纹波和噪声、E、二极管分类、电容分类、电容作用、V、推挽/开漏/高阻输出

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分类专栏： STM32物联网实战项目文章标签：嵌入式硬件

于 2024-05-05 16:00:32 首次发布

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写在前面的重要的话：

一、电源纹波和电源噪声

1.1电源纹波到底是什么？

书面定义：纹波是指在电源输出的时候，电源自身开关引起的一种固定频率波动的现象。纹波一般跟电源的开关频率同步，由电容的充放电、 PWM 调节等产生。

电源分为线性电源和开关电源，它们均可以将一个电压转变成另一个电压，但是转变电压的原理不同。

1.1.1线性电源

线性电源的内部原理是“一个小人加一个可调电阻”，当输出电压低于目标电压时，小人控制电阻减小，抬高输出电压；当输出电压高于目标电压时，小人控制电阻增大，降低输出电压。当输入电压存在波动时，由于小人的反应和操作需要时间，所以最后输出的波形相当于将输入电压电压波形纵向压缩了一下。

其中压缩的倍率就是线性稳压器一个重要的指标：电源抑制比。
故当提到线性稳压器的纹波时，通常是指输入电压波动和电源抑制比计算出来的一个结果。

比如说常见的 ASM1117 的电源抑制比是 60dB，即输入电源的波动是 1 伏，则输出电源的波动约 1 毫伏，当检测买到的 ASM1117 纹波时有十几毫符甚至更大时，如下图，其实看到的波形不能算纹波，只是系统的噪声而已，纹波已经完全淹没在其中了。

1.1.2开关电源

实际上严谨的说，纹波是开关电源独有的参数。

即便输入电压是一条没有任何波动的直线，开关电源最后输出的波形也会有三角状的波动。
这是因为开关电源的原理就是通过开关产生 PWM 波，然后经过电感、电容的滤波来稳压，原理上就天然会存在输出电压的周期性波动，这个波动才是真正意义上的纹波。

简单总结：线性稳压器本质上不产生纹波，它只会抑制输入电压的波动，大部分情况下测到的只是系统噪声而已。开关电源一定会产生纹波，纹波大小是衡量开关电源质量的一个重要指标。

想要设计出一个电压波动很小的电源，线性稳压器是一个不错的选择。

1.2多小的纹波才算小？

事实上纹波是大还是小没有统一标准，它是由后期负载决定的。

比如对于普通的单片机，其实对纹波并不敏感， 100mV、 200mV 都是能接受的，而 20mV 的就是极品电源了，而对于一些特殊的领域， 1mV 都会觉得有点大了，一般的线性稳压器都没法满足需求，需要使用超高 PSRR 的线性稳压器才行。

所以针对标题中的提问，首先要明确应用场景，确定到底需要多小的纹波，甚至还需要明确输出电流等参数才能更好的回答。

1.3计算纹波

1.3.1达成的共识

不能将输出电压的波形统称为纹波，一般来说只有当开关电源正常工作且负载恒定时输出的波形才是纹波，狭义上的纹波应该如下图1，非常的有规律。而最终看到凌乱的输出电压波形（如下图2）很有可能是多种因素叠加出来的。
所以想改善电源输出电压的波形，首先就需要知道问题到底出在哪里。确实是纹波很差，还是动态响应度不够好？又或者说是噪声太大了？不同的问题有不同的解决方法，如果都揉在一起的话，就只能无脑的增加输出电容了，但是很多时候无脑增加输出电容并不是最合适的方案，不仅增加成本，使用不恰当的话还有可能导致系统出问题。

1.3.2计算纹波

纹波的计算公式：

其中，Vin：输入电压；Vout：输出电压；f：开关频率；L：电感值；C：电容值；ESR：电容寄生电阻值。

纹波的大小和输入电压、输出电压、开关电源的频率、电感值、输出电容及其寄生电阻都有关系。其中输入输出的电压、开关频率都是确定的，那么就可以根据最后纹波需求来反推出电容的大小了，同时可以发现纹波和频率是二次方的关系，所以频率影响会比较大，想要减小纹波，也可以试一试使用一个频率比较高的开关电源芯片。
另外这个公式里面没有输出电流，所以纹波和输出电流的大小并没有直接的关系。故只要保证输出电流是稳定的，那纹波就应该不会有太大的变化。

该理论计算和实际的偏差并不会太大。
老师实例1：理论计算 13mV ，实际测量 18mV；减去一颗输出电容（原本是22uF＋22uF，现在是22uF），理论计算 26mV ，实际测量 30mV。

