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目录
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2.1半导体物理基础
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1.本征半导体
- 纯净的单晶半导体。
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2.本征激发
- 吸收外界能量,本征半导体中一部分价电子脱离共价键舒服成为自由电子留下空穴。
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3.复合
- 自由电子填入空穴释放能量,消失一对载流子。
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4.N型半导体和P型半导体
- 在本征半导体中掺入五价元素的原子形成N型半导体。
- 在本征半导体中掺杂三价元素的原子形成P型半导体。
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5.半导体电流由漂移电流与扩散电流组成。
- 漂移电流:在电场的作用下,自由电子逆着电场方向漂移,空穴顺着电场方向飘移。
- 扩散电流:载流子由于浓度差从高浓度区向低浓度区扩散。
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2.2PN结
- 正向偏置:使P区的电位高于N区的电位。耗尽区变窄
- 正向偏置导通,反向偏置阻断。
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PN结的击穿特性
- 轻掺杂:雪崩击穿。
- 重掺杂:齐纳击穿
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PN结电容
- 势垒电容、扩散电容
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2.3晶体二极管
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1.二极管的结构与分类
- 半导体二极管是由一个PN结加上管壳封装与相应的电极引线组成,P区引出的电极为阳极,N侧为阴极
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二极管的分类
- 按材料不同,二极管可分为硅管和锗管;
- 按用途不同,可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管等;
- 按结构不同,可分为点接触型、面接触型和平面型。
- 点接触:适用于高频电路和小功率整流或开关元件
- 面接触:适用于低频整流
- 平面行:适用于脉冲数字电路做开关管
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2.二极管的伏安特性
- 伏安特性方程
- Is为反向饱和电流,UT≈26mV
- U(on):硅管≈0.6~0.7V,锗管=0.2~0.3V
- 对温度敏感:温度升高,正向特性曲线左移,反向特性曲线下移。
- 伏安特性方程
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3.二极管的电阻
- 直流电阻:直流电压➗直流电流
- 交流电阻:
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4.二极管的近似伏安特性和简化电路模型
- (a)理想二极管(b)交流电阻为0(c)一般二极管
- (a)理想二极管(b)交流电阻为0(c)一般二极管
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5.稳压二极管
- 稳压二极管在击穿状态下工作。
- 工作电流Iz可以在较大范围内调节而稳压电压Uz几乎不变
- 最大功率Pm:超过此功率稳压管烧坏
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2.4双极型晶体管
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1.晶体管的结构
- 是由两个PN结组成的元器件,分为PNP和NPN两种类型,它的三端分别称为发射极e、基极b和集电极c。
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2.晶体管的电流放大作用
- α为共基极交流电流放大倍数,β为共发射极交流放大倍数
- α为共基极交流电流放大倍数,β为共发射极交流放大倍数
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3.晶体管的伏安特性
- 输出特性:(NPN)
- 截止区:发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置
- 放大区:发射结正向偏置且集电结反向偏置
- 饱和区:发射结与集电结均为正向偏置
- 输出特性:(NPN)
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2.5场效应管
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1.结型场效应管(JFET)
- 漏极D、栅极G、源极S
- 输出特性曲线(N沟道):栅-源极电压为常量时,漏极电流与漏-源电压之间的函数关系。
- 恒流区:|u(GS)|<|UGS(off)|,|u(DG)|>|UGS(off)|
- 可变电阻区:|u(GS)|<|UGS(off)|,|u(DG)|<|UGS(off)|
- 截止区:|u(GS)|>|UGS(off)|
- 转移特性曲线:漏-源电压为常量时,漏极电流与栅-源电压之间的函数关系。
IDSS为UGS=0时产生预夹断时的ID,称为饱和漏极电流
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2.绝缘栅场效应管(MOSFET)
- 输出特性曲线(增强型)
- 恒流区:|u(GS)|>|UGS(th)(开启电压)|,|u(DG)|<|UGS(th)|
- 可变电阻区:|u(GS)|>|UGS(th)|,|u(DG)|>|UGS(th)|
- 截止区:|u(GS)|<|UGS(th)|
- 转移特性曲线
- 低频跨导:
- 输出特性曲线(增强型)
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2.6晶体管和场效应管的低频交流小信号简化模型
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1.晶体管的低频交流小信号模型
UA为厄尔利电压,还需考虑rbb‘
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2.场效应管的低频交流小信号模型
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第二章 常用半导体器件原理
最新推荐文章于 2024-07-15 09:51:00 发布