硬件面试经典 100 题（ 1~30 题）

小醒爱硬件

已于 2024-08-24 11:27:22 修改

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分类专栏：硬件面试经典100题文章标签：嵌入式硬件

于 2024-08-10 17:19:19 首次发布

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以下所有介绍产品型号的题目，都讲解了较多的型号，是为了供大家选择，其实只需要找 3~5 去商城查看数据，加深印象，加以背诵即可。

1、请列举您知道的电阻、电容、电感品牌（最好包括国内、国外品牌）。

（1）电阻

美国：威世
日本：村田，松下
中国台湾：大毅、国巨
中国大陆：广东风华

（2）电容

美国：威世
日本：村田，松下
中国台湾：台康、国巨
中国大陆：广东风华

（3）电感

美国：威世
日本：村田，松下
中国台湾：台庆、国巨
中国大陆：广东风华

2、请解释电阻、电容、电感封装的含义：0402、0603、0805。

均表示的是尺寸参数。

0402：40*20mil
0603：60*30mil
0805：80*50mil

3、请说明以下字母所代表的电容的精度：J、K、M、Z。

J：±5%
K：±10%
M：±20%
Z：+80%~-20%

4、请问电阻、电容、电感的封装大小分别与什么参数有关？

电阻封装大小与电阻值、额定功率有关
电容封装大小与电容值、额定电压有关
电感封装大小与电感量、额定电流有关

陈氏解释

（1）电阻

电阻值：一般来说，电阻值并不会显著影响封装大小。即使电阻值很大或很小，封装也可以保持较小尺寸。不过，极端高阻值的电阻可能会因为材料和制造工艺的限制，导致封装略微增大。
额定功率：这是决定电阻封装大小的关键因素。电阻消耗电能并转化为热能，所以必须有足够的表面积来散热。功率越大，电阻的封装通常越大，以便更好地散热。
例子：1/8W、1/4W、1/2W 的电阻器分别具有不同的封装大小。比如说，1/4W 的电阻通常采用 0805 或 1206 封装，而1W的电阻可能采用 2512 封装。

（2）电容

电容值：电容的大小通常与电容量成正比。更大的电容值需要更大的电介质和电极面积，因此封装也会变大。
额定电压：电容的额定电压越高，意味着电介质层必须更厚，以防止击穿。因此，额定电压越高，电容封装可能也会增大。
例子：10μF/16V 的电容可能使用 1206 封装，而相同电容值的 100V 电容可能会采用 1210 或更大的封装。

（3）电感

电感量：电感量较大的电感通常需要更多的线圈匝数和磁芯，因此封装也会较大。
额定电流：流过电感的电流越大，磁芯和绕组的体积需要更大以减少磁饱和和热量，因此封装会增大。
例子：一个 10μH/1A 的电感可能采用 0805 封装，而一个 10μH/10A 的电感可能需要更大的封装，如 2020 或更大。

5、如果某 CPU 有很多 IO 端口需要接上下拉电阻，电阻范围 1~10K 欧姆均可。以下规格的电阻，您会选择哪一种：1K/1%、4.99K/1%、10K/1%、1K/5%、2.2K/5%、4.7K/5%、8.2K/5%、10K/5%、3.9K/10%、5.6K/10%、4.7K/20%？说明你选择该电阻的理由。

从理论上来说，1~10K 的电阻都可以采用，但如果从价格上考虑，当然是 4.7K/20%的最合算。

陈氏解释

在上下拉电阻选择的考虑因素有：阻值、成本和制造容差。

上下拉电阻用于将未使用的或浮动的 IO 引脚稳定在一个确定的电平（高或低），避免引脚悬空带来的不确定性和噪声。
典型的上下拉电阻值在 1KΩ 到 10KΩ 之间，这样的阻值足够大，不会消耗过多的电流，同时也能有效拉动电平。
4.7KΩ/20% 的电阻可能实际值在 3.76KΩ 到 5.64KΩ 之间浮动，在这个范围内的电阻均满足上下拉电阻的要求。
对于上下拉电阻来说，容差通常不影响电路性能，因为上下拉的作用不要求精确的电阻值，只需要在合理范围内即可。
一般来说，20%容差的电阻成本最低，因为它们的制造精度要求最低。

6、请简述压敏电阻工作原理。

当压敏电阻上的电压超过一定幅度时，电阻的阻值降低，从而将浪涌能量泄放掉，并将浪涌电压限制在一定的幅度。

陈氏解释

（前提：压敏电阻在电路中是并联到地的）

压敏电阻工作原理详解：

正常工作电压下的行为：
在正常工作条件下（即电路中的电压在设计范围内时），压敏电阻的电阻值非常高，相当于一个开路，几乎不导电。因此，它对电路没有影响，设备可以正常工作。
当电压超过一定阈值（称为“击穿电压”或“阈值电压”）时：
一旦电路中的电压超过压敏电阻的击穿电压，压敏电阻的电阻值会急剧下降，变得非常低。这种行为类似于短路。
电阻值降低意味着压敏电阻可以通过较大的电流，从而迅速泄放通过它的电流，将电压限制在安全范围内。

浪涌能量与压敏电阻的关系：

浪涌能量是指瞬时的高电压或高电流，它们通常来自雷击、电源切换、或者电磁干扰。当这些瞬时过电压（浪涌）进入电路时，可能会损坏敏感的电子设备。
压敏电阻在检测到这种高电压时，会迅速降低电阻值，使得过量的电流通过它而不是通过敏感的电子设备，从而保护电路中的其他元件。
在浪涌通过压敏电阻时，它会将浪涌能量转化为热量并散发掉，从而防止这些能量对电路造成伤害。

