三极管+MOS管共同组成的开关电路

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已于 2024-03-03 20:36:53 修改

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分类专栏：电源文章标签：嵌入式硬件

于 2024-02-28 21:07:34 首次发布

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本笔记是看逐个“三极管+MOS管共同组成的开关电路”视频进行学习，故笔记以逐个电路图展开。

三极管优点：耐压高；缺点：电流驱动

MOS管优点：开关速度快，电压驱动

一、一键开关机电路（小鱼冠名）

（知识点不多，但是电路设计很巧妙）

1.1效果

按下按键松开→ $V_{OUT}=V_{IN}$

再次按下按键松开→ $V_{OUT}=0$

1.2电路过程及原理

1.2.1上电，开关断开

上电时，开关断开→ $V_{IN}$ 通过 $R_{1}$ ， $R_{2}$ 给电容充电→电容上方电压达到 $V_{IN}$ →三极管 $Q_{2}$ 基级电压为0→三极管断开→MOS管 $Q_{1}$ 栅极电压为 $V_{IN}$ → $V_{GS}$ 不小于负的 $V_{GS\left ( th \right )}$ →MOS管 $Q_{1}$ 关断→ $V_{OUT}=0$

1.2.2按下开关

电容电压为 $V_{IN}$ →三极管 $Q_{2}$ 基级电压为 $V_{IN}$ ，三极管导通；同时通过 $R_{4}$ 放电→MOS管 $Q_{1}$ 栅极经三极管导通至地，MOS管 $Q_{1}$ 栅极电压为0→ $V_{GS}$ 小于负的 $V_{GS\left ( th \right )}$ →MOS管 $Q_{1}$ 导通→ $V_{OUT}=V_{IN}$ ，电路处于开机状态。

1.2.3松开按键

当电容电压放电到等于三极管BE之间的开启电压，约0.7v时，三极管饱和导通电流由 $V_{OUT}$ 通过 $R_{3}$ 提供，三极管一直开启。这时即使松开按键，电路仍处于开机状态。

三极管导通时，集电极的电压约0，所以电容的电压也会接近于0。

1.2.4再次按下按键

按下按键→电容上端电压为0，三极管基级电压为0→三极管断开，MOS管栅极电压为 $V_{IN}$ →MOS管关闭→ $V_{OUT}=0$

其中，由于 $R_{2 }$ 电阻选取的非常大，使 $V_{IN}$ 不能通过 $R_{1}$ ， $R_{2 }$ 使三极管导通，而且电容的电压也不能升高。

1.2.5松开按键

松开按键， $V_{IN}$ 通过 $R_{1}$ ， $R_{2}$ 给电容充电→电容上方电压达到 $V_{IN}$ ，再次按下按键后，电路又处于开机状态。

1.3器件参数

输入电压3~6v，器件参数可以参考下面的数值。

1.4电路缺点

当输出端连接的负载电容比较大时，容易出现MOS管关不断的情况。可以在输出端对地接一个几百欧的限流电阻，原因如上。

1.5陈氏总结

纵观整个电路过程：开关控制电容，电容控制三极管，三极管控制MOS管。

二、延时开关电路（郭天祥老师冠名）

（本电路知识很基础，但是讲解过程非常联系单片机实际情况）

2.1效果

配合单片机程序实现长按两秒开关机，短暂按下松开其他需要的功能。

2.2电路说明

$V _{cc}$ =单片机上电电压=3.3V

单片机输出口 $IO _{out}$ ：单片机写信号

单片机输入口 $IO _{in}$ ：给单片机信号

$IO _{in}$ 的作用：反馈给单片机开关S1按下与否的状态。
D4上拉电阻接到3.3v，即单片机的 $IO _{in}$ 一直是高电平，除非按下按键，D4就导通将 $IO _{in}$ 拉低到0.7V。由于 $IO _{in}$ 口写程序的时候，有上下限，例如在1v以下都是低电平，2.5v以上都是高电平（模数转换）。

2.3电路过程及原理

2.3.1按下和松开开关

按下开关后，电流通过 $V_{cc}$ →R15→D5→S1→GND将G点电压下拉为二极管的管压降0.3v。 $\left | V_{GS} \right |> \left | V_{GS\left ( th \right )} \right |$ ，MOS管导通， $R_{DS}$ 很小，单片机上电。