1、弱电照明灯控制
1.1、模块概述
- 目的:通过主芯片的I/O控制照明灯的开关状态。
1.2、功能描述
- 控制逻辑:I/O口输出高电平(+5V)时,照明灯亮;输出低电平时(0V)时,照明灯灭。
1.3、组件与测试点
- A点:主芯片I/O口输出。
- B点:三机管TR2的控制电压测试点。
- C点:负载(照明灯板)的控制电压
1.4、关键组件
- TR1:接收A点信号,控制TR2基极电压。
- TR2:功率三极管,控制+12V电源流向照明灯板。
1.5、电路工作逻辑
- 高电平:TR1导通,TR2导通,照明灯亮。
- 低电平:TR1截止,TR2截止,照明灯灭。
1.6、电路分析说明
照明灯的控制完全由主芯片的1/0口的输出来控制,当 I/O口输出高电平(+5V)时,三极管TRI导通,TR2基极电压低于发射极而高于集电极,因此TR2导通,+12V由发射极经过集电极,为照明灯板提供正电压,电源流经灯板回到CON1负极,照明灯亮。
当1/0口输出低电平(0V)时,三极管TRI截止,TR2基极电压与发射极相同,因此TR2也截止,照明灯板不工作,照明灯灭。
2、缓冲电路
2.1、电路分析说明:
- 当A为高电平时,三极管1导通,所以输出B点跟发射极电平相同,为低电平;因为B为低电平,所以三极管2截止,输出C为高电平。
- 当A为低电平时,三极管1截止,所以输出B点为高电平;因为B为高电平,所以三极管2导通,输出C为低电平。
3、缓冲电路+电平转换
3.1、电路分析说明:
- PQ27控制脚为高电平,PQ27导通,所以其漏极为低电平,右侧的mos管处于截止状态,所以输出为高电平。
4、晶体管作为高速开关管
4.1、低速开关电路的缺点
- 随着输入信号频率的增加(如1MHz的方波),输出电压的波形会发生失真,不再呈现标准的方波形状。
- 这种波形失真的原因是三极管在导通状态下,其基区会积累电荷,这可以类比为一个充电的电容(CBE)。
- 当输入信号从高电平切换到低电平时,这些积累的电荷需要通过特定的回路释放,形成一个RC放电回路。
- 放电回路中的R代表R2与R3的并联值,基区中存储的电荷越多,放电时间越长,导致三极管从饱和状态切换到截止状态所需的时间增加。
- 对于高速开关电路而言,这种长放电时间会导致响应速度变慢,影响电路的整体性能。
4.2、优化方案一:电容辅助快速放电方案
- 在优化方案1中,为了加快基区电荷的消除速度,我们采用了在基极串联电阻R2两端并联一个小电容的策略。这个设计改进的目的是在输入信号从高电平切换到低电平时,能够更有效地清除基区的电荷,从而提高电路的开关速度。
- 当输入信号为高电平“H”时,电容C开始充电,其极性为左正右负。这个充电过程有助于基区电荷的积累。然而,当输入信号切换为低电平“L”时,电容C开始放电,这相当于在基极施加了一个负电压。这个负电压的作用是加速抵消基区内的电荷,从而缩短三极管从饱和状态切换到截止状态所需的时间。
- 此外,由于电容C的存在,它可以在一定程度上旁路基极串联电阻R2,这相当于减小了放电常数,进一步加快了基区电荷的消除速度。这种优化设计有助于提高电路在高速开关应用中的性能。
4.3、优化方案二:用肖特基二极管并联在三级管的集电结
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肖特基二极管(SBD)简介
- SBD是一种特殊的二极管,也称为肖特基势垒二极管。它不同于普通的二极管,其单向导通特性不是由P型半导体与N型半导体接触形成的PN结决定的,而是由金属与半导体接触形成的。
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SBD的工作原理
- 当输入为高电平“H”时,SBD的电容充电极性为左正右负;
- 当输入切换为低电平“L”时,相当于在基极施加了一个负压至三极管的发射结,可以加速抵消基区电荷。
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SBD的应用优势
- SBD具有较高的耐压能力和较低的漏电电流,适用于高频、高速电路应用。
- 其独特的充电极性使得其在某些应用场景中可以发挥特定的作用,例如在需要快速充电或放电的场合。
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高速开关电路内容拓展
- 三极管与肖特基二极管的组合称为肖特基箝位晶体管(Schottky-clamped transistor, SCT)。
- 这种组合主要应用在高速数字逻辑电路中,在74系列逻辑电路中很常见。