1.3.3公式由来

PWM 的波形是指左图中箭头指向的地方的波形。

PWM 波可以用示波器实际的测量得到，同时又因为输出电压是恒定的 5 伏，所以电感两端的电压就是在 7 伏和- 5 伏之间反复跳变了。然后根据电感上的电压、电流关系（如上图左下角所示），可以求出电感上的电流是一个三角波，然后这个三角波形状的电流往后流的过程中会一分为二，其中直流部分给后极的负载供电，而交流部分给电容充放电了。

这就是为什么纹波和负载电流没有直接关系的原因，不管负载多大，流进电容的电流其实都是一样的。

重点看一下电容这部分的电流，上半部分是正的，代表给电容充电，下半部分是负的，代表电容往外放电。其中正的这部分电流对时间的积分，就是电容充进去的电量，其实就是这个三角形的面积，再根据电容的公式（如上图左下角两公式），就可以求出这些充电电量，让电容电压抬升了多少，而这个值其实就是纹波的值（ $\Delta U$ ）。

当然电容还有寄生电阻（esr）故还需要额外加上这部分电流在寄生电阻上产生的电压（ $U_{esr}$ ），所以最终开关电源的纹波公式就是两者之和。

搞不清楚推导的过程，也没有太大的关系，知道这个结论即可，最重要的还是要知道狭义上的纹波应该近似是一个比较有规律的三角波，它和哪些参数有关系，不能笼统的把一个输出电压波形当作纹波来看。

1.4噪声简介

噪声是一个笼统的说法，包含很多种的成分，既包括底噪、电磁耦合、 power plane 的谐振等，同时也包括电源自身的噪声。

噪声主要是来自板上用电器件，随着用电器件内驱动接收开关变化，电源网络上的电流也会随之变化，电流的变化引起了电压的波动，因此这一部分的噪声占电源噪声的很大比重，其他的像电子耦合等占的比重一般较小。

1.5纹波和噪声的区别与联系

噪声和纹波各自特点总结
	频率特点	频率范围	影响	要求
纹波	频率固定与开关频率有关	一般认为 $\leq$ 5MHZ	影响芯片基本性能与稳定性	$\leq$ 1%
噪声	频率不固定与用电器件有关	一般认为 $\geq$ 5MHZ	影响数据收发数据可靠性、丢包、错包概率	3%~5%

1.6降低纹波与噪声的实操

现有一简易的数字开关电源（由升降压电源模块搭建），取代了笨重的模拟线性电源，可以应用于一般的单片机开发板，但是有些实验存在明显的电源纹波和噪声的问题，现将其提升。

1.6.1现状

搭载简单的实验板，并用示波器测量电源纹波

（1）现象

空载时输出电压 5V ，电流 500mA，纹波40~50mV，纹波频率100KHz，正好是 DCDC 电源 PWM 的频率。（如果电流增大，纹波就会增高）

仔细观察还可以看到波形中存在时间很短的电压冲击波，正好是每个纹波周期出现两个。

（2）原因

纹波原因：

空载时没有电流消耗，电源电压不会跌落， PWM 波的占空比很小， MOS 开关管的大部分时间都在关闭状态，所以看到的电源电压纹波很小。

当加大负载后就有较大的电源消耗， PWM 的占空比较大了，MOS 管导通时间加大，电感中的波动电流加大，输出的电压纹波幅度也增加。

冲击波原因：

示波器放大测试该冲击波，发现它的频率很高，几兆到几十兆，甚至上百兆。这个电压尖峰实际上是电路的寄生电感导致的，电路连线、 PCB 走线都不可避免的存在寄生电感，这些电感会导致 MOS 开关管截止导通时间变长，损耗加大，输出电压上出现尖峰。

1.6.2改进

设计 DCDC 电源当然应该尽量减少输出的纹波和噪声，这里不进行讨论，关注的是作为电源的下家用户该怎么降低电源的纹波和噪声呢？

对于数控的开关电源，搭建了简单的实验板，用一个 9Ω 的电阻做负载（前面的数据也是用这个板子测量得到的），由 DCDC 电源的工作原理可知，纹波来自电源的脉动电流频率，频率相对较低，几十 kHz~几百 kHz ，滤波电容可以平滑纹波输出，但不能完全平滑掉；电源尖峰通常是有接近 100MHz 的谐波分量，由开关电源电路中快速开关的 MOS 管造成，滤波电容也不能完全消除它们。

