通信部分答疑解惑（自用）

一、IIC上拉电压值

一般固定为3.3V

二、消除信号反射

2.1产生疑问的原话

（1）485中

A 和 B 之间的 120 欧电阻的作用是消除 485 总线上的信号反射，一般在 485 总线的两端加就可以了，不用每个设备节点都加。

（2）CAN总线中

CAN总线拓扑图

右图中120欧姆的电阻为终端电阻，用于阻抗匹配，可以减少回波反射。

2.2答疑

将电流类比水流，将总线类比河道。

当电流信号流到总线尽头一端时，就像水流流到河道的尽头一端，水流会被河道尽头的壁反弹回来，产生信号反射。

为了消除这种信号反射，在总线终端加上电阻，引导电流流向，可以减少回波反射。

三、浪涌防护

3.1产生疑问的原话

对于 485 接口的 ESD 和浪涌防护，一般会在信号线上加 TVS 管，然后也可以在信号线上加自恢复保险丝。

3.2资料

（1）TVS管

可以短暂保证其两端的电压为固定电压值不变。

作用主要是保护敏感电路，免受高电压瞬变损坏的组件。

其中，大部分用于端口的保护，防止端口瞬间的电压冲击造成后级电路的损坏。

（2）浪涌电压

浪涌（Surge）也叫尖峰（Spike） ，是电路在遭受雷击、接通、断开感性负载或大型负载时产生的超出正常工作电压（或电流）的过电压（或过电流），是一种发生在微秒或纳秒时间内的剧烈脉冲。 其中，过电压（或过电流）通常指超过正常值的2倍以上。

3.3答疑

根据以上资料，当485总线上产生浪涌电压时，两根线上电压或者压差发生突变时，受到TVS管的钳位作用，保证电压不突变。

四、推挽输出和开漏输出

4.1STM32单片机内部结构图

（1）二极管

图中两个二极管起保护作用。

（2）输出模式

1.推挽输出
2.开漏输出
3.复用推挽输出
4.复用开漏输出

4.2推挽输出

推挽输出

寄存器控制后面的输出（绿色的框），它的值是 0 或者1，编程的时候就可以直接读写寄存器里面的值。

4.2.1高电平

要输出高电平，则 PMOS 导通，NMOS 截止，这样它输出的电压就是电源电压VDD。

如果再接一个 LED 灯，它就会被点亮。

4.2.2低电平

要输出低电平，则 NMOS 导通 PMOS 截止，这样就相当于引角直接接地了，所以输出低电平。

4.3开漏输出

处于开漏输出时， PMOS 永远都是截止的。

4.3.1低电平

当 NMOS 导通时，输出低电平。

4.3.2高阻态

（1）原理

当 NMOS 截止时，输出的是高阻态。

这是因为这两个晶体管都是截止状态，他的电阻可以看作无穷大，此时他的引角就等于是连着一个无穷大的电阻，所以此时对外呈现的是高阻态，如下图。

（2）应用

正常工作时外部必须接一个上拉电阻，一般工作在电平不匹配的场合。

比如我们的 STM 32 输出的是 3.3 伏，那怎么让它输出 5 伏呢？

可以搭建一个下图的电路，当 NMOS 截止时，它就会输出 5V 高电平。这是因为内部阻抗无穷大，而这个上拉电阻阻值有限，所以引角上输出的就接近 5 伏。

4.3.3线与特性

当多个开漏输出的引脚连接在一块。

如果开漏输出都输出高电平，才能输出高电平。
但凡有一个开漏输出低电平，所有的引角电压都被这一个拉低了。

4.3.4名字的由来

可以参考一下 MOS 管引脚示意图，这一点正好就是他的漏极。它相当于开路，所以叫他开漏输出。

4.4复用输出模式

普通的推挽输出和开漏输出是连到上面这根线，需要编程，通过这一根线就能控制它的输出高低电平了。

而复用推挽输出和复用开漏输出模式连接的是下面这一根线，它连接的是单片机的内部外设，比如PWM、USART、IIC，因为这些通讯的频率很高，每一秒钟电平变化上万次。

