三级管功放电路设计及参数选择

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前言

三极管我们都很熟悉了，特别常用的元件，和二极管一样，是模拟电路中的基础元件，是我们必须要学好的东西。项目要求对一个中高频信号进行功率放大，最初我选择了Gail-74功放，这个功放很不错，唯一的缺点就是输入信号的功率必须很小才能实现无失真放大功率。而且功放的增益不能自由更改，所以我打算用三极管搭建一个功率放大电路。

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一、三极管是什么？

三极管和FET是只具有“放大”的单功能器件。不少人会有错觉是信号进入三极管或FET中，输入信号直接地被放大。而实际上是大小与输入信号成正比的输出信号可以认为是从电源来的，由电源来的输出信号形状与输入信号相同，而且比输入信号的电平高，所以从外部看上去，可以看成输入信号被“放大”。

二、三级管使用

1.共基极、共发射极、共集电极电路

三极管最常用的其实就是共发射极电路和共集电极电路，共基极电路的高频特性好很多。

图1 共发射极放大电路

图2 共集电极电路

图3 共基极电路

共射放大电路既能放大电流又能放大电压，输出与输入反相；输出电阻较大，频带较窄，常用作低频电压放大电路的单位电路。
共集电极放大电路只能放大电流不能放大电压，输出与输入同相（只差一个Vbe导通压降），输入电阻大，输出电阻小，常用作电压跟随器使用。

以上两种电路的频率特性不好是由于密勒效应，是三极管伴生的结电容放大了很多倍，使输入电容增大，输入电容与电阻形成低通滤波器，造成高频衰减，频率特性变差。

共基极放大电路，输入在发射极，输出在集电极，没有电流放大能力，只有电压放大能力，同时它的输入电阻小，电压放大倍数、输出电阻与共射电路相当，高频特性很好，常用在高频放大领域。

这种电路频率特性好的原因是由于基极电位固定，发射极电位固定，发射极交流等效接地（可类比运放的虚地），这样发射极交流等效接地，即使由于密勒效应导致输入电容Ci很大，也不会形成低通滤波器造成高频衰减。

为了验证这种想法，我们可以在发射极—GND间接上电容，如果晶体管的输入电容Ci与Re形成低通滤波器，那么我们在发射极和地之间接入电容也应该可以形成低通滤波器，这样在输出端不应该出现高一点频率的信号。但结果是，我们即使在输入端接入电容到地，输出也还是会有信号，这样说明发射极确实是交流等效接地，不会与晶体管的输入电容Ci形成低通滤波器。

图4 共基极放大电路输入端串接电容到地

2.功率放大电路

前边三种电路我都没有仔细讲，在这里仔细讲一下，电路的电阻电容怎么计算值，怎么设计出你想要的电路。如图5，我这里采用共射极放大电路匹配推挽式射极跟随电路进行功率放大。共射极放大电路进行电压电流放大，同时信号会反相，射极跟随器负责电流放大，同时也会降低输出阻抗，让整个电路的带载能力更强。三极管Q2的作用就是偏置整个电路，让Q1和Q3处于微导通的状态，这样就不会出现交越失真。C15的作用就很明显了，Q2的作用就是提供直流偏置，C15为交流信号提供了不一样的通路，会叠加在直流偏置上，保证了流经Q1的信号和流经Q2的信号只有偏置电压不一样，其他都一样。那么整个电路到底怎么设计呢，首先，你得知道你的目标信号出来是什么样子的。

图5 功率放大电路

你假如想要接一个8Ω的负载，让它的功率达到500mW，这样我们知道了目标，就可以根据需要知道我们接多大的电路电源。输出信号的电压Vo为：

我们这样算出的是有效值，如果我们输入的信号是正弦波，则输出波形的峰-峰值为
我们前期说过输出信号不是从三极管内部放大的，而是电源输出了一个与输入信号波形一样的信号。所以电源电压要大于输出信号的波形，考虑到电源在电路中会有数伏的损失，以及各级电阻上产生的压降，这里选用常用电源15V（单电源）。

