(1)、接口差别:
NAND型和NOR型Flash在进行写入和擦除时都需要MTD(Memory Technology Drivers,MTD已集成在Flash芯片内部,它是对Flash进行操作的接口),这是它们的共同特点;但在NOR型Flash上运行代码不需要任何的软件支持,而在NAND型Flash上进行同样操作时,通常需要驱动程序,即内存技术驱动程序MTD。
NOR型Flash采用的SRAM接口,提供足够的地址引脚来寻址,可以很容易的存取其片内的每一个字节;NAND型Flash使用复杂的I/O口来串行的存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同,通常是采用8个I/O引脚来传送控制、地址、数据信息。
NOR型Flash操作是以“字”为基本单位,而NAND型Flash以“页面”为基本单位,页的大小一般为512字节。
NOR型Flash的地址线和数据线是分开的,传输效率很高,程序可以在芯片内部执行,NOR型的读速度比NAND稍快一些;NAND型Flash写入速度比NOR型Flash快很多,因为NAND读写以页为基本操作单位。
NAND型Flash具有较高的单元密度,容量可以做得比较大,加之其生产过程更为简单,价格较低;NOR型Flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,而NAND型Flash只是用在8~128MB的产品中,这也说明NOR主要用在代码存储介质中,NAND适合数据存储在CompactFlash、PC Cards、MMC存储卡市场上所占的份额最大。
NAND型和NOR型Flash在进行写入和擦除时都需要MTD(Memory Technology Drivers,MTD已集成在Flash芯片内部,它是对Flash进行操作的接口),这是它们的共同特点;但在NOR型Flash上运行代码不需要任何的软件支持,而在NAND型Flash上进行同样操作时,通常需要驱动程序,即内存技术驱动程序MTD。