集成电路发展历史

    这学期由于课程的原因所以得学习集成电路版图，现在将我所学到的集成电路给总结一下。每节课之后我都会这更新自己学到的东西。

    一般来说，要学一门课，得先了解这门课的历史，所以我先将自己学到的集成电路的一些历史写在这块。或许不是很全，但是都是我学到的一些东西。

第一个晶体管，1947年在AT&T贝尔实验室制造(看上去似乎像是三极管)

1952年提取出第一个单晶锗
1954年提取出第一个单晶硅
第一集成电路装置，TI, 1958年（是不是看上去十分简陋，哈哈。）

第一款IC产品，在1961年被仙童相机制造出来。（下图就是第一款IC产品）

1964年  摩尔提出摩尔定律（当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。）直到2010年，这个摩尔定律才不适用

（接下来就慢慢是集成电路飞速发展的时代了，各种各样的公司以及芯片被制造出来。）
1967年  应用材料公司成立 
1971年 全球第一个微处理器4004有intel公司推出，采用MOS工艺。
1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802
1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球第一台PC
1985年：80386微处理器问世，20MHz
1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺
1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μm工艺；
1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世，采用0.25μm工艺
1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μm工艺，后采用0.18μm工艺
2009年：intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发。

（后面太多了，我就不一一写了，集成电路发展迅速，芯片基本也会不停的被制造出来，比如比较出名的手机处理器骁龙和麒麟，今本上都是一年一更新甚至几更新。芯片发展速度太快了。）

集成电路制造工艺流程：

衬底准备 →氧化  →光刻n+埋层区 → n+埋层区注入→   清洁表面 → 生长n-外延→  隔离氧化 → 光刻p+隔离区→   p+隔离注入→
 p+隔离推进→  光刻硼扩散区→  硼扩散 → 氧化→  光刻磷扩散区→  磷扩散→  氧化 → 光刻引线孔 → 清洁表面 → 蒸镀金属→  反刻金属  →钝化→  光刻钝化窗口→  后工序（当然这只是集成电路制造工艺的主要流程，具体步骤的话可能或多或少都会有些差异。）