接下来就是设计共发射极放大电路的工作点了，我们需要知道共发射极放大电路的集电极电流要满足输出时，会是多大的电流。我们之前算出输出的峰峰值为5.7V，那么它的峰值电压约为2.8V，那此时负载电流是2.8V/8Ω=350mA，那也就是Q1或Q3的集电极电流为350mA，知道了集电极电流，我们可以对照数据手册看一下你选的三极管在Ic为350mA时，对应的hfe为多少，这里为了方便计算，hfe为100，那么推挽射极跟随电路的基极电流为3.5mA,也就是说前一级的共射级放大电路需要为后级提供这么大的电流，但实际上共射放大电路提供的电流要比这个大的多，一般大一个量级，这里设为20mA，所以Q4要选择集电极电流在20mA以上，集电极-基极电压与集电极-发射极的电压在15V（电源电压）以上。

由于三极管的Vbe受温度影响较大，会有一个-2.5mV/℃温漂，如果不处理的话，会严重影响输出信号的质量。这里给Q4的发射结设置一个偏置电位，设置为2V，这样大的偏置电位即使有微小的电位波动，也不会影响信号的质量。（可类比快满的杯子滴一滴水进去，和一个快满的大缸滴一滴水的效果）所以发射基的电阻就可以计算出来了，2V/20mA=100Ω。这里将100Ω分成两个部分，R10和R11，R11并接旁路电容C21。这样做的好处是，直流工作点不会改变，但交流信号时，就会从电容C21流过，这样发射极的电阻就会变小，会使整个电路的放大倍数增大。

说完了Q4的发射极电位设置，我们再说一下Q4集电极电位设置，这个电路的电源电压为15V，发射极电位2V，那么输出信号只能在15V~2V的范围内活动，我们需要将集电极的电位设置在这个范围的中间位置，这样才能最大程度的获得完好的输出信号，如图6所示，这就靠集电极的电阻R3，这里将R3分为R1和R2.集电极的电流为20mA，由R3产生6.5V的压降，所以R3=6.5V/20mA=330Ω。这里使R1和R2的和为330Ω。这里将输出信号经过C9接在这两个电阻之间，是采用自举的方法。因为输出信号和Q1基极的信号同相，且只是偏置电位不一致，这样R2两端的压差是不变的，我们可以近似的看作是恒流源，阻抗很大，这样可以解决放大倍数不够以及电路由于厄雷效应导致的电流较小信号失真的问题。当然这样也是有局限的，不能代替真正的电流源，所以放大倍数需要更多的时候需要更加精准的电流源电路。Q4的基极电位设置为2V+0.6V=2.6V，设Q4的hfe为300，则Q4的基极电流为0.06mA，那流过R3，R6，R9的电流要比它大的多这里设置为0.5mA，可以计算出R3+R6=24KΩ，R9=5.6KΩ。，输入阻抗就是24KΩ//5.6KΩ，输入侧的电容和输入阻抗组成高通滤波器，我们设置截止频率为20Hz以下，我们取值为10μF。

图6 集电极电位设置图

中间的Q2 是为了产生偏置电压，抵消交越失真而设置的，Q4的集电极电流为20mA，我们假设Q2的hfe为100，那么基极电流为0.2mA，那么流经R4的电流要比它大的多（大一个量级）为2mA，这样Q2的集电极电流为18mA，这样也是没关系的，R8和R4的电压要抵消Q1和Q2的Vbe压降，所以R8的电位设置为0.6V，这样R8电阻值设为300Ω，R4的话比它大一些，设为470Ω，这样Q2的压降略大于Q1基极和Q2基极间的压降，就会使整个部分处于微导通的状态。

Q1和Q3的发射极端加了两个电阻和Q4的发射极加电阻的道理一样，为了抵消三级管的温漂影响。这里的阻值也不能设置太大，因为这里要流过很大的电流，阻值太大会产生很大的功率，有可能损坏电阻。以此列举例，图6给出这个电路的输出最大可以有±6.5V的输出。我们按照这个极限值，计算一下在8Ω的负载，会出现最大800mA（=6.5V/8Ω）的电流，那也就是说Q1和Q3我们要挑选集电极最大电流可以800mA以上的电流。**当输出波形为正弦波形时，在推挽射极跟随器中，每一个晶体管的集电极损耗Pc的最大值为最大输出功率的1/5.（是有理论依据的，我只是记住这个结论了）**这个电路的最大输出电压为有效值4.6Vrms（6.5V/1.414），所以最大输出功率为2.65W（=4.6V×4.6V/8Ω），Q1和Q3的Pc最大值为其1/5，即0.53W。所以我们要挑选集电极电流在800mA 以上，集电极-基极间电压与集电极-发射极间电压在15V以上，Pc在0.53W以上的配对互补二极管。那发射极加的电阻阻值大小呢，阻值大了，不止电阻本身的功耗大，而且导致输出阻抗也会大，带载能力就会减弱，这里选用两个0.5Ω的电阻。那么其中任何一个的功率消耗为0.16W（=（800mA/1.414)×（800mA/1.414)×0.5Ω），所以我们只要选用额定功率为1/4W的电阻就可以了，1206封装的电阻就满足了。