7、请简述 PTC 热敏电阻作为电源电路保险丝的工作原理。

当电源输入电压增大或负载过大导致电流异常增大的时候，PTC 热敏电阻因为温度增大而使其等效电阻迅速增大，从而使输出电压下降，减小输出电流。当故障去除，PTC 热敏电阻恢复到常温，其电阻又变的很小，电源电路恢复到正常工作状态。

陈氏理解

（前提：热敏电阻在电路中是串联分压）

串联在电路中的热敏电阻的电阻值增大:

热敏电阻的分压增大，输出电压减小；
电阻增大，输出电流减小。

8、常见贴片电容的材质有：X7R、X5R、Y5V、NPO（COG）、Z5U。请问电容值和介质损耗最稳定的电容是哪一种？

电容值和介质损耗最稳定的是 NPO（COG）材质电容。

陈氏理解

前提：

Class I 陶瓷电容器提供了非常高的温度稳定性和低介质损耗，非常适合高精度和高稳定性应用。
Class II 陶瓷电容器虽然在温度稳定性和介质损耗方面不如 Class I 电容器，但它们能够提供更高的电容值，适合一般电路应用。

（1）X7R 常温稳定电容（Class II 陶瓷材料）

（2）X5R 常温稳定电容（Class II 陶瓷材料）

（3）Y5V 宽温度范围电容（Class II 陶瓷材料）

（4）NPO（COG）温度补偿型电容（Class I 陶瓷材料）

（5）Z5U 低温稳定电容（Class II 陶瓷材料）

9、某磁珠的参数为 100R@100MHz，请解释参数的含义。

在 100MHz 频率下的阻抗值是 100 欧姆。

陈氏解释

为什么上面答案中的术语为阻抗值而不是阻值？

答：阻值通常用于描述电阻器在直流电路中的行为。
阻抗是交流电路中电压与电流之间关系的一个更广泛的概念。阻抗包括了电阻（实部）和电抗（虚部），即 Z = R + jX，其中 R 是电阻，X 是电抗（包括电感性电抗和电容性电抗），j 是虚数单位。

磁珠是一种电感元件，它的阻抗在不同频率下会有所不同。磁珠的主要作用是抑制高频噪声，因此在标明其性能时，需要明确其在特定频率下的阻抗值。这 100R 包括了电阻成分和电感性电抗成分的合成阻抗。如果只说“阻值”，会给人一种误解，认为这个100R 是纯电阻，而实际上，它在100MHz 时的阻抗不仅仅是电阻，还包括由于电感效应引起的电抗。

10、请问共模电感的作用是什么？

抑制共模干扰。

陈氏理解

共膜干扰：指两个信号线或电源线相对于地线或参考地的相同方向的电压或电流干扰。这种干扰通常同时出现在电路的所有线缆上，且方向相同。

共膜电感：一种用于抑制共模干扰的电感元件。它通常由两个或更多个线圈绕制在一个磁芯上，这些线圈的绕制方式使得它们对共模信号产生高阻抗（并且串联在电路中），但对差模信号（即正常工作信号）影响很小。

11、绿色发光二极管的导通压降大概是多少伏？

2V 左右。

陈氏理解

红色：1.8~2.2V
黄色：2.0~2.4V
绿色：2.0~3.2V
蓝色：3.0~3.5V
紫色：3.0~4.0V
白色：3.0~4.0V
红外：1.2~1.6V

12、如果一个 LED 指示灯没有定义颜色，红、绿、黄、橙、蓝、白色你会选择哪一种，为什么？

按照使用习惯，电源指示灯用红色，信号指示灯用绿色，这两种颜色的 LED 灯技术最成熟，价格最便宜。

13、请简述 TVS 瞬态电压抑制二极管的工作原理。

当 TVS 上的电压超过一定幅度时，器件迅速导通，从而将浪涌能量泄放掉，并将浪涌电压限制在一定的幅度。

14、请列举您知道的二极管型号。

1N4148、1N5817、1N5819、1N5820、1N5822、1N4001、1N4007、SR160、SR360、BAT54A、BAT54C、BAT54S

陈氏理解

1. 1N4148

类型：通用小信号二极管
特点：1N4148 是一种快速切换二极管，正向电流为 300mA，最大反向电压为 100V，反向恢复时间极短（约 4ns）。
应用：主要用于高频开关电路、信号整形和保护电路中。

2. 1N5817

类型：肖特基二极管
特点：1N5817 是一种肖特基整流二极管，正向电流为 1A，最大反向电压为 20V，正向压降低于 0.45V。
应用：适用于低电压、高效率的整流应用，如开关电源、低压降电源和功率转换器。

3. 1N5819

类型：肖特基二极管
特点：1N5819 和 1N5817 类似，但最大反向电压为 40V，正向电流仍为 1A，正向压降较低，约为 0.45V。
应用：适用于同样的低电压整流应用，如电源模块和电池充电器。

4. 1N5820

类型：肖特基二极管
特点：1N5820 是一种肖特基二极管，最大反向电压为 20V，正向电流为 3A，正向压降约为 0.5V。
应用：适用于大电流的整流应用，如电源整流、逆变器和充电器。

5. 1N5822

类型：肖特基二极管
特点：1N5822 的最大反向电压为 40V，正向电流为 3A，正向压降约为 0.525V。
应用：适用于高电流、低电压的整流电路，特别是在需要高效率和低热损耗的场合，如 DC-DC转换器。

6. 1N4001

类型：整流二极管
特点：1N4001 是常见的整流二极管，最大反向电压为 50V，正向电流为 1A。它的正向压降约为 0.7V。
应用：广泛用于一般的低频整流电路，如电源适配器和电池充电器。

7. 1N4007

类型：整流二极管
特点：1N4007 与 1N4001 类似，但最大反向电压为 1000V，正向电流为 1A，正向压降约为 0.7V。
应用：适用于更高电压的整流应用，如交流电整流和逆变电路。