（1）方案一

如果在电源之后加一个 LDO 会怎么样？

总的来说，低压差的线性稳压器的纹波抑制能力要强于尖峰抑制能力。

比如某 LDO 低压差线性稳压器的抑制能力， 100kHz 衰减 40dB ，1MHz 衰减只有 25 dB。但是由于电路的寄生电容和寄生电感等效应，稳压器和滤波电容的响应并那么完美。用于吸收尖峰的输出电容滤波器，由于其等效的串联电阻和等效串联电感的影响，在高频下的性能有限，往往是宽带的尖峰电压直接就穿过了稳压器。

（2）方案2

1、加一个 100uF 的电解电容。

可以看到纹波降低了很多，但仍然还在，尖峰电压则几乎没有什么变化。这是因为电解电容的 ESR 和 ESL 比都比较大，对高频变化的噪声抑制能力不大。

2、再并联一个 ESR 小的坦电容。

因为坦电容的等效串联电阻很小，贴片封装的 ESL 也很小，所以对高频的抑制能力要强一些。

3、再并联多个陶瓷电容

同样贴片的陶瓷电容 MLCC ESR 和 ESL 虽然比坦灯容大一点，但与电解电容相比也是很小，因此在实际应用中常常是多个 MLCC 电容并联以取得足够低的ESR，故这里又并联了 5 个 MLCC 电容。

现在文波的幅度已经很小了，峰值两毫幅不到。高频电压脉冲的幅度下降不多，现在它成了主要的电源噪声，峰峰值最大，而且就算 MLCC 电容对它好像也无能为力。

4、磁珠

有一招就是用铁氧体磁珠，磁珠在电路中常用，大家要学会使用它。

不过这里磁珠不好使，加了两个 600 欧 100 兆的磁珠，电压冲击波形没有什么改善，可能是洞洞板做这个实验不太合适。因为焊盘之间的分布电容太大了，高频信号就绕过磁珠。二是没有大面积的地平面分布，电感也不小，抵消了磁珠的作用。

5、共膜电感

不过没关系，我还有绝招，在这种情况下，共膜电感一定有用。

焊上一颗 2, 000 欧 100 兆赫兹的共膜电感，电压冲击波形立刻降到了峰峰值两毫伏以内。

二、EMC、EMI、EMS、ESD、ESR、ESL、ESC

2.1电磁兼容性EMC

2.2电磁干扰EMI

2.3电磁敏感度（电磁抗干扰）EMS

2.4静电放电ESD

2.5等效电阻ESR

2.6等效电感ESL

2.7等效电容ESC

先了解基本意思，等需要详细了解哪个再回来补充。

三、二极管分类

3.0总览

3.1常规二极管

（1）电路符号

（2）应用场景

整流和线圈续流

3.2 TVS管（瞬态电压抑制二极管）

（1）电路符号

（2）特点

当正常的电源电压经过时，TVS 的阻抗非常高，可达几百万欧姆，所以 TVS 可以看作是开路状态。

而当外部尖峰电压来临，TVS 的阻抗又变得极低，不到 0.5 欧姆，此时电压尖峰的能量都通过 TVS 流向了负极，相当于 TVS 把后面都给短路了。

（3）应用场景

人体静电可达上千伏甚至上万伏，如此高的静电，如果直接接触电子产品的接口，很容易通过接口把高压静电传递给内部电路，烧毁电路板。

比如电路的工作电压是 5v ，但是突然来了一个 2000v 的尖峰电压，如果此时没有TVS 管，这个尖峰电压很有可能损坏后面的电路。但当加入这个 TVS 管之后，它的电压波形如下图， TVS 把它的电压钳位在了 10V ，故后面的电路就可以免受尖峰电压的冲击。

3.3稳压二极管（齐纳二极管）

（1）电路符号

（2）特点

外部环境发生变化时，其两端电压保持稳定。

（3）应用场景

该二极管工作在反向偏执状态下，负载需要和齐纳二极管并联。

比如它的稳压值是 4.7v ，即使供电电压发生变化或者负载阻抗发生变化，还依旧能把电压稳定在 4.7 伏。

3.4肖特基二极管

（1）电路符号

（2）内部结构

常规二极管的内部结构是 PN 结
肖特基二极管的内部结构是 N 型半导体和金属构成了肖特基节。

（3）特点

1、肖特基二极管存在很短的反向恢复电流，该电流存在的时间就叫反向恢复时间，如下图是常规二极管的超长恢复时间。

2、肖特基结更薄

与 PN 结比起来，肖特基节更薄，所以肖特基二极管的正向导通电压也更低，因为 0.3~0.4 伏，而常规二极管的耐压大约是 0.7 伏。
因为肖特基节更薄，所以在反向耐压方面肖特基二极管也更低，而且肖特基二极管的反向漏电流也更大。

