数据以英飞凌IGBT模块FF450R17ME3 为例
一、电流参数
1. 额定电流(IC nom)
3. 短路电流ISC
短路条件:t<10μs,Vge<15V,Rg>Rgnom(规格书中的值),Tj<125℃
1. 集电极-发射极阻断电压Vces
由于模块内部寄生电感△V=di/dt*Lin 在动态情况下,模块耐压和芯片耐压有所区别
2. 饱和压降VCEsat
VCEsat 值可用来计算导通损耗
对于SPWM 控制, 导通损耗是:
三、开关参数
1. 内部门极电阻RGint
为了实现模块内部芯片的均流,模块内部集成了内部门极电阻。在计算驱动器峰值电流的时候,这个电阻值应算为门极总电阻的一部分。
外部门极电阻是客户设定的,它影响IGBT的开关速度。
文章来源:http://www.igbt8.com/jc/156.html
推荐的Rgext最小值在开关参数测试条件中给出客户可以使用不同的和RGon 和RGoff
最小Rgon 受限于开通di/dt,RGoff最小受限于关断dv/dt。RG过小会引起震荡而损坏IGBT
RGext 的取值
2. 外部门极电容(CGE)
为了控制高压IGBT的开启速度,推荐使用外部门极电容CGE
3. 门极电荷(QG)
4. Cies, Cres
Cies = CGE + CGC: 输入电容(输出短路) Coss = CGC + CEC:输出电容(输入短路) Cres = CGC: 反向转移电容(米勒电容) 频率f,所需的驱动功率:
5. 开关时间(tdon, tr, tdoff, tf)
开关时间很大程度上受IG(RG)、IC、VGE、Tj等参数影响,这些值可用来计算死区时间。
tPHLmax:驱动输入高到低的延时
tPLHmmin:驱动输入低到高的延时
6. 开关参数(Eon, Eoff)
英飞凌按照“10%-2%”积分限计算开关损耗,而有些其他厂商按照“10%-10%”计算,后者结果比前者会小10 –25%
Eon, Eoff受IC, VCE, 驱动能力(VGE, IG, RG), Tj和分布电感影响我们假设Eon和Eoff 正比于IC,在VCE_test(900V)的20%范围内正比于VCE,则有:
四、二极管参数
1. 阻断电压(VRRM)
类似于VCES at Tj 25℃
2. 额定电流(IF)
3. 脉冲电流(ICRM)
4. 抗浪涌能力(I2t)
这个值定义了二极管的抗浪涌电流的能力,用于选择输入熔断器。熔断器数值应该小于二极管的I2t值,熔断器的熔断速度应该小于10ms,否则应该选择I2t值更大的二极管。我们在125 ℃定义I2t值,在25 ℃下它会大得多,通过I2t值可判断二极管容流能力。
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5. 正向压降(VF)
类似于VCEsat 的定义, 给出了Tj=25℃ 和125℃时的值, 用来计算二极管的导通损耗和普通的二极管不同,一些英飞凌二极管在电流大于一定数值区域显现电压正温度系数, 这有利于二极管均流。
6. 开关参数(IRM, Qr, Erec)
二极管反向恢复受IGBT的开通di/dt, IC, Tj 等因素影响很大Irm 和Qr 仅为测试典型值, Erec 用来计算二极管的开关损耗