8. SR160

类型：肖特基二极管
特点：SR160 是一种肖特基整流二极管，最大反向电压为 60V，正向电流为 1A，正向压降低于 0.55V。
应用：适用于低压高效整流，如开关电源和电源管理电路。

9. SR360

类型：肖特基二极管
特点：SR360 是一种肖特基二极管，最大反向电压为 60V，正向电流为 3A，正向压降低于 0.85V。
应用：适用于高电流、高效率整流，如电源转换器和电池管理系统。

10. BAT54A

类型：肖特基二极管
特点：BAT54A 是一种小信号肖特基二极管，最大反向电压为 30V，正向电流为 200mA，正向压降极低，约为 0.24V。
应用：常用于高频信号整流、保护和电压钳位应用。

11. BAT54C

类型：肖特基二极管
特点：BAT54C 是双二极管的组合，两个二极管共用一个阳极（即共阴），最大反向电压为 30V，正向电流为 200mA。
应用：用于信号整流、保护电路和多路开关电路。

12. BAT54S

类型：肖特基二极管
特点：BAT54S 是一个肖特基二极管的双向配置，两个二极管背靠背连接。最大反向电压为 30V，正向电流为 200mA。
应用：适用于电压钳位、双向信号保护和桥接电路。

15、请列举您知道的 NPN 三极管型号。

2N2222、2N3904、2N5550、2N5551、M8050、S9013、S9014、S9018

陈氏理解

1. 2N2222

特点：2N2222 是一种广泛使用的 NPN 小信号三极管，具有较高的开关速度和放大能力。其最大集电极-发射极电压 (Vceo) 为 40V，最大集电极电流为 800mA。
应用：适用于低功率放大和开关应用，如开关电源、驱动继电器和灯光控制电路。

2. 2N3904

特点：2N3904 是另一种常用的 NPN 小信号三极管，具有低噪声和高增益的特点。其最大 Vceo 为 40V，最大集电极电流为 200mA。
应用：适用于低功率放大器、开关和信号处理电路，特别是在需要低噪声的音频电路中。

3. 2N5550

特点：2N5550 是一种高电压 NPN 三极管，Vceo 可达 160V，最大集电极电流为 600mA。
应用：适用于需要处理较高电压的电路，如高压开关和放大电路。

4. 2N5551

特点：2N5551 与 2N5550 类似，但其最大 Vceo 为 160V，最大集电极电流为 600mA，且具有良好的高频特性。
应用：常用于高压放大器和高速开关应用。

5. M8050

特点：M8050 是一种中功率 NPN 三极管，最大 Vceo 为 25V，最大集电极电流为 1.5A。它具有较低的饱和压降，适合驱动中等功率负载。
应用：常用于音频放大器、开关电源和驱动电机电路。

6. S9013

特点：S9013 是一种低功率 NPN 三极管，Vceo 为 25V，最大集电极电流为 500mA。它具有较高的增益 (hFE)，适合小信号放大和开关应用。
应用：用于低功率放大器、音频电路和信号处理电路中。

7. S9014

特点：S9014 与 S9013 类似，但它具有更低的噪声性能，Vceo 为 45V，最大集电极电流为 100mA。
应用：适用于需要低噪声的放大电路，如音频放大器和传感器接口电路。

8. S9018

特点：S9018 是一种低噪声 NPN 三极管，专为高频应用设计，Vceo 为 15V，最大集电极电流为 50mA。它具有极低的噪声特性和良好的高频响应。
应用：主要用于高频放大器、RF 接收器和其他需要低噪声和高频性能的电路中。

16、请列举您知道的 PNP 三极管型号。

2N3906、M8550、S9012、2SB1005、2SB1184、2SB1386、2SB1412、2N4403、2N4030

陈氏理解

1. 2N3906

特点：2N3906 是一种常用的 PNP 小信号三极管，最大集电极-发射极电压 (Vceo) 为 40V，最大集电极电流为 200mA。它具有良好的开关和放大性能。
应用：适用于低功率放大器和开关电路，常见于模拟信号处理和小型驱动电路中。

2. M8550

特点：M8550 是一种中功率 PNP 三极管，Vceo 为 25V，最大集电极电流为 1.5A。它具有较高的增益 (hFE) 和低饱和压降。
应用：常用于音频放大器、开关电源和驱动中等功率负载的电路中。

3. S9012

特点：S9012 是一种低功率 PNP 三极管，Vceo 为 25V，最大集电极电流为 500mA。它具有较高的增益和良好的低噪声特性。
应用：适用于低功率放大电路和开关电路，特别是在低噪声要求的应用中，如音频放大器。

4. 2SB1005

特点：2SB1005 是一种高功率 PNP 三极管，最大 Vceo 为 100V，最大集电极电流为 3A。它适合高电压和大电流的放大和开关应用。
应用：广泛用于电源管理、功率放大器和电机驱动电路中。

5. 2SB1184

特点：2SB1184 是一种中等功率 PNP 三极管，Vceo 为 60V，最大集电极电流为 2A。它在中功率应用中具有良好的性能。
应用：常用于功率放大器和需要中等电流驱动的开关电路中。

6. 2SB1386

特点：2SB1386 是一种高电压 PNP 三极管，Vceo 为 160V，最大集电极电流为 2A。它能够处理较高电压的应用。
应用：适用于高压开关电路和高压放大电路，如音频功率放大器。

7. 2SB1412

特点：2SB1412 是一种中功率 PNP 三极管，Vceo 为 80V，最大集电极电流为 3A。它具有较高的可靠性和稳定性。
应用：常见于电源管理、功率放大和电机控制等电路中。

