静态RAM读时序分析

静态RAM读写时序分析

我们可以看到，在这个图里面是RAM芯片读周期时序在读周期时序的时候，we一直都是高电平，因为他决定了读的动作，CS低电平的时候有效她决定了，读入三态门的打开，就是输入三态门的打开，我们可以看到a有个交叉点，就是电频的交错点，而两个交错点之间的时间trc，也就是芯片进行两次连续读操作的最小间隔时间，在dout电变化之后都是属于数据有效阶段，而当CS电变化为低电平时，输出三态门打开，当CS电瓶再次变为高电，平时数据逐渐趋于稳定阶段，Dout的电平也不再为零。