半导体材料发展简史

第一代半导体材料

1. Si
2. Ge
   主要用于做硅片等wafer。截止到2021年，12英寸大硅片已经占据出货市场百分之六十多，逐渐超过8英寸，成为主流市场，产能主要集中在日本。

第二代半导体材料

1. GaAs
2. InP

主要是电子迁移率比较高、光电转换效率比较高，高速高频，可以用在光电器件、微波通信

第三代半导体材料(主要为宽禁带半导体)

1. SiC
2. GaN
   高温高频，光电、射频、大功率，抗辐射。
   中国目前关于三代半的企业集中在：京津冀（实力最强）、长三角（GaN为主）、珠三角、闵三角、中部地区

第四带半导体材料

超宽禁带半导体

1. GaO
2. C（金刚石）
3. AlN

超窄禁带半导体

1. 碲化物

可以用在探测器与激光器