8. 2N4403

特点：2N4403 是一种常用的 PNP 小信号三极管，Vceo 为 40V，最大集电极电流为 600mA。它具有良好的开关速度和放大能力。
应用：适用于低功率放大、信号处理和小型开关电路。

9. 2N4030

特点：2N4030 是一种中功率 PNP 三极管，最大 Vceo 为 60V，最大集电极电流为 1A。它具有中等功率处理能力和良好的增益特性。
应用：用于中等功率的放大和开关应用，如电源调节和驱动电路。

17、列举您知道的 P-MOS 管型号。

AO3415、Si2301DS、Si2305DS、AP4435M、AP9435M

陈氏理解

1. AO3415

特点：AO3415 是一种常用的 P-MOSFET，具有低导通电阻 (Rds(on)) 和低栅极驱动电压（Vgs(th)）。其最大漏源电压 (Vds) 为 -30V，最大漏极电流 (Id) 为 -4.2A。
应用：适用于负载开关、DC-DC 转换器和电源管理应用中，尤其在低压电源电路中表现优良。

2. Si2301DS

特点：Si2301DS 是一种小型 P-MOSFET，最大 Vds 为 -20V，最大 Id 为 -2.8A。它具有低导通电阻和快速开关性能。
应用：主要用于小型电源管理电路、开关电源和负载开关等低压应用。

3. Si2305DS

特点：Si2305DS 是一种 P-MOSFET，最大 Vds 为 -20V，最大 Id 为 -2.5A，具有低导通电阻和高效的开关速度。
应用：常用于电池管理系统、便携式设备的电源开关和电压调节器等电路中。

4. AP4435M

特点：AP4435M 是一种高效 P-MOSFET，最大 Vds 为 -30V，最大 Id 为 -6A。它具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。
应用：适用于电源管理、电池保护和DC-DC 转换器中，特别适合于需要高效率和高电流处理的场合。

5. AP9435M

特点：AP9435M 是一种高电流 P-MOSFET，最大 Vds 为 -30V，最大 Id 为 -9A。它具有极低的导通电阻和良好的热性能。
应用：适用于高功率应用，如大功率 DC-DC 转换器、负载开关和电源分配电路中。

18、列举您知道的 N-MOS 管型号。

IRF7809A、Si2302DS、BSS138

陈氏理解

1. IRF7809A

特点：IRF7809A 是一种高功率 N-MOSFET，最大漏源电压 (Vds) 为 30V，最大漏极电流 (Id) 为 26A。它具有非常低的导通电阻 (Rds(on))，适合高效率的开关电路。
应用：广泛用于开关电源 (SMPS)、DC-DC 转换器和大功率负载开关中，尤其是在需要高电流处理能力的电路中。

2. Si2302DS

特点：Si2302DS 是一种小型 N-MOSFET，最大 Vds 为 20V，最大 Id 为 2.8A。它具有低导通电阻和快速的开关速度，适合低电压应用。
应用：常用于电源管理、负载开关和低压转换器等小功率电路中。

3. BSS138

特点：BSS138 是一种小信号 N-MOSFET，最大 Vds 为 50V，最大 Id 为 200mA。它具有较高的栅极阈值电压 (Vgs(th)) 和低导通电阻，适合于信号开关和小电流控制电路。
应用：适用于电平转换、低功耗开关和驱动小型负载的电路中，尤其在需要较高开关速度的小信号应用中。

19、为什么 OC（开集）门和 OD（开漏）门输出必须加上拉电阻？

因为 MOS 管和三极管关闭时，漏极 D 和集电极 C 是高阻态，输出无确定电平，必须提供上拉电平，确定高电平时的输出电压。

陈氏理解

（1）OC门

没有我们自己画的外部上拉电阻（这才是真正的上拉电阻，不是指 MCU 内部的上拉电阻）：

输入 Input 高电平→第一个三极管导通→ VCC 拉到地→第二个三极管截止→没有外部上拉电阻→高阻态
输入 Input 低电平→第一个三极管截止→ VCC 使第二个三极管导通→没有外部上拉电阻→拉低输出

输出要么是高阻态要么是低电平，这不是我们想要的输出，这就回到这道面试题本身：为什么要加上拉电阻？

加上我们自己画的外部上拉电阻（这才是真正的上拉电阻，不是指 MCU 内部的上拉电阻）：

输入 Input 高电平→第一个三极管导通→ VCC 拉到地→第二个三极管截止→有外部上拉电阻→高电平
输入 Input 低电平→第一个三极管截止→ VCC 使第二个三极管导通→有外部上拉电阻→拉低输出

有外部上拉电阻，就可以使输出和输入保持同步，输出高低电平。

（2）OD 门

没有我们自己画的外部上拉电阻（这才是真正的上拉电阻，不是指 MCU 内部的上拉电阻）：

输入 Input 高电平→第一个 MOS 管导通→ VCC 拉到地→第二个 MOS 管截止→没有外部上拉电阻→高阻态
输入 Input 低电平→第一个 MOS 管截止→ VCC 使第二个 MOS 管导通→没有外部上拉电阻→拉低输出

输出要么是高阻态要么是低电平，这不是我们想要的输出，这就回到这道面试题本身：为什么要加上拉电阻？

加上我们自己画的外部上拉电阻（这才是真正的上拉电阻，不是指 MCU 内部的上拉电阻）：

输入 Input 高电平→第一个 MOS 管导通→ VCC 拉到地→第二个 MOS 管截止→有外部上拉电阻→高电平
输入 Input 低电平→第一个 MOS 管截止→ VCC 使第二个 MOS 管导通→有外部上拉电阻→拉低输出

有外部上拉电阻，就可以使输出和输入保持同步，输出高低电平。

注意：

OC 门和 OD 门原理上相似，但是 OC 门在输出低电平时并非是完全的 0V ，而是 0.3V ，这是由于三极管的压降。
OC 门和 OD 门高电平输出不取决于内部的 VCC ，而是取决于外部的 VCC_nV 。

