MSP430的Flash读写操作

1、430的闪存地址

其中的信息内存分为ABCD,4端可以用来存放掉电仍要保存的数据。

2、在进行写flash操作之前一定要先进行擦除flash操作，然后在进行写操作，在进行读写操作时将中断功能关闭，防止进行中断导致写失败。

#define FLASH_START_ADDR 0X1040

void EraseFlash(void)
{
  unsigned char *flash_ptr;
  FCTL3 = FWKEY;  
  FCTL1 = FWKEY + ERASE;
  
  flash_ptr = (unsigned char *)(FLASH_START_ADDR);
  *flash_ptr = 0;
  
  FCTL3 = FWKEY +LOCK;
}

// Flash 写操作
void flash_write(UINT16 addr, UINT8 *data, UINT16 length)
{
    UINT8 *flash_ptr = (UINT8 *)(FLASH_START_ADDR + addr);
    UINT16 i;
    // 关闭 Flash 存储保护
    FCTL1 = FWKEY + WRT;
    FCTL3 = FWKEY;

    *flash_ptr = 0;
    
    // 写入数据到 Flash 存储区域
    
    for (i = 0; i < length; i++)
    {
       while(BUSY & FCTL3);
        *flash_ptr++ = data[i];
    }
    
    // 等待写操作完成
    FCTL1 = FWKEY;
    FCTL3 = FWKEY + LOCK;
}

// Flash 读操作
void flash_read(UINT16 addr, UINT8 *data, UINT16 length) {
    UINT8 *flash_ptr = (UINT8 *)(FLASH_START_ADDR + addr);

    // 从 Flash 存储区域读取数据
    UINT16 i;
    for (i = 0; i < length; i++) {
        data[i] = *flash_ptr++;
    }
}