为 阴离子。

 

两种离子像两堵墙一样排列在pn结的两侧，专业一点讲，

像平行板电容器，电场方向为从左向右。

这堵墙阻挡了自由电子和空穴的自由流动，我们称之为阻挡层，或者耗尽层，

因为这里充满了固定电荷，它还叫做空间电荷区；

当然 ，最出名的名字，叫做【内建场】。

唉，真搞不懂，明明不复杂的东西，硬要搞出许多复杂的名号……

 

如上所述，一块完整的pn结产生：

它像一块长方形砖块，

左端充满自由电子，因此叫n区，

右端充满空穴，叫p区；

 

中间部分，靠左些是一排不能动的磷离子，带正电荷 ，

靠右些是一排不能动的硼离子，带负电荷，

两堵墙组成内建场，使硅砖内部的、微小的、不安分的电子和空穴保持平衡。

这是一种动态平衡。

 

所谓动态平衡，外表看起来是静止，实则有两股相反的电流同时存在，

刚好它们的大小相同，因此看起来平衡。

其中一股就是上边说的【扩散电流】【diffusion】，

另一股，有内建场撑腰，叫做【漂移电流】【drift】。

 

再说说pn结的正偏和反偏：

 

正偏和反偏，都是在pn结的外部加电压，只是方向不同：

所谓正偏，就是在p端加正电压，n端加负电压，

p＝positive，n=negative，容易记住吧？反之为反偏。

 

正偏时，外电压的方向刚好和内建场的方向相反，半导体的内建场的电压不到1v，很容易湮没在外电场的淫威之下，此时的pn结内部，有如滔滔江水，

电子和空穴自由流动，形成很大的电流，类似于短路；

反偏时，外电压和【内建场】方向一致，帮助【内建场】筑起高墙，

阻隔电子和空穴的流动。

此时只有很小的反偏电流，多数情况下被忽略不计，好像pn结是 关断的……

 

大家耳熟能详的二极管的整流特性，就是应用上述原理。

 

 

今天累了，罗里罗嗦写了这多，列为看官辛苦了……

 

今天终于弄通了pn结的原理，所谓一通百通，有关半导体的其它理论，

如【能带】、【费米能级】、【光电效应】、

【光生伏特效应 】、【光电导】

 

这些太阳电池的基本理论，也就可以融汇了……