20、列举您知道的 LDO（低压差线性稳压器）的型号。

AZ1084、AZ1085、AZ1086、AMS1117、AS1581、APL5102、BL8503、AP1184、AP1186、LM7805、 LM7812 、 LM7905、R1114、RT9169、RT9172、TPS73701、XC6206、XC6210。

陈氏理解

AZ1084：这是一个具有低压差特性的LDO，提供可调输出电压。它适用于需要较高输出电流的应用，典型输出电流范围为5A。
AZ1085：这是一个固定输出电压的LDO，如5V或3.3V。它也具有低压差特性，常用于需要稳定电压的小型设备。
AZ1086：与AZ1085类似，但具有更高的电流输出能力，通常用于更高电流需求的应用。
AMS1117：这是一个常见的LDO稳压器，具有低压差特性，提供固定输出电压如1.8V、2.5V、3.3V、5V等，输出电流通常为1A。
AS1581：这是一款低压差、低静态电流的LDO，适用于需要高效率和低功耗的应用。
APL5102：这是一款高精度、低压差的LDO稳压器，适用于高要求的应用，输出电流范围通常为500mA。
BL8503：这是一款低压差的LDO，常用于低电压、低功耗的应用，输出电流范围通常为500mA。
AP1184：这是一款具有低压差特性和高稳定性的LDO稳压器，适用于要求较高的精度和稳定性的应用。
AP1186：类似于AP1184，但具有不同的电流和电压规格，通常用于中等功率需求的应用。
LM7805：这是一个经典的三端稳压器，提供固定的5V输出电压，但其压差较高，通常用于不需要非常低压差的应用。
LM7812：这是一个提供12V固定输出电压的三端稳压器，适用于需要12V电源的应用。
LM7905：这是一个负电压稳压器，提供固定的-5V输出电压，常用于负电源电路。
R1114：这是一款低压差LDO稳压器，具有高精度和低静态电流，适用于要求较高的电源稳定性的应用。
RT9169：这是一款具有低压差特性的LDO，提供固定输出电压，如3.3V或5V，适用于各种电子设备。
RT9172：这是一个高精度、低压差的LDO，适用于高要求的电源管理应用，输出电流范围通常为1A。
TPS73701：这是一款具有低压差特性和高稳定性的LDO稳压器，适用于需要高电源稳定性的应用。
XC6206：这是一款小型、低压差的LDO，提供固定输出电压，适用于低功耗电子设备。
XC6210：类似于XC6206，但具有不同的输出电压和电流规格，适用于中等功率需求的应用。

21、请列举您知道的 DC-DC 控制器型号。

AP34063、AAT1160、APW7102、APW7136、BL8530、AP1507、LM2576、LM2596、RT8008、SP6123、 XC9201

陈氏理解

AP34063：这是一款常用的多功能DC-DC转换器，支持升压、降压和反向转换。它能提供高达1.5A的输出电流，适用于各种电源转换应用。
AAT1160：这是一款高效率、低静态电流的DC-DC降压转换器，具有高达2A的输出电流能力，适用于移动设备和低功耗应用。
APW7102：这是一款高效的DC-DC降压转换器，具有低静态电流和高效率，适用于需要稳定输出电压的应用，支持高达2A的输出电流。
APW7136：这是一款高效的DC-DC降压转换器，具有高频开关和低静态电流，适用于需要高效率和小体积的电源应用。
BL8530：这是一款DC-DC降压转换器，具有高效率和宽输入电压范围，支持高达3A的输出电流，适用于各种电源管理应用。
AP1507：这是一款高效的DC-DC降压转换器，具有较宽的输入电压范围和高输出电流能力，适用于中等功率的电源应用。
LM2576：这是一款经典的DC-DC降压转换器，支持固定输出电压和可调输出电压，具有较高的效率和稳定性，输出电流通常为3A。
LM2596：这是一个常见的DC-DC降压转换器，支持固定输出电压和可调输出电压，具有高效率和较宽的输入电压范围，输出电流通常为3A。
RT8008：这是一款高效的DC-DC降压转换器，具有低静态电流和高效率，适用于低功耗应用，支持高达1A的输出电流。
SP6123：这是一款小型、低压差的DC-DC降压转换器，具有高效率和宽输入电压范围，适用于移动设备和便携式应用。
XC9201：这是一款高效率、低静态电流的DC-DC降压转换器，支持高达1A的输出电流，适用于低功耗和高效率要求的应用。

22、请简述一下 DC-DC 和 LDO 的区别。

DC-DC 通过开关斩波、电感的磁电能量转换、电容滤波实现基本平滑的电压输出。开关电源输出电流大，带负载能力强，转换效率高，但因为有开关动作，会有高频辐射。

LDO 是通过调整三极管或 MOS 管的输入输出电压差来实现固定的电压输出，基本元件是调整管和电压参考元件，电压转换的过程是连续平滑的，电路上没有开关动作。LDO 电路的特点是输出电压纹波很小，带负载能力较弱，转换效率较低。

陈氏理解

还可以参见我以前的博客：LDO基础知识 + 硬件电路-CSDN博客中第五节DCDC与LDO的区别。

23、请问电荷泵升压电路一般应用在什么场合？电荷泵可以胜任大电流的应用吗，为什么？

电荷泵通过开关对电容充放电实现升压，因为电路没有电感元件储能，驱动能力较弱，只可以用于小电流场合。

陈氏理解

一、引入问题

很多芯片，虽然供电电压是 5V ，但是工作时需要 10V 或者更多电压的参与。在芯片外部为 10V 电压单独搭建升压电路是可行，如图 1 ，但是这需要增加很多器件和成本，并且芯片如果采用电池供电，以上的升压方式显然是不合适的。