（4）应用场景

肖特基二极管弥补了常规二极管速度上的不足，如常规 1N4007 二极管。

当给它施加反向电压时，它本来应该马上截止。但实际上，当给它加反向电压那一刻，存在一个很短的反向恢复电流，存在的时间就叫反向恢复时间。

常规二极管反向恢复时间大致是 2000ns ，而肖特基二极管的反向恢复时间可以做到 10ns 以内，所以肖特基的开关速度更快。

3.5快恢复二极管

（1）电路符号

与常规二极管无异

（2）内部结构

PN结

（3）特点

和肖特基二极管都是以速度快著称，但是它的速度远不如肖特基。

肖特基的反向恢复时间可到 10ns ，而快恢复二极管的反向恢复时间大致在 100ns ，如下图。

快恢复二极管存在的意义是：

肖特基二极管有一个致命缺陷：肖特基二极管是半导体和金属接触形成的，比较薄，故反向耐压很低，一般也就能承受 100v 的电压。

而快恢复二极管采用的是 PN 结构，反向耐压可达 1000v 以上。

所以：快恢复二极管——高频、高压；肖特基二极管——超高频、低压。

3.5发光二极管（LED）

发光二极管可以将电能转化为光能，常规的二极管正向压降是 0.7 伏，LED 的正向压降一般在 2- 3 伏之间。

不同颜色的 LED 压降也不一样，所对应颜色的波长越短， LED 灯的压降也越高，如下图。

3.6光电二极管

可以将光能转化为电能。

3.7恒流二极管

（1）电路符号

（2）内部结构

（3）特点

给该二极管施加电压之后，流过它的电流就会被限定在某一个值，故该二极管适合驱动 LED（LED 需要恒流的环境）。

（4）应用场景

在 LED 灯电路中，如特性曲线所示，当恒流二极管两端电压 $\geq 10V$ ，流经其的电流都会恒定在某一个值。

3.8变容二极管

（1）电路符号

（2）内部结构

变容二极管工作在反向偏执状态下，通过控制耗尽层的厚度来控制二极管结电容的大小。

（3）应用场景

变容二极管应用比较多的领域是压控震荡器，因为变容二极管的存在就能用电压来控制震荡器的输出频率了。

四、电容分类

4.1MLCC（独石电容）

4.1.1名称

MLCC 是片式多层陶瓷电容器的英文缩写，也叫独石电容。

本质上独石电容属于陶瓷电容，陶瓷电容包括瓷片电容和独石电容。但独石电容比磁片电容用的要多得多，之所以叫它陶瓷电容。

4.1.2实物图

最小可以做到小米粒一般大小，在一块电路板上存在最多的电子器件，大概率就是MLCC。

4.1.3特点

（1）容量大

介电材料采用了陶瓷，陶瓷的介电常数非常的高。

材料	介电常数
真空	1.0
空气	1.004
纸	4~6
玻璃	3.7~19
结构陶瓷	10~20000

磁片电容由一层电极和一层电介质构成，而独石电容由几层电极和介质构成，所以独石电容的容量远大于磁片电容。

（2）耐压低

磁片电容远高于独石电容，所以在外观方面，磁片电容大多数是原片形状，而独石电容一般是方块性MLCC。

4.1.4应用

独石电容的应用非常广泛，比如滤波、旁路、耦合，但仅应用于功率非常小的场景之下，因为它耐压很低，它的容量一般在 0.5pF~100uF 之间，额定电压不大于 100v 。

