怎么从转移特性曲线上看dibl_半导体器件原理.ppt

* * * Semiconductor Devices (2)GaAs MESFET结构 由于GaAs材料与Si材料相比，有以下几个优点：一是电子迁移率约高五倍；二是约两倍于Si饱和速度的峰值速度；三是衬底的半绝缘性以及可制作良好的肖特基结等。所以，长期以来GaAs MESFET在高频高速器件中占据着重要地位。 (3)JFET 因为PN结的自建势高于肖特基结，PN结的热稳定性也优于肖特基结。因而JFET的逻辑摆幅大于MESFET，且抗噪声能力强。所以，GaAs JFET可用于高速低功耗电路中。 * * Semiconductor Devices (4)V型槽JFET V型槽JFET是一种非平面结构的场效应器件。 首先在P+衬底上外延生长(100)的N型外延层，以形成P+N结；接着在N型层上扩散一薄N+层，形成漏源接触区。然后采用各向异性腐蚀法，腐蚀出V型槽。槽边与水平面成54.70。因此，腐蚀深度随槽宽的不同而自动停止在不同的深度上。两边的V型槽是用于沟道间相互隔离的隔离槽，中间的V型槽是沟道槽。 由于V型槽JFET的有效沟道长度远小于栅长L，因而其导通电阻变小，跨导增大。器件工作在饱和区时，VFET的夹断点在靠近沟道的中点，而不在漏端，因此，V型槽JFET的器件性能优于平面JFET。 * * Semiconductor Devices §4.6 异质结MESFET 1．高电子迁移率晶体管 HEMT 二维电子气(2DEG)：电子或空穴在平行于界面的平面内自由运动，而在垂直于界面的方向受到限制。 在界面处形成电子势阱、反型层，作为导电沟道。 优点：载流子迁移率高，不受体内杂质缺陷散射 材料： AlGaAs/GaAs，AlGaAs/GaInAs/GaAs，AlInAs/GaZnAs/InP，SiGe/Si等。 * * Semiconductor Devices 2．基本结构 (1)用Ⅲ－Ⅴ族三元化合物Ga0.47In0.53As作有源沟道层的双异质结器件，用分子束外延技术将该半导体层生长在<100>方向的InP半绝缘衬底上，半导体层和InP衬底的晶格匹配良好，界面陷阱密度很低。顶部的Al0.48In0.52As层和铝栅形成一个肖特基势垒。ΦBn＝0.8V，沟道中的电子被限制在有源层Ga0.47In0.53As内。由于有源层迁移率和峰值速度比GaAs高，所以能获得较高的跨导和较高的工作速度。 * * Semiconductor Devices (2)肖特基势垒接触做在宽禁带材料上，如AlxGa1-xAs，是用外延方法生长在较窄禁带材料(如GaAs)上，适当控制这两种半导体材料的禁带宽度和掺杂浓度，就能在两种半导体界面上形成一个反型层。 所谓反型层，是一个少数载流子浓度高于平衡时的多子浓度的区域。(详细的将在MOS器件一章中讨论)因为反型层具有高电导率，所以从源到漏能通过大电流，当加上栅压时，反型层电导将受栅压调制而引起漏电流变化，其IV特性类似于耗尽型MESFET的IV特性。 若窄禁带材料是低掺杂的，其反型层内的迁移率将很高，这既能提高跨导，又能提高器件的工作速度和截止频率。 * * Semiconductor Devices 3．I-V模型 可与GaAs MESFET相似的过程建模。 4．C-V模型 同样类似于GaAs MESFET的C-V模型。 5．SPICE模型 一般以MOSFET模型来模拟HFET器件和 电路，比较精确。 * * Principle of Semiconductor Devices 总结与展望 GaAs材料 GaAs IC工艺 化合物半导体场效应晶体管具有高的fT(>300GHz)和快的开关速度(ps)，单片集成百万晶体管，在微波毫米波技术、A/D转换器件、高速通讯电路中有明显优势，主要应用在高速高频、高温低温高能辐射等恶劣环境下。 * * Principle of Semiconductor Devices 总结与展望 发展方向：宽带隙半导体、新器件原理，不在于缩小器件尺寸，而是开发、集成不同材料系统，发明新器件原理，将FET、双极、光电子技术集成。 新型化合物FET，宽带隙器件如金刚石、ZnSe、SiC、GaNZnO等，以及异维器件(hetero dimensional devices)2D、3D，毫米波器件，高速超低功耗集成电路。 与常规硅基电路集成，更低功耗更低成本更低噪声 与InP基光电子器件进行集成兼容，衬底昂贵易碎 GaN基HFET，大功率、高温应用领域 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * Semiconductor Devices (2)频率参数 JFET的频率参