由于一个芯片的功耗很小，不需要在外部专门去搭建升压电路，故设计者将升压系统集成到了芯片内部，以达到：用 5V 电压供电，芯片自己可以将电压升至 10V ，就无需外部搭建升压电路。

那内部采用的是什么升压方式呢？难道是简单的将外部 BOOT 升压电路集成到芯片内部就可以了？肯定不是，因为在集成电路内部是无法做大容量的电感和电容的。集成电路内部升压一般都采用电荷泵电路。

电荷泵电路的优点是：效率高，电路简单，尺寸小，所以在芯片内部一般使用电荷泵升压。

二、电荷泵升压电路的原理

2.1简易电荷泵

当向左闭合红色开关时，电容 C1 首先被电源充电到 5V ，极性为上正下负。

接下来向右闭合绿色开关，此时电流如下图 3 。电源和电容 C1 相当于串联关系，因为它们的极性一样，这样电压就会叠加，E 点电压就能变为 10V，这就是电荷泵生压的原理。

但问题是怎么控制电荷泵中的开关？

2.2简单的迪克森电荷泵

2.2.1电荷泵模型

鉴于此，在 1976 年，迪克森提出了第一个理想的电荷泵模型。下图 4 是最简单的迪克森电荷泵，很多芯片内部采用的就是类似这种的电荷泵升压，图中的两个电容作用不一样， C1 是电荷泵升压电容，而 C0 是输出电容。

其中 A 点输入的是脉冲信号，波形如图 5，在 5V和 0V 之间来回切换，切换频率很快，一秒钟可达上万次甚至上百万次。

图 4 中的两个电容作用不一样， C1 是电荷泵升压电容，而 C0 是输出电容。

2.2.2电荷泵原理

（1）第一阶段

如图 6 ，脉冲信号为 0V ，电源给 C1 和 C0 充电到 5V 。

（2）第二阶段

如图 7 ，脉冲信号为 5V ，脉冲信号和电容 C1 是串联关系，故脉冲电压和电容的电压会叠加在一起，相当于两节 5V 电池串联在一起，串联的总电压是 10 伏，但此时输出电容的电压只有 5V ，如图 7 所示。

所以这两个电容会发生电荷共享。如果忽略二极管的压降，它们在这一阶段的电压最终会降到平均值 7.5V ，如图 8 。

（3）第三阶段

如图 9 ，脉冲信号降到了 0V ，C1 上的电压之前是 7.5V ，但是由于脉冲信号由 5V 降到了 0V，故被垫高的 C1 上的电压也要减去 5V ，降到了 2.5V。

因为电源是 5V，供电的电流通过第一个二极管会瞬间又给 C1 充电到 5V 。虽然 C1 上的电压为 5V ，但 C0 还会维持 7.5V 不变，因为有第二个二极管的存在，电荷不能由 C0 向 C1 共享（电流只能从 C1 流向 C0 而不能反向流动）。

（4）第四阶段

如图 10，脉冲信号又上升到 5V ， C1 上的电压再一次被抬升到 10V ，然后 C1 和 C0 继续电荷共享，电压变为平均值 8.8V 。

以此往复，输出电压终将变为 10V 。但是有一个前提，那就是负载耗电的速度必须小于电容的充电速度，不然电压永远升不上去。

（5）输出电容 C0 的作用

C1 储存的能量有限，接负载的话电压很快就下去了，很难维持电压恒定。而如果加上输出电容 C0 便能存储更多的能量，这样输出的电压会更加稳定。

如果想升压更多倍数的话，也是非常简单的，继续用类似的套路就可以了，如图 11 。

2.3电荷泵电路的芯片

EEPROM芯片，例如 AT24C02 ，它的供低电压为 5V ，但是在它存储数据的时候需要 12V ，所以在它的内部就集成了电荷泵电路。
RS-232 电压转换芯片，它的输入电压也是 5V ，但由于它内部集成了电荷泵，它能产生 10V或者 -10V 的电压。

24、请列举您知道的复位 IC 型号。

IMP809、IMP811。

陈氏理解

1. 复位 IC 的功能：

复位 IC 的主要作用是监测系统电压，并在检测到电压低于某个阈值时，输出复位信号。这一信号通常会让微控制器或处理器重新启动，避免因电压不足导致的不稳定行为或故障。

2. IMP809 的特性：

电压监测范围: IMP809 监测电源电压，当电压下降到预设的阈值以下时，输出低电平复位信号。
复位时间: 在电源电压恢复到正常水平后，IMP809 会维持复位信号一段固定时间（通常为240ms），然后释放复位信号，让系统重新启动。
封装类型: 常见封装包括 SOT-23 和 TO-92。
低功耗: 该 IC 具有非常低的静态电流消耗，适合电池供电的设备。

3. IMP811 的特性：

电压监测范围: 与 IMP809 类似，IMP811 也会监测电源电压，并在电压低于阈值时输出复位信号。
复位延迟: IMP811 的复位时间与 IMP809 相似，但在设计上更侧重于提供更高的精度和更短的复位延迟。
手动复位输入: IMP811 还具有一个手动复位引脚，可以通过外部信号强制复位。
封装类型: 常见封装包括 SOT-23 和 TO-92。
低功耗: 同样具有低功耗的特性，适用于便携式设备。

应用场景:

电源管理: 在微控制器系统、电源模块中，用于防止电压波动导致的系统崩溃。
嵌入式系统: 确保嵌入式系统在电压不稳定或恢复时能够安全启动。
便携设备: 用于电池供电的便携式设备，以延长电池寿命并确保设备稳定工作。

