StarRC寄生参数提取流程详解

    starrc工具从集成电路版图数据中提取寄生参数，如电阻、电容和电感等。使用starrc工具可以生成寄生参数文件用于多种类型的分析，如时序分析，噪声分析，电源分析。Starrc提取的寄生参数比PR工具更准确，同时也可提取metal FILL的寄生电容等信息，为签核标准。

1、Starrc主要特征

1. 全芯片的寄生参数提取用于时序，噪声、电信号分析
2. 支持晶体管或门级提取
3. 支持展平或者层次化提取
4. 有能力进行早期设计的分析，如开路、短路或者其他的设计规则违例
5. 支持快速ECO设计寄生提取，只分析相对于参考设计修改的部分线路
6. 支持多corner同步提取
7. 支持FinFet及Double multiple patterning processes

2、寄生参数提取流程

根据输入设计文件以及工艺厂商提供的NXTGRD文件等，进行寄生参数提取。主要有以下应用：

        1、门级提取

         门级寄生参数提取通常用于全芯片的静态时序分析，主要用于半定制数字集成电路。默认情况下单元被认为是skip cell，不提取单元内部线网的寄生参数。

        2、晶体管级提取

        晶体管级提取会提取单元内部晶体管级的寄生参数，需要用到LVS的相关数据。

        3、特殊场景提取

        如分析多源时钟树的时钟网络性能，需要提取时钟网络的线网寄生参数。

2.1 门级提取流程

Nxtgrd File：工艺厂商提供的用于寄生参数提取的参考文件，定义不同金属层的寄生参数计算方式。Starrc中使用TCAD_GRD_FILE文件指定，如果厂商未提供也可用ITF文件转换。转换命令为 grdgenxo  *.ITF。

2.1.1 ICC2 门级寄生参数提取流程

2.1.2 LEF/DEF 提取流程

2.2 LEF/DEF流程示例脚本

在以上基础上想使用NDM流程时，也只需进行简单修改。注释TOP_DEF_FILE、LEF_FILE，指定NDM_DATABASE：。

上述流程会同时提取多个corner的寄生参数。当只需要提取一个时，可通过SELECTE_CORNERS指定需要提取的corner。也可注释掉CORNERS_FILE，SIMULTANEOUS_MULTI_CORNER，只填写单个CORNER的TCAD_GRD_FILE，OPERATING_TEMPERATURE进行提取。

MAPPING_FILE 为设计的金属层与NXTGRD文件中金属层进行映射，格式如下：

左侧PR工具中的金属层，右侧为NXTGRD文件中对应的金属层名称。

GDS_LAYER_MAP_FILE 为FILL gds的金属层映射文件，格式如下：

左侧为想映射的金属层名称，右侧两列为gds中金属层层号。

3、总结

        Starrc上一些提取的option需要参考具体工艺要求，示例仅为参考。