4.2铝电解电容

4.2.1实物图

有贴片和插件两种形式。

4.2.2结构

内部电解质是为铝电解液，外壳也是铝材料。

4.2.3特点

铝电解电容一般是区分正负极的，不能反接。

铝电解电容的容量在 0.47 微法到 1 万微法之间，额电压在 6.3- 450 伏。

4.2.4应用

一般应用在低频直流电场合，最主要的作用就是给电源滤波，使波形平滑。

4.3钽电容

4.3.1实物图

钽电容的颜色一般都为黄色的，且多数以贴片形式出现。

4.3.2结构

钽电容也是电解电容，内部电解质是钽的固体化合物，所以这种电容叫钽电解电容。

因为它也属于电解电容，所以也不能反结，否则会发生爆炸起火的危险

4.3.3缺点

（1）耐压低

钽电容耐压比较低，一般耐压 10v 的钽电容，给它施加的电压不能超过 6v 。

（2）爆炸起火

一般电容的失效是无法工作，而钽电容失效的话很可能会爆炸起火，所以要慎重选择。

（3）价格昂贵

钽电容的价格要比普通电容要高很多，因为钽这种元素比较稀缺。

4.3.4应用

钽电容的应用和铝电解电容差不多，但是运用在更加苛刻的场景之下。

钽电容的容量一般在 0.1uF~1000uF 之间，额电压在 6.3v~125v 。

（1）高温场景

铝电解电容内部电解液是液体，如果长时间工作在高温下，电解液很容易干涸，造成电容失效。

而钽电容的电解质使用了钽的固体化合物，不会因为高温而蒸发，所以它能在高温场景下工作。

（2）小体积场景

对体积要求比较严苛的场景，比如一些小型化产品留给电子元件的体积有限，选择铝电解电容会占用比较大的空间，而同等容量的钽电容比铝电解电容体系要小很多。

4.4薄膜电容

4.4.1实物图

下图都属于薄膜电容。

铝电解电容、独石电容和薄膜电容是电子设备中最常用的三种电容，但是薄膜电容相较于以上两种还是比较少。

4.4.2结构

之所以叫薄膜电容，是因为采用的电介质是塑料薄膜，然后在薄膜的表面涂抹一层金属，形成一对电极，所以它不区分正负极。

4.4.3分类

根据内部薄膜材料的不同，薄膜电容又可以分为聚酯电容、聚苯乙烯电容和聚丙烯电容，下表是它们各自的特点。

4.4.4应用

薄膜电容属于通用型电容，几乎可以应用在不同的场景之下，但是绝大部分应用被电解电容和独石电容所替代掉，比如在电路板上，绝大部分电压都不会大于 20v ，此时独石电容就能够满足需求，关键还很小巧廉价，所以薄膜电容的应用就没有那么多。

典型的应用就是 220v 交流降压电路，因为是交流电，所以不能用电解电容，独石电容的耐压太低，这时候薄膜电容就有了它的用武之地。

五、电容的作用简介

5.1降压

在下图电路中，小灯泡的工作电压是 10v ，电阻是 100 欧姆，而电源是 220v 交流电，如果把 220v 交流电直接加在小灯泡身上，它肯定会被烧毁。

此时如果给它串联一个电容，让这个电容承担 210v 伏的压降，灯泡就能正好工作在 10 伏的电压下。

问题的关键是如何让电容承担 210v 的电压，电容也有容抗，下图是容抗的计算公式，电容的容抗值跟频率和电容容量有关，比如频率是五十赫兹，而容值是1.5uF ，则电容的融抗就是 2100 Ω，它的单位和电阻的单位一样，都是欧姆。根据串联分压原理，电容分压 210v ，而小灯泡分压 10v，正好可以正常工作。

当断电之后，电容上的电压还是很高的，为了防止人体触电，一般都是给这个电容并连一个 100 万欧姆的电阻，这样断电之后电容身上的电就会通过电阻释放。

电容在这个电路中的容抗是 2100 欧姆，那是不是可以用一个 2, 100 欧姆的电阻替代这个电容呢？如果是电流很小的话，直接用电阻分压也是可以的。但是电阻是消耗有功功率，存在发热问题，而电容消耗的是无公共率，几乎不消耗能源，还不发热。

5.2滤波

滤波本质上也是利用的电容降压功能。

5.2.1直流

下图是一个高通滤波器，电阻的阻值是 1000Ω，电容的容量是 1uF 。

如果输入 10v 的直流电，此时电容的容抗，因为交流电的频率是零赫兹，（带入公式）所以它的容抗就是无穷大。根据串联分压原理，此时 10v 伏的电压几乎都施加在了电容上，而电阻上的电压接近于 0 伏，所以它最后输出的就是 0 伏，所以低频不能通过电容。

5.2.2高频

如果输入是频率无穷大的交流电，根据容抗的计算公式，电容容抗几乎接近于 0Ω ，而电阻的阻值是 1000Ω ，此时 10v 电压几乎全部施加在了电阻身上，输出也接近 10v 高频，几乎可以全部能通过，所以叫它高通滤波器。