25、请列举您知道的 51 单片机型号。

AT89C2051、AT89C51、AT89S52、W78E65、W78E516B。

陈氏理解

1. AT89C2051

制造商: Atmel（现为 Microchip Technology）
架构: 8051 核心
特点:
- 闪存容量: 2KB
- RAM: 128 字节
- I/O 引脚: 15 个双向 I/O 口
- 定时器: 2 个 16 位定时器/计数器
- 串行接口: 1 个全双工 UART
- 工作电压: 2.7V - 6.0V
- 引脚数: 20 引脚
- 应用: 由于其小型封装和低功耗，适用于简单的嵌入式系统，如家用电器和小型设备。

2. AT89C51

制造商: Atmel（现为 Microchip Technology）
架构: 8051 核心
特点:
- 闪存容量: 4KB
- RAM: 128 字节
- I/O 引脚: 32 个双向 I/O 口
- 定时器: 2 个 16 位定时器/计数器
- 串行接口: 1 个全双工 UART
- 工作电压: 4.0V - 5.5V
- 引脚数: 40 引脚 DIP 封装
- 应用: 适用于教育、家用电器、工业控制等简单嵌入式应用场合。

3. AT89S52

制造商: Atmel（现为 Microchip Technology）
架构: 8051 核心
特点:
- 闪存容量: 8KB
- RAM: 256 字节
- I/O 引脚: 32 个双向 I/O 口
- 定时器: 3 个 16 位定时器/计数器
- 串行接口: 1 个全双工 UART
- 工作电压: 4.0V - 5.5V
- 引脚数: 40 引脚 DIP 封装
- 其他: 支持 In-System Programming (ISP)，即在线编程，便于开发和调试。
- 应用: 适用于需要更大存储空间和更多定时器的中小型嵌入式应用，如工业控制、智能家居设备。

4. W78E65

制造商: Winbond
架构: 8051 核心
特点:
- 闪存容量: 4KB
- RAM: 256 字节
- I/O 引脚: 32 个双向 I/O 口
- 定时器: 2 个 16 位定时器/计数器
- 串行接口: 1 个全双工 UART
- 工作电压: 4.5V - 5.5V
- 引脚数: 40 引脚 DIP 封装
- 其他: 具有看门狗定时器和低功耗模式，增强了系统的可靠性。
- 应用: 适用于对可靠性和低功耗有一定要求的嵌入式系统。

5. W78E516B

制造商: Winbond
架构: 8051 核心
特点:
- 闪存容量: 16KB
- RAM: 256 字节
- I/O 引脚: 32 个双向 I/O 口
- 定时器: 3 个 16 位定时器/计数器
- 串行接口: 1 个全双工 UART
- 工作电压: 4.5V - 5.5V
- 引脚数: 40 引脚 DIP 封装
- 其他: 支持看门狗定时器，内置 PLL（锁相环）以提高时钟频率，适合需要更高处理能力的场合。
- 应用: 适用于工业控制系统、通信设备和更为复杂的嵌入式应用。

26、请列举您知道的 ARM CPU 型号。

S3C4510B、S3C44B0、S3C2440、S3C2442、S3C2443、S3C2410、S3C2412、S3C2416、S3C 6400、OMAP3530、AM3517

陈氏理解

1. S3C4510B

制造商: Samsung
架构: ARM7TDMI
特点:
- 主频: 66MHz
- 内存接口: 支持 SDRAM、SRAM 和 ROM
- 外设: 集成了 Ethernet MAC 控制器、UART、I²C、SPI、PWM 和 GPIO 等外设
- 应用: 主要用于嵌入式系统，如路由器、网络设备和工业控制器等。

2. S3C44B0

制造商: Samsung
架构: ARM7TDMI
特点:
- 主频: 66MHz
- 内存接口: 支持 SRAM、DRAM、SDRAM 和 ROM
- 外设: 集成了 LCD 控制器、UART、I²C、SPI、USB 主机接口等外设
- 应用: 主要用于手持设备、便携式媒体播放器和工业控制等嵌入式系统。

3. S3C2440

制造商: Samsung
架构: ARM920T
特点:
- 主频: 400MHz
- 内存接口: 支持 NAND Flash、SDRAM 和 NOR Flash
- 外设: 集成了 LCD 控制器、USB 主机/设备、AC97、UART、I²C、SPI 和 PWM 等外设
- 应用: 广泛用于 PDA、便携式多媒体设备和工业控制系统。

4. S3C2442

制造商: Samsung
架构: ARM920T
特点:
- 主频: 400MHz
- 内存接口: 支持 NAND Flash、SDRAM 和 NOR Flash
- 外设: 类似于 S3C2440，但具有更高的集成度，增强了多媒体和通信能力
- 应用: 主要用于智能手机、便携式导航设备和多媒体播放器。

5. S3C2443

制造商: Samsung
架构: ARM920T
特点:
- 主频: 533MHz
- 内存接口: 支持 NAND Flash、SDRAM 和 NOR Flash
- 外设: 增强的多媒体功能，包括更强的图形处理和视频编码能力
- 应用: 适用于智能手机、手持设备和嵌入式多媒体应用。

6. S3C2410

制造商: Samsung
架构: ARM920T
特点:
- 主频: 200MHz
- 内存接口: 支持 NAND Flash、SDRAM 和 NOR Flash
- 外设: 集成了 LCD 控制器、USB、UART、I²C、SPI 和 PWM 等外设
- 应用: 主要用于手持设备、PDA 和便携式媒体播放器。

7. S3C2412

制造商: Samsung
架构: ARM920T
特点:
- 主频: 266MHz
- 内存接口: 支持 NAND Flash、SDRAM 和 NOR Flash
- 外设: 提供了增强的电源管理功能，并优化了多媒体处理能力
- 应用: 适用于便携式媒体设备、嵌入式系统和工业控制。

