MOS晶体管基础知识（1）mos管结构

      在整个IC行业中，mos管的使用是很常见且基础的，相比于BJT三极管，mos管更易集成，功耗更低，但驱动能力没有BJT好。在超大规模集成电路里，mos管是作为核心器件和主流器件，也是重要的功率器件。在理解整个mos管工作原理之前，理应理解mos管的结构（这一点是更重要的，因为会涉及到许多寄生器件，后期会讲到的），器件的结构决定性质，有好的也有不理想的相互牵制（这一点我在工作之中受益匪浅）。什么是MOSFET？是metal oxide semiconductor field effect transistor，金属-氧化物-半导体场效应晶体管。如图1所示，MOSFET的透视图（直接套用教材的图，非诚勿扰🙊。是考验大家的想象力的时候了，考研必考，也可以去某🆎站上看动态图），

 

图1

      在整个基本工艺上的话大致是这样的一个过程：以NMOS管为例，在P型硅上生长出一层致密的二氧化硅（PMOS管在N型硅上做，原因是因为这样才可以形成强反型层，达到开断的效果，同时减小寄生效应）；光刻磷扩散窗口；磷扩散生成两个N+区（离子注入），形成源极（source）和漏&