5.2.3总结

1、如下图，随着频率的升高，电容的容抗是越来越低的，所以它的输出电压越来越高。

2、下图反映了频率和输出信号幅度的关系，当频率等于零赫兹时，它的输出电压几乎接近零幅，而当它处于截止频率 $F_{c}$ 时候，它的输出信号的幅度可以达到输入信号的70%。

如果是更高的频率，它的输出信号的幅度也会更高，这就是高通滤波器的作用。

它并没有把低频信号完全滤除，只是把低频信号的幅度给消减的多一点，而高频信号消减的少一点。

5.3延时

当给电容充电时，它的充电曲线是这样的，从电压的 10% 充电到90%，需要的时间是 2.2 倍的RC。

比如下图给单片机的波形是这样的方波，如果想要高电瓶有一个小小的延时，就可以利用 RC 延时电路，通过选取合适的 RC 值就能实现想要的延时。

5.4耦合

在下图电路中，电容滤除了直流成分而让交流信号传递给后续电路，它此时实现的就是耦合的作用，能通过耦合电容的是有用的信号。

5.5旁路

旁路电容和耦合电容非常相似，旁路应用得非常广泛。耦合电容滤除的是低频信号，而旁路电容滤除的是高频的交流信号。

比较常见的是当给一个芯片供电时，习惯性的都会在电容和地之间加一个 0.1uF 的小电容，对于高频的干扰信号会通过这个小电容流向地，从而使芯片免受高频信号的干扰。

旁路电容一般都紧靠着芯片，如果距离芯片太远的话，效果将大打折扣，因为距离太远的话，那一段远远的导线也可能会受噪声、电磁干扰的影响，继续产生高频信号，进而干扰芯片，所以一般这个芯片旁边的旁路电容必须紧靠着芯片。至于这个旁路电容到底怎么选？最好的办法还是参考数据手册，这是 4266 的数据手册，它上面推荐的是加两个旁路电容，除了一个 0.1uF 的旁路电容，同时还并联了一个 100nF 的电容，而且容量小一些的一般得更靠近芯片。

六、VDD、VCC、VSS、VEE

6.1定义

VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压；
VDD：D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压；
VSS：S=series 表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压；
VEE：负电压供电；
VPP：编程/擦除电压。

6.2说明

1、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压（通常 Vcc > Vdd ），VSS 是接地点。
2、有些 IC 既有 VDD 引脚又有 VCC 引脚，说明这种器件自身带有电压转换功能。
3、在场效应管（或CMOS器件）中，VDD 为漏极，VSS 为源极，VDD 和 VSS 指的是元件引脚，而不表示供电电压。

6.6补充

VCC	电路的供电正电压	VDDD	芯片的工作数字正电压
GND	电路的供电负电压	VSSD	芯片的工作数字负电压
VDD	芯片的工作正电压	VREF+	ADC基准参考正电压
VSS	芯片的工作负电压	VREF-	ADC基准参考负电压
VDDA	芯片的工作模拟正电压	VBAT	电池或基他电源供电
VSSA	芯片的工作模拟负电压	VEE	负电压供电

七、推挽、开漏、高阻输出

7.1GPIO口的三态

其中，

两个 MOS 管都关闭时，输出处于一个浮空状态，此时它对其他点的电阻是无穷大的，所以这个状态也被称为高阻态。
当两个 MOS 管都打开时，这边电源直接对地短路， MOS 管就烧毁了，所以这种状态并不存在。

7.2推挽输出

将 1,2 进行组合。

所谓的推挽其实就是描述了 MOS 管输出高低电瓶时电流的一个动作而已,如下图。

7.3开漏输出

将 2,3 进行组合。

这个组合里上面的 MOS 管永远是关闭的，所以可以认为它就是不存在的。即等于下面的 MOS 管的漏极就等于啥也没接，处于一个开路状态，所以这个模式被称为开漏模式。

7.3.1改变高电平的电压

当想用这个 GPIO 口去控制一个芯片的 enable 引脚，但是这个 GPIO 口输出的高电频是 5 伏（就是上图中的 VCC ），而后面芯片的 enable 只支持 3.3 伏输入。如果用推挽模式的话，高电平时输出 5 伏就有可能把后面的芯片给烧毁了，所以就需要使用开漏模式，同时需要在外面接一个上拉电阻。