晶体管作为开关管的实际应用--三人行学习笔记

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1、弱电照明灯控制

1.1、模块概述

• 目的：通过主芯片的I/O控制照明灯的开关状态。

1.2、功能描述

• 控制逻辑：I/O口输出高电平（+5V）时，照明灯亮；输出低电平时（0V）时，照明灯灭。

1.3、组件与测试点

• A点：主芯片I/O口输出。
• B点：三机管TR2的控制电压测试点。
• C点：负载（照明灯板）的控制电压

1.4、关键组件

• TR1：接收A点信号，控制TR2基极电压。
• TR2：功率三极管，控制+12V电源流向照明灯板。

1.5、电路工作逻辑

• 高电平：TR1导通，TR2导通，照明灯亮。
• 低电平：TR1截止，TR2截止，照明灯灭。

1.6、电路分析说明

照明灯的控制完全由主芯片的1/0口的输出来控制，当 I/O口输出高电平(+5V)时，三极管TRI导通，TR2基极电压低于发射极而高于集电极，因此TR2导通，+12V由发射极经过集电极，为照明灯板提供正电压，电源流经灯板回到CON1负极，照明灯亮。
当1/0口输出低电平(0V)时，三极管TRI截止，TR2基极电压与发射极相同，因此TR2也截止，照明灯板不工作，照明灯灭。

2、缓冲电路

2.1、电路分析说明：

• 当A为高电平时，三极管1导通，所以输出B点跟发射极电平相同，为低电平；因为B为低电平，所以三极管2截止，输出C为高电平。
• 当A为低电平时，三极管1截止，所以输出B点为高电平；因为B为高电平，所以三极管2导通，输出C为低电平。

3、缓冲电路+电平转换

3.1、电路分析说明：

- PQ27控制脚为高电平，PQ27导通，所以其漏极为低电平，右侧的mos管处于截止状态，所以输出为高电平。

4、晶体管作为高速开关管

4.1、低速开关电路的缺点

• 随着输入信号频率的增加（如1MHz的方波），输出电压的波形会发生失真，不再呈现标准的方波形状。
• 这种波形失真的原因是三极管在导通状态下，其基区会积累电荷，这可以类比为一个充电的电容（CBE）。
• 当输入信号从高电平切换到低电平时，这些积累的电荷需要通过特定的回路释放，形成一个RC放电回路。
• 放电回路中的R代表R2与R3的并联值，基区中存储的电荷越多，放电时间越长，导致三极管从饱和状态切换到截止状态所需的时间增加。
• 对于高速开关电路而言，这种长放电时间会导致响应速度变慢，影响电路的整体性能。

4.2、优化方案一：电容辅助快速放电方案

- 在优化方案1中，为了加快基区电荷的消除速度，我们采用了在基极串联电阻R2两端并联一个小电容的策略。这个设计改进的目的是在输入信号从高电平切换到低电平时，能够更有效地清除基区的电荷，从而提高电路的开关速度。

• 当输入信号为高电平“H”时，电容C开始充电，其极性为左正右负。这个充电过程有助于基区电荷的积累。然而，当输入信号切换为低电平“L”时，电容C开始放电，这相当于在基极施加了一个负电压。这个负电压的作用是加速抵消基区内的电荷，从而缩短三极管从饱和状态切换到截止状态所需的时间。
• 此外，由于电容C的存在，它可以在一定程度上旁路基极串联电阻R2，这相当于减小了放电常数，进一步加快了基区电荷的消除速度。这种优化设计有助于提高电路在高速开关应用中的性能。

4.3、优化方案二：用肖特基二极管并联在三级管的集电结

• 肖特基二极管（SBD）简介

  • SBD是一种特殊的二极管，也称为肖特基势垒二极管。它不同于普通的二极管，其单向导通特性不是由P型半导体与N型半导体接触形成的PN结决定的，而是由金属与半导体接触形成的。

• SBD的工作原理

  • 当输入为高电平“H”时，SBD的电容充电极性为左正右负；
  • 当输入切换为低电平“L”时，相当于在基极施加了一个负压至三极管的发射结，可以加速抵消基区电荷。

• SBD的应用优势

  • SBD具有较高的耐压能力和较低的漏电电流，适用于高频、高速电路应用。
  • 其独特的充电极性使得其在某些应用场景中可以发挥特定的作用，例如在需要快速充电或放电的场合。

• 高速开关电路内容拓展

  • 三极管与肖特基二极管的组合称为肖特基箝位晶体管（Schottky-clamped transistor, SCT）。

  

  • 这种组合主要应用在高速数字逻辑电路中，在74系列逻辑电路中很常见。