8. S3C2416

制造商: Samsung
架构: ARM926EJ-S
特点:
- 主频: 400MHz
- 内存接口: 支持 NAND Flash、SDRAM 和 NOR Flash
- 外设: 集成了多媒体加速器、增强的 USB 接口和更强的处理能力
- 应用: 广泛应用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和多媒体设备。

9. S3C6400

制造商: Samsung
架构: ARM1176JZF-S
特点:
- 主频: 533MHz
- 内存接口: 支持 DDR SDRAM 和 NAND Flash
- 外设: 提供了更强的多媒体处理能力，支持高清视频编解码和 3D 图形处理
- 应用: 主要用于高端智能手机、平板电脑和多媒体设备。

10. OMAP3530

制造商: Texas Instruments (TI)
架构: ARM Cortex-A8
特点:
- 主频: 600MHz
- 内存接口: 支持 DDR 和 NAND Flash
- 外设: 集成了强大的多媒体加速器，支持 720p 视频编解码、OpenGL ES 2.0 和 DSP
- 应用: 主要用于智能手机、高端嵌入式系统和多媒体设备。

11. AM3517

制造商: Texas Instruments (TI)
架构: ARM Cortex-A8
特点:
- 主频: 600MHz
- 内存接口: 支持 DDR2 和 NAND Flash
- 外设: 提供了高级图形处理功能，支持 OpenGL ES 2.0 和多种通信接口
- 应用: 适用于人机界面 (HMI) 设备、工业自动化和嵌入式多媒体应用。

27、请解释 WatchDog（看门狗）的工作原理。

看门狗有两个重要信号：时钟输入和复位输出。电路工作时，CPU 送出时钟信号给看门狗，即喂狗。如果系统出现故障， CPU 无法送出连续的时钟信号，看门狗即输出复位信号给 CPU，复位系统。

陈氏理解

看门狗 (WatchDog) 是一种用于监控系统状态的硬件或软件机制，确保系统在发生故障或异常情况下能够自动复位，恢复正常工作。它通常用于嵌入式系统、微控制器、和处理器中，防止系统长时间挂起或进入无法响应的状态。

看门狗的工作原理

看门狗电路中有两个重要的信号：

时钟输入信号：这是由 CPU 或微控制器周期性发送给看门狗的信号，通常被称为“喂狗”信号。这个信号的作用是告诉看门狗系统正在正常运行。
复位输出信号：如果看门狗在设定的时间内没有收到“喂狗”信号，它就会认为系统出现了故障，并会发出复位信号，重新启动 CPU 或系统。

例子说明

假设你设计了一款嵌入式设备，比如一个智能门锁系统。这个系统内的微控制器控制着门锁的开启和关闭，并与外部传感器、键盘等通信。由于电磁干扰、软件错误或意外的操作，系统可能会出现故障，导致系统挂起或无法响应用户输入。

在这种情况下，如果没有看门狗电路，门锁系统可能会一直处于故障状态，无法恢复。用户可能会被困在门外或者门内，导致严重问题。

引入看门狗电路：在系统设计中加入一个看门狗模块。微控制器在正常工作时，每隔一段时间会发送“喂狗”信号给看门狗模块。只要这个信号持续发送，看门狗模块就不会做任何事情。

但是，如果系统出现故障，微控制器由于某种原因没有发送“喂狗”信号，看门狗会在设定的时间（比如1秒）内没有接收到信号，认为系统发生了故障。此时，看门狗会输出一个复位信号，强制重新启动微控制器，使系统恢复到初始状态。

总结

看门狗的作用是确保系统在发生不可预见的故障时能够自动复位，避免系统长时间挂起或失去响应。它通过监控CPU的“喂狗”信号来判断系统是否正常运行，如果没有接收到信号，便会输出复位信号，重新启动系统。

28、请列举三种典型的 ESD 模型。

人体模型（HBM）、机器模型（MM）、带电器件模型（CDM）。

陈氏理解

ESD（Electrostatic Discharge，静电放电）模型是用于模拟电子器件在制造、运输、装配和使用过程中可能遇到的静电放电事件的标准化测试模型。这些模型帮助工程师评估电子元器件对静电放电的敏感度，并确保它们能够在实际使用环境中避免因静电引起的损坏。

常见的三种ESD模型

人体模型（HBM - Human Body Model）
- 概念: 人体模型模拟的是人在接触电子元器件或设备时，身体中的静电通过手指或工具放电到元器件的情形。这种模型是最常用的ESD测试模型。
- 测试方法: 在测试中，元器件会通过一个带有电阻和电容的电路接收静电放电，该电路模拟人体和物体的等效电阻和电容。
- 参数: 一般电阻为1500欧姆，电容为100皮法（pF），放电电压可从数百伏到数千伏不等。
机器模型（MM - Machine Model）
- 概念: 机器模型模拟的是生产设备或机械在接触电子元器件时发生的静电放电。由于机器和设备与电子元器件的接触通常更为直接，这种放电往往更为激烈。
- 测试方法: 在测试中，元器件会通过一个低阻抗的电路接收静电放电，该电路模拟机械设备的电阻和电容。
- 参数: 机器模型的电阻为0欧姆，电容为200皮法（pF），由于电阻较小，放电电流会更大，但持续时间较短。
带电器件模型（CDM - Charged Device Model）
- 概念: 带电器件模型模拟的是元器件自身带电，然后接触到导电体时的放电情况。这种模型特别适用于高密度集成电路，因其往往在制造或测试过程中容易积累电荷。
- 测试方法: 在测试中，元器件首先被充电，然后迅速接地或与另一导电体接触，模拟实际操作中可能发生的放电情况。
- 参数: CDM放电没有明确的电阻和电容定义，因为它模拟的是元器件自身的电荷积累和放电情况。