PN结

P型半导体中空穴很多
N型半导体中电子很多
所以PN结中，P半导体的空穴向N型半导体扩散，N型半导体中的电子向P型半导体扩散，形成了空间电荷区——耗尽层，也就是PN结

空间电荷区中空穴和电子相互抵消，但是PN结中因为得到电子的负离子和失去电子的正离子不能移动——形成了内电场，由N指向P
内电场又称阻挡层——阻止扩散运动，却又利于漂移运动

漂移运动是指载流子在电场的方向下移动

最终扩散运动与漂移运动达到动态平衡——PN结中总电流为0

PN结的单向导电性

首先规定内电场由右向左（P<-N）
加正向电压时
外电场从左向右（P->N）
所以外电场削弱了内电场，又利于扩散运动，利于漂移运动
空间电荷区变窄
PN结处于正向导通，正向等效电阻较小

加反向电压
外电场和内电场方向相同
空间电荷区扩大
又利于漂移运动，不利于扩散运行
电子难以跑到P区，所以电流十分小
一定温度下（少数载流子固定），V超过某一值后I饱和，称为反向饱和电流（因为只有少数载流子在P区，能导通）
IS对温度十分敏感
反向电流很小，所以PN结处于截止状态
PN结具有单向导电性，正向导通，反向截止