硬件基础_MOS管

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本节内容：MOS管

1：相关理论

1：场效应管定义

• 场效应管：英文简写FET，利用输入回路的电场效应控制输出回路电流的一种半导体器件。

2：场效应管分类

• 结型场效应管，简称JFET。
• 绝缘栅型场效应管，也称金属氧化物半导体场效应管，简称MOS-FET, 也是我们通常所说的MOS管

3：MOS管分类

• MOS管分为N沟道与P沟道两类，每一类又分为增强型与耗尽型两种，因此MOS管共有四种类型：
• N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型、P沟道耗尽型。
• 增强型：Ugs电压为零时，lds=0的管子。
  耗尽型：Ugs电压为零时，lds≠0的管子。

4：常用封装

2：增强型NMOS管

1：符号

2：输入输出特性曲线

3：输出特性曲线分析

• 开启电压 -> Ugs(th)
  预夹断轨迹 -> Ugd = Ugs(th) = Ugs-Uds -> Uds = Ugs - Ugs(th) 。
• ①夹断区 -> Ugs < Ugs(th)，此时Id = 0。
  ②可变电阻区 -> Ugs> =Ugs(th), Uds < (Ugs - Ugs(th))，此时Id随Uds的增大而增大。
  ③恒流区-> Ugs>=Ugs(th)，Uds >= (Ugs - Ugs(th))，此时ld大小仅仅取决于Ugs。

4：输入特性曲线分析

• Ugs < Ugs(th)时，Id = 0。
• Ugs > Ugs(th)时，Uds为一常量时，Ugs越大，ld越大。

5：应用说明

• 实际应用时，NMOS管常作低端驱动与开关使用，此时，MOS管工作在夹断区与可变电阻区。
• 夹断区，ld=0，此时，功率 P=IdUds=0。
  可变电阻区，Uds相对很小，功率P=IdUds相对也很小。

3：增强型PMOS管

1：符号

2：输入输出特性曲线

3：输入特性曲线分析

• 开启电压 -> Ugs(th)，为负压。
  预夹断轨迹 -> Ugd=Ugs(th)=Ugs-Uds -> Uds = Ugs - Ugs(th)。
• ①夹断区 -> |Ugs| < |lUgs(th)|，此时ld = 0。
  ②可变电阻区 -> |Ugs|> =|Ugs(th)|，|Uds| < |(Ugs - Ugs(th)，此时ld随Uds的增大而增大。
  ③恒流区 -> |Ugs|> =|Ugs(th)|, |Uds| >= (Ugs - Ugs(t))|，此时Id大小仅仅取决于Ugs。

4：输入特性曲线分析

• |Ugs| < |Ugs(th)时，Id = 0。
• |Ugs| > |Ugs(th)|时，Uds为- 常量时，|Ugs|越大，ld越大。

5：应用说明

• 实际应用时，PMOS管常作高端驱动与开关使用，此时，PMOS管工作在夹断区与可变电阻区。
• 夹断区ld=0，此时，功率P=Id*Uds=0。
• 可变电阻区，Uds相对很小，功率P=Id*Uds相对也很小。

4：寄生参数

1：寄生电容

• 如下图，由于源极S与衬底B相连，源极S、栅极G、绝缘膜刚好组成寄生电容Cgs，此电容大小为pF级别，一般般规格书可以查到。

• 使用时，要特别注意GS管脚的寄生电容Cgs，控制MOS管的导通与截止，本质上是控制Cgs电容的充放电。
• 如果要求MOS管快速导通与截止，此时需要驱动源能够提供足够大的驱动电流，以提供Cgs电容的瞬间充放电。
• 如果仅仅作为开关使用，可以串电阻，以减小Cgs的充放电电流，此时，对驱动源的要求就不高，单片机的I0口（推挽输出时，可以提供20mA的驱动电流）可以直接驱动。

