1947--贝尔实验室W.Shockley等人发明了晶体管,微电子技术发展中第一个里程碑
1950--结型晶体管诞生
1951--场效应晶体管发明
1959--仙童公司Robert.Noyce与德仪公司J.Kilby间隔数月分别发明了集成电路,从此开创世界微电子技术的新历史
1962--包含12个晶体管的小规模集成电路SSI(small-scale-integration)问世
1963--F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术,今天95%以上的集成电路芯片都基于CMOS工艺
1964--R.Moore提出摩尔定律,预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍
1966--集成度100-1000个晶体管的中规模集成电路MSI(medium-scale-integration)问世
1971--Intel推出1kB动态随机存储器(DRAM)标志着集成度为1000-10万个晶体管的大规模集成电路LSI出现
1977--在30平方毫米的硅晶片上集成15万个晶体管的超大规模集成电路VLSI研制成功,标志电子技术从此真正迈入了微电子时代
1993--随着集成了1000万个晶体管的16MB Flash和256MB DRAM研制成功,电子技术进入了特大规模集成电路ULSI时代
1994--由于集成1亿个元件的1G DRAM研制成功,进入巨大规模集成电路GSI时代