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原理:N-mos管的栅极给高电压,漏极和源级导通
两种半导体类型
P型半导体和N型半导体,P型是空穴吸引电子,对外表现为正电,N型是游离的电子,对外表现为负电,PN结就是二极管,当P级连通电源正极,N级连通电源负极,电子受电场力作用,反向向P级移动,导通电路。
N-mos管
拿一个大的P型 和两个小的N型组装在一起,在两个N型上垫上两个金属片,一个叫做漏极,一个叫做源级,此时连通电源。
连通电源后三个半导体之间形成了两个PN结,可以看作是两个方向相反的二极管,此时电路不可能导通。接下来改进…
在两个N型之间的P部分垫上一个绝缘层和一个金属片(极管的内部结构的原理一样),再把电源正极接到金属片上,这样金属片带正电透过绝缘片吸引电子,这样两个N和这部分被吸引的电子就形成了N沟道,可以看作是一个长条的N型半导体,此时这个“N型半导体”被导通。
总结
再回到这个元器件图,栅级、源级、漏极的那一“竖”代表着金属片,中间那一“竖”代表着绝缘片,箭头指示的方向是电子流动的方向。