Memory Array

Memory Array

首先，我们在不考虑形式的情况下，最简单的组织方式，就是在一个 Bitline 上，挂接更多的 Cells，如下图所示：

在实际制造过程中，我们并不会无限制的在 Bitline 上挂接 Cells。因为 Bitline 挂接越多的 Cells，Bitline 的长度就会越长，也就意味着 Bitline 的电容值会更大，这会导致 Bitline 的信号边沿速率下降（电平从高变低或者从低变高的速率），最终导致性能的下降。为此，我们需要限制一条 Bitline 上挂接的 Cells 的总数，将更多的 Cells 挂接到其他的 Bitline 上去。

从 Cell 的结构图中，我们可以发现，在一个 Cell 的结构中，有两条 Bitline，它们在功能上是完全等价的，因此，我们可以把 Cells 分摊到不同的 Bitline 上，以减小 Bitline 的长度。

 当两条 Bitline 都挂接了足够多的 Cells 后，如果还需要继续拓展，那么就只能增加 Bitline 了，增加后的结构图如下：

 按照上述的过程，不断的增加 Cells 的数量，最终可以得到一个 m x n x w 的 Memory Array

Memory Bank

随着 Bitline 数量的不断增加，Wordline 上面挂接的 Cells 也会越来越多，Wordline 会越来越长，继而也会导致电容变大，边沿速率变慢，性能变差。因此，一个 Memory Array 也不能无限制的扩大。

为了在不减损性能的基础上进一步增加容量，DRAM 在设计上将多个 Memory Array 堆叠到一起，如下图所示：