2：寄生二极管

• 如下图，为NMOS管的构造，衬底B与源极S、漏极D均存在PN结，由于源极S与衬底B相连，左边的二极管无效，源极S与漏极D存在寄生二极管，方向为S指向D。

• 如果为PMOS管，衬底为N型半导体，漏极为P型半导体,源极S与漏极D同样存在寄生二极管，方向为D指向S。

• 使用时，要特别注意内部责生极管，如果接反，将导致无法关团MOS管。另外,某些场合可以巧用寄生二极管，比如做防反接使用时。

5：选型依据

①：MOS管类型

• 一般选择增强型NMOS管， 同等工艺条件下，导通电阻Ron更小，发热更低，允许通过的电流更大，型号也更多。

②：Vgs电压

• 需要考虑开启电压，驱动电压，极限电压。

③：Id电流

• 通常，尺寸越大，导通电阻Ron越小，允许的Id越大，具体手册为准。

④：Vds电压.

• 主要考虑Vds极限电压，防止击穿MOS管。

⑤：开关性能

• 如果作为开关使用，需要考虑开关速率，开关性能，主要受寄生电容的影响，因为开关过程中需要对寄生电容充放电，产生开关损耗。

⑥：品牌，封装尺寸，价格等

6：MOS管与三极管的差异

• 场效应管的栅极g，源极s，漏极d对应于晶体管的基极b，发射极e，集电极c，作用比较类似，都可以作为开关、放大使用，但结构，工作方式，性能差异较大。
• 1：场效应管只有多子参与导电，为单极性；而晶体管的多子与少子均参与导电，为双极性。
• 2：因为少子数目受温度、辐射影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。
• 3：场效应管用Ugs控制漏极电流ld，输入阻抗达10^10Ω, 栅极电流几乎为0。而晶体管工作时基极需要一定的电流。 因此， 要求输入阻抗高的电路应选用场效应管。
• 4：场效应管的电流方向可以为D到S，也可以S到D，而晶体管的电流方向只能为C到E(NPN)或E到
  C(PNP)，不能同时两个方向。

备注

• NMOS：
• 方向D至S，与寄生二极管反向，NMOS管可控。
  方向S至D，与寄生二极管同向，NMOS管不能关闭。
• PMOS：
• 方向S至D，与寄生二极管反向，PMOS管可控。
  方向D至S，与寄生二极管同向，PMOS管不能关闭。

7：产品应用

1：NMOS管用于防反接保护

• 1：巧妙利用内部寄生二极管。上电时,，通过内部寄生二极管，Vgs电压大于Vth电压， NMOS管完全导通。
• 2：R87，R88，电阻分压，调整Vgs电压，Vgs电压尽量大，这样，Ron越小，压降越小，损耗越低。
• 3：D25, 稳压二极管，防止Vgs电压超过极限电压。

2：PMOS管用于防反接保护

• 1：巧妙利用内部寄生二极管。上电时，通过内部寄生二极管，|Vgs|电压大于|Vth|电压，PMOS管完全导通。
• 2：R29，R31：电阻分压，调整|Vgs|电压，|Vgs|电压尽量大，这样，Ron越小， 压降越小，损耗越低。
• 3：D5、稳压二极管，防止|Vgs|电压超过极限电压。

3：NMOS管用于低端开关

• 1：R14起到限流作用，单片机输出高电平时，通过R14给Cgs电容充电，U7导通;单片机输出低电平时，Cgs电容通过R14放电，U7截止。
• 2：由于单片机输出电压没有超过Vgs的运行电压，GS端不需要并电阻到地。

4：PMOS管用于高端开关

• 1：如果VIN电压小于单片机I0口电压，可以去掉U6,直接控制U5。
• 2：R10, R12:电阻分压，调整Vgs电压，|Vgs|电压尽量大,这样，Ron越小， 压降越小，损耗越低。
• 3：R12同时起到限流作用，U6导通时，Cgs寄生电容通过R12充电，避免过大的充电电流流过U6，出现大批量生产时，MOS管被击穿的现象。
• 4：R16同样起到限流作用，单片机输出低电平时，Cgs寄生电容通过R16放电，避免过大的放电电流流过单片机的I0口，出现大批量生产时，单片机I0口被击穿的现象。
• 5：F2是PTC可恢复保险丝，启动限流、短路保护的作用。

5：PMOS管作为BUCK降压电路的开关管

6：MOS管构成H全桥驱动电机