除此之外，我们要调整R4的阻值，使R5和R7间的压降在没有信号输入的情况下为30mV，降低空载时的功耗和发热。

说一说实际使用中要注意的，除了以上的问题，Q1和Q3要使用型号配对的管子，分离的管子，即使型号配对，但不是一起生产出来的，也会不理想。这里推荐使用孪生配对管，一个封装里边有NPN和PNP配对管，这样在一个封装里生产的参数可以做的很好，出来的信号质量也会好很多，其次在一个封装里还可以温度补偿。其次要将Q1、Q2和Q3用散热片进行热耦合，使它们温度变化同步，让射极跟随器一直处于微导通的状态。所有三极管的发射极电阻要离三极管很近，使温度上升同步，抑制三极管的温漂。此外放大倍数由于本征电阻的影响，以及自举电路的加入，只能算出一个大概的放大倍数，实际会出入大一些。后期可以通过调整R2和R11的值来改变放大倍数，注意前边计算的电阻值之和不能变。

三极管的很多电路都可以按照这种方法进行设计。

3.三极管其他应用

三极管还有很多其他常用的电路，我们之前介绍的线性稳压器，就可以用三极管搭建出来。还有之前介绍的运放，运放的前级为差动放大电路，也由三极管搭建。还有电流源，电流镜电路，都是三极管常用的电路。不过大多数情况下，大家使用都只是当作电子开关使用。

4.三极管状态判断

三极管有三个状态，为截止、放大、饱和状态。截止状态就是集电极几乎没有电流流过，放大状态是将基极电流I b放大 β，IC= βIb，IC和Ib之间呈线性关系，实现了电流放大。饱和状态是Ib增大也不会使IC增大，不再呈现线性关系。
那我们讲二极管的时候说过，在PN结中，P端接电源正极，N端接电源负极为正偏；在PN结中，P端接电源负极，N端接电源正极为反偏。
那么以NPN型晶体管举例：
发射极正偏，集电极反偏,三极管处于放大状态；
发射极正偏，集电极正偏，工作在饱和区；
发射极反偏，集电极反偏，工作在截止区

三、三级管参数

VCBO ：集电极-基极电压，这是必须要考虑的，上面有说。
VCEO：集电极-发射极电压，这是必须要考虑的，上面有说。
VEBO：发射极-基极电压
IC：DC直流电流
ICM：集电极峰值电流，这是必须要考虑的，上面有说。
Ptot：总耗散功率，在设计的时候要考虑这一点，不能超过这个值。
hFE：直流增益，设计时候可以参考用，IC不同，这个值也不同。
VCE(sat)：集电极-发射极饱和电压，电流不同，这个值也不同。
VBE：基极-发射极电压，不同电流这个值也不同。
fT：特征频率，与IC电流相关，设计时要考虑这一点，你设置的电流对应的特征频率必须远大于你的信号（密勒效应导致三极管高频不好），在选择时要结合噪声特性曲线，挑选电流IC。
在设计电路的时候一定要考虑封装，一些参数在考虑的时候要留出一定的裕量，选择三极管型号封装的时候要比你电路设计的极限值大一些。

总结

三级管是流控型器件，必须有基极电流才可以驱动，这样会有没必要的功耗消耗，但三级管的耐压值做到很高。FET是压控型器件，栅极电流几乎没有，这样能量消耗很小，功耗很小，但它的耐压值不高，不耐高压。那么在高压场景下，单独用三极管，三极管的功耗大的吓人，FET又不耐高压，IBJT管的就是结合了这两个管子的优点造出的，耐高压，功耗不大，唯一缺点就是频率不能太高，使用时可以综合考虑。

本篇就是简单的介绍了三极管的电路设计和设计时需要考虑的参数，后续有机会的话可能会讲讲三极管搭建电流镜和差动放大电路。好了就这些，如果大家看的有什么问题，欢迎提出。觉得不错的可以点个赞哦，你的鼓励就是我更新的最大动力。