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半导体器件原理chapter4

半导体器件物理 第四章： 单极型器件 §4.1 金半接触 §4.2 肖特基势垒二极管 §4.3 欧姆接触 §4.4 结型场效应晶体管 §4.5 肖特基栅场效应晶体管 §4.6 异质结MESFET 简介 单极型器件是指基本上只有一种类型的载流子参与导电过程的半导体器件。 主要讨论以下五种类型的单极型器件： 金属半导体接触(M/S SBD)； 结型场效应晶体管(JFET)； 金半(肖特基栅)场效应晶体管( MESFET)； 金属氧化物半导体二极管(MOS Diode)； 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 金半接触： 在电学性能上类似于单边突变结，但能作为具有高速响应特性的多数载流子工作器件来用。重掺杂半导体上的金半接触是欧姆接触的最重要形式。 JFET： 基本上是一个由电压控制的电阻。这种器件利用一个反向偏置的pn结作为栅电极去控制电阻，从而控制两个欧姆结之间的电流。 MESFET： 类似JFET，MESFET用金半整流接触去代替pn结作栅极。JFET和MESFET都可以用具有高电子迁移率的半导体材料制造，对于高速IC，具有非常好的优点。 其次，FET在大电流下具有负温度系数，即电流随温度的增加而减小，这个特点导致更均匀的温度分布，而且即使有源面积很大，或在许多器件并联使用时，其热稳定性也非常好。 §4.1 金属—半导体接触 第一个实用的半导体器件是由金属－半导体点接触形成的整流器，是一根金属触须压在半导体表面上构成的，这种半导体器件从1904年开始已经得到很多应用。 金属—半导体接触可形成整流器。1938年，肖特基提出，半导体内稳定的空间电荷形成的势垒可能有整流作用。由此产生的势垒模型就是所谓肖特基势垒。金属—半导体形成的结称为肖特基结。 金属—半导体接触也可能是非整流性的, 即不管所加电压极性