恶补集成电路知识
bentty_lee
这个作者很懒,什么都没留下…
展开
-
初步认识磁传感器
根据机制划分的磁传感器Hall霍尔磁阻AMR 各向异性磁阻GMR 巨磁阻TMR 隧穿磁阻典型材料体系GaAs、InAs、InP、InSb霍尔元件NiFe、Ni、Co做磁层Ta、Ru重金属做SOTFe、Co、NiFe、FeCo、CoFeB做磁层Cu、Au、Cr做磁层Al2O3、MgO做隧穿介质层NiO、InMn、NiMn、FeMn、CrPtMn、PdPtMn做磁层磁传感器的功能性分类磁开关磁线性磁角度磁梯度...原创 2021-06-16 18:02:02 · 281 阅读 · 0 评论 -
SiC相关企业
SiC的企业SiC衬底及外延,6英寸已经普及、8英寸制样完成。目前已经开始投资建设8英寸生产线的公司有:Wolfspeed、Dowcoming、II-VI;Sicrystal;OkmeticShowa Denko晶体管方面比较知名的公司有:ROHMWolfspeedInfineonUnitedSiCGeneSiC安森美其他公司:CISSOID三菱电机...原创 2021-06-15 15:51:21 · 169 阅读 · 0 评论 -
半导体材料发展简史
第一代半导体材料SiGe主要用于做硅片等wafer。截止到2021年,12英寸大硅片已经占据出货市场百分之六十多,逐渐超过8英寸,成为主流市场,产能主要集中在日本。第二代半导体材料GaAsInP主要是电子迁移率比较高、光电转换效率比较高,高速高频,可以用在光电器件、微波通信第三代半导体材料(主要为宽禁带半导体)SiCGaN高温高频,光电、射频、大功率,抗辐射。中国目前关于三代半的企业集中在:京津冀(实力最强)、长三角(GaN为主)、珠三角、闵三角、中部地区第四带半导体材原创 2021-06-15 15:49:34 · 1931 阅读 · 0 评论 -
MESO文献调研:Magnetoelectric spin orbit
文中说的MESO的好处:Sasikanth Manipatruni et. al from Intel proposed and demonstrated the building blocks for a new logic device that enables (1) voltage scaling, (2) scalable interconnects, (3) energy scaling and (4) the potential for multi-generational dimensio原创 2020-12-09 16:11:20 · 347 阅读 · 0 评论 -
孙学良教授固态电池报告中学到的忆阻器知识
目前固态电池常用的电解质及其优缺点原创 2020-11-24 09:31:29 · 189 阅读 · 0 评论 -
杨金龙老师报告的思考:面向应用的自旋电子学材料研究的三大关注点
怎么产生和注入自旋极化怎么在器件中实现自旋输运怎么有效的实现自旋操纵原创 2020-11-23 16:31:23 · 175 阅读 · 0 评论 -
磁性材料基础
常见的磁性材料分类原创 2020-11-23 16:13:14 · 173 阅读 · 0 评论 -
自旋流在器件中的优缺点
自旋流是一种扩散流,并不能在回路中直接检测到,需要通过一个电荷积累的电压才能在开路中检测到,自旋流是空间上电荷积累的检测结果。自旋流不随着电荷的流动而产生能量耗散,其应用很广。以上就提出了两个问题,1. 自旋是如何被调控的呢?怎样才能使得自旋流转换成电荷流呢?How spin be modulated?第一种方法, It has been shown that SOC can be used to modulate spin polarized currents bytaking advantage原创 2020-11-17 16:29:57 · 863 阅读 · 0 评论 -
Dennard scaling(MOSEFT scaling)
Dennard缩放定律是1974年Dennard提出1,与大名鼎鼎的摩尔定律一起统治了集成电路很多年。Dennard提出,晶体管的尺寸在每一代技术中都缩小了30% (0.7倍),因此它们的面积A减少了50%。这意味着电路减少了30% (0.7倍)的延迟,因此增加了约40% (1.4倍)的工作频率。最后,为了保持电场恒定,电压降低了30%,能量降低了65%,功率降低了50%。因此,在每一代技术中,晶体管密度增加一倍,电路速度提高40%,功耗(晶体管数量增加一倍)保持不变(https://www.ithom原创 2020-11-09 10:31:02 · 7214 阅读 · 2 评论