早期历史
真空管:二极管(1904,弗莱明)和三极管(1906,Lee de Forest)
晶体管:双极(1947年,Bardeen-Shockley-Brattain,贝尔实验室)和场效应(1926年,Lilenfeild;20世纪60年代-生产)
-第一个IC(1958年,基尔比,德州仪器)->TI #502是第一个商业IC(1960年,德州仪器)
-第一个平面硅IC(1961年,Noyce,Fairchild Semiconductor)
-数字单片CMOS IC(1963年,F. Wanlass,Fairchild Semiconductor)
集成电路的演变
由于功率耗散的限制,2000年以后IC发展缓慢。
摩尔定律(1965年):将可在芯片上制造的晶体管数量绘制成半对数比例的直线;晶体管数量大约每18个月增加一倍。
IC的分类
模拟集成电路和数字集成电路的对比:
模拟:放大器、接收器、发生器、传感器等
数字:通用逻辑、处理器、DSP、FPGA 等
混合信号:ADC、DAC、传感器
单片与混合IC
技术和门的数量
单片集成电路的制造
光刻
光学接近校正(OPC)-- 使光罩变形以获得芯片上的良好结构。
步进器 - 类似于幻灯机的步进和重复机器,用于执行光刻工艺
热氧化
干法氧化:最佳质量氧化物、高密度,无针孔,生长率非常慢Si + O2 → SiO2。
湿法氧化:氧化层质量差,密度低,生长速度快,使用蒸气代替气体 Si + 2H2O → SiO2 +H2
反应发生在 Si 和 SiO2 的边界处
晶片表面的一些 Si 将参与反应
高恒温 (950-1150 °C)
蚀刻
湿化学蚀刻:各向同性
底切轮廓,增加使用的不动产(real estate),失去尺寸控制
等离子蚀刻:各向异性或定向
垂直侧壁
物理和化学气相薄膜沉积(PVD 和 CVD)
前驱物溶液 雾化器 载气 前驱物蒸发 衬底 加热器
离子注入
分离磁铁 衬底
主要加工步骤
硅晶圆制作
- 锭从种子晶体开始在坩埚中生长。 硅锭被切割成薄片并抛光以形成 Si 晶片。
光刻 - 使用掩模将图案转移到晶圆上,以选择性地将区域暴露在 UV 光下,同时保护或暴露晶圆上的区域。
光致抗蚀剂 - 通常不溶的材料,当暴露于紫外线时变得可溶。 可以用酸去除可溶性区域以暴露下面的区域。
氧化物生长 - 使用湿法或干法工艺直接在硅晶片上生长 SiO2。 生长消耗了部分晶圆。
蚀刻 - 使用湿法(化学)或干法(等离子)工艺去除材料(Si、SiO2、多晶硅、金属)的工艺。
沉积 - 使用 CVD/PVDlon 注入添加材料(SiO2、氮化物、多晶硅、金属)的工艺 - 添加杂质或掺杂的工艺 (ni → NA, No)
产量、面积和成本
那么,为什么我们需要增加晶圆直径并减小芯片面积呢?
i) 芯片成本——增加晶圆直径或减小芯片面积
ii) 良率:芯片面积减少 -> 良率增加 -> 芯片成本降低!
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Packaging
CMOS inverter – topology