Nandflash和Norflash区别

Nandflash和No人flash最大区别:
(1)容量的大小:Norflash容量小,约有64K~2M,Nandflash,约128M~256G。
(2)因此Norflash一个地址对应一个空间,可直接访问,Nandflash无法直接访问
(3)Nandflash容易有坏块,需要通过软件格式化
(4)价格上Norflash>Nandflash


Intel总结:
擦除和编程的区别:
Flash编程原理都是只能将1写为0,而不能将0写成1.所以在Flash编程之前,必须将对应的块擦除,而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程,块内的所有字节变为0xFF.因此可以说,编程是将相应位写0的过程,而擦除是将相应位写1的过程,两者的执行过程完全相反


(1)闪存芯片读写的基本单位不同
       应用程序对NorFlash芯片操作以“字”为基本单位.为了方便对大容量NorFlash闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或64KB的逻辑块,有时块内还分扇区.读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移.应用程序对NandFlash芯片操作是以“块”为基本单位.NAND闪存的块比较小,一般是8KB,然后每块又分成页,页大小一般是512字节.要修改NandFlash芯片中一个字节,必须重写整个数据块.
(2)NorFlash闪存的可靠性要高于NandFlash闪存,是因为NorFlash型闪存的接口简单,数据操作少,位交换操作少,因此可靠性高,极少出现坏区块,一般用在对可靠性要求高的地方.NandFlash型闪存接口和操作均相对复杂,位交换操作也很多,关键性数据更是需安错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法来确保数据的完整性,因此出现问题的几率要大得多,坏区块也是不可避免的,而且由于坏区块是随机分布的,连纠错也无法做到.


(3)NANDFlash一般地址线和数据线共用,对读写速度有一定影响;NORFlash闪存数据线和地址线分开,相对而言读写速度快一些.NANDFlash和NORFlash芯片的共性


        首先表现在向芯片中写数据必须先将芯片中对应的内容清空,然后再写入,即先擦后写.只不过NORFlash芯片只用擦写一个字,而NAND需要擦写整个块.其次,闪存擦写的次数都是有限的.当闪存使用接近使用寿命时,经常会出现写操作失败;到达使用寿命时,闪存内部存放的数据虽然可以读,但不能再进行写操作了.所以为了防止上面问题的发生,不能对某个特定的区域反复进行写操作.通常NANDFlash可擦写次数高于NORFlash芯片,但是由于NANDFlash通常是整块擦写,块内的页面中如果有一位失效整个块就会失效,而且由于擦写过程复杂,失败的概率相对较高,所以从整体上来说NOR的寿命较长.
        另一个共性是闪存的读写操作不仅仅是一个物理操作,实际上在闪存上存放数据必须使用算法实现,这个模块一般在驱动程序的MTD'(Memory Technology Drivers)模块中或者在FTLZ (Flash Translation Layer)层内实现,具体算法和芯片的生产厂商以及芯片型号有关系.通过比较可以发现,NAND更适用于复杂的文件应用,但是由于NAND芯片的使用相对复杂,所以对文件系统有较高的要求.
(4)读写性能对比 
       写操作:任何flash器件的写入操作都只能在空或已擦除的单元内进行.NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1.擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个擦除/写入操作的时间约为5s.擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行一个擦除/写入操作最多只需要4ms. 读操作:NOR的读速度比NAND稍快一些.
(5)NorFlash闪存是随机存储介质,用于数据量较小的场合;NandFlash闪存是连续存储介质,适合存放大的数据.
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值