而如果我们使用它的复用功能之后，它的这些模块直接控制它的引角输出，极大的方便了编程。

具体使用哪一个复用模式，需要看他的工作方式。
如果用在IIC 这些需要线与的场合，就需要用到单片机的复用开漏输出。
而PWM、串口通讯这些则需要用到它的复用推挽输出模式。

五、TTL器件与CMOS器件

5.1定义

常用的数字芯片按制造工艺主要分为TTL 器件和 CMOS 器件。

TTL器件是指其内部主要逻辑单元为双极性晶体管，CMOS 器件是指其内部的主要逻辑单元为 MOS 管。

现在绝大部分数字芯片使用的工艺都是 CMOS 工艺，在一些比较老的 74 系列芯片中还使用的是 TTL工艺。

5.2损耗对比

为什么现在多使用CMOS器件，少使用TTL器件？主要是在于损耗差异。

5.2.1TTL器件

TTL 器件的逻辑单元是双极性晶体管式电流驱动型器件，稳定时损耗高，发热量大，无法做集成度比较高的芯片。

比如同样输出 1mA 的电流 ，TTL 器件内的晶体管除了 CE 之间的损耗，BE 之间也会产生损耗。

5.2.2CMOS器件

CMOS 器件内的 MOS 管损耗主要是在 DS 间的导通电阻，而 MOS 管导通时 DS 间电阻一般是毫欧级别的，所以 CMOS 器件相较于 TTL 器件损耗要小很多。

5.3延时

TTL电路的延迟比 CMOS 电路的要小。

六、CMOS电平与TTL电平

6.1供电

数字 TTL 器件供电电压一般是 5 v，CMOS 器件供电电压有 1.8 v、 2.5 v、 3.3 v和 5 v。

6.2输出电平

 TTL 器件输出高电平最小值是 2.4 伏，输出低电平最大值是 0.4 伏。

CMOS 器件输出高电平最小值为 0.9 倍VCC ，输出低电平最大值为 0.1 倍VCC。

6.3输入电平

TTL 器件输入高电平最小值为2伏，输入低电平最大值为 0.8 伏。

CMOS 器件输入高电平最小值为 0.7 倍VCC，输入低电平最大值为 0.3 倍VCC。

6.4相互连接

6.4.1 TTL驱动CMOS

假如 TTL 器件和 CMOS 器件的电源都是 5 伏，当 TTL 器件 IO 做输出， CMOS 器件 IO 做输入时，CMOS 输入高电平最小为 3.5 伏，输入低电平最大值为 1.5 伏，而 TTL 器件输出高电平的最小值为 2.4 伏，有可能不会满足 CMOS  器件高电瓶的输入范围，所以TTL器件不能直接驱动 CMOS器件。

 当需要用 TTL 驱动 CMOS 时，一般在外围加上拉电阻。

6.4.2 CMOS驱动TTL

当 CMOS 器件 IO 做输出， TTL 器件 IO 做输入时， TTL 输入高电平最小为两伏，输入低电平最大为 0.8 伏。显然， CMOS 器件的输出电平可以满足 TTL 器件的输入高低电瓶的范围。

6.5驱动能力

CMOS 器件的高电平和低电平驱动能力相近，一般都可以到 5 mA左右。

但是 TTL 器件 IO 的高电平驱动能力要远小于低电平的驱动能力，一般高电平驱动能力只有零点几毫安的样子，但是低电平驱动能力可以到 5 毫安左右。

这是因为 TTL器件 IO 口上面的三极管都加了电阻（如上图），这个电阻值在几百欧的样子，这样就限制了其高电瓶的驱动能力。

七、下一步计划

电源和通信部分，我自己给自己定的学习部分已经告一段落。

未来继续向后面知识店进发。

并且从3.8日起，每天复习前面的一篇笔记，加油。

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本文参考：

爱上半导体、小鱼教你模数电