碳化硅功率器件终端场限环与结终端扩展在高压二极管与晶闸管中的应用研究【最新】

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1. 单层外延碳化硅高压二极管的终端技术

本文针对单层外延碳化硅高压二极管的终端技术进行了深入研究，提出了基于离子注入的指数变化型场限环。针对高压场限环因环数过多而导致的设计空间膨胀问题，提出了一种基于耗尽区弛豫迭代与单元化链式推导的设计方法，实现了非线性高压场限环的近自动化求解，并得到了指数变化型设计规律。此外，还提出了面向高可制造性的终端增强方法，并基于10 kV等级碳化硅JBS二极管的研制完成了实验验证。

• 离子注入的指数变化型场限环：

  • 设计背景：高压场限环是提高碳化硅二极管耐压能力的关键结构，但传统的高压场限环设计因环数过多而导致设计空间膨胀，增加了设计复杂度和制造难度。
  • 设计方法：本文提出了一种基于耗尽区弛豫迭代与单元化链式推导的设计方法。该方法通过耗尽区弛豫迭代逐步优化场限环的设计参数，实现了非线性高压场限环的近自动化求解。
  • 设计规律：通过上述设计方法，得到了指数变化型场限环的设计规律。指数变化型场限环能够在更低的计算资源需求下，实现高于90%甚至接近理想的阻断能力，且终端长度效率几乎都维持在40 V/μm的较高水平。

• 终端增强方法：

  • 高可制造性：针对当前高压厚外延中较高的缺陷密度，本文提出了面向高可制造性的终端增强方法。该方法通过优化外延生长工艺和终端结构设计，提高了器件的制造良率和可靠性。
  • 实验验证：基于10 kV等级碳化硅JBS二极管的研制，完成了实验验证。实验结果表明，该终端增强方法能够有效提高器件的耐压能力和可靠性。

• 交叉学科研究：

  • 非对称击穿机理：本文对外延缺陷与界面特性进行了交叉学科研究，解释了碳化硅高压器件中缺陷相关的非对称击穿机理。非对称击穿机理的研究为优化器件设计提供了理论支持。
  • JBS界面势垒的原位无偏估计方法：提出了一种针对JBS界面势垒的原位无偏估计方法。该方法能够在不引入外部偏置的情况下，准确估计JBS界面势垒的高度，为优化界面特性提供了有效手段。

2. 多层外延碳化硅高压晶闸管的终端技术

本文针对多层外延碳化硅高压晶闸管的终端技术进行了深入研究，提出了基于外延刻蚀的无级渐变型结终端扩展。针对传统高压JTE因阶梯状成型而导致的工艺轮数倍增问题，提出了一种一步成型的技术构想及其设计与制造技术。在设计上，基于边界场近似方法构建了该新型终端的电场解析模型，并基于模型规律提出了一种层次化的渐进式优化方法，相对系统性地实现了近优形貌的高效设计。在制造上，利用光刻过程中的衍射与干涉效应，基于信息调制理论提出了一套以大尺度三维光刻技术为核心的一步成型制造方法，实现了无级渐变型终端灵活可调的高效制造。

• 无级渐变型结终端扩展：

  • 设计背景：传统高压JTE因阶梯状成型而导致的工艺轮数倍增问题，增加了制造成本和复杂度。本文提出了一种基于外延刻蚀的无级渐变型结终端扩展，旨在解决这一问题。
  • 设计方法：基于边界场近似方法构建了该新型终端的电场解析模型。通过电场解析模型，研究了无级渐变型结终端扩展的电场分布规律，并提出了一种层次化的渐进式优化方法，实现了近优形貌的高效设计。
  • 设计效果：仿真结果表明，该终端有望以一步成型的高制造效率实现35 V/μm的较高终端效率，同时在理想条件下可超过46 V/μm。

• 一步成型制造方法：

  • 技术构想：本文提出了一种一步成型的技术构想，通过光刻过程中的衍射与干涉效应，基于信息调制理论实现无级渐变型终端的高效制造。
  • 制造方法：利用大尺度三维光刻技术，实现了无级渐变型终端灵活可调的高效制造。该方法能够在一次光刻过程中完成终端结构的成型，大大提高了制造效率。
  • 实验验证：基于10 kV等级碳化硅晶闸管的研制，完成了实验验证。实验结果表明，目前终端效率可达25 V/μm，达到了先进水平。一步成型的技术路线在制造效率上具有明显优势，尤其针对未来更高电压等级器件。

3. 实验验证与结果分析

本文在实验室对10 kV等级的碳化硅二极管与晶闸管进行了详细的实验验证，并对实验结果进行了分析。

• 实验环境：

  • 实验室：在实验室搭建了一个完整的碳化硅器件测试平台，包括高压电源、测试电路、测量仪器等设备。
  • 测试内容：对10 kV等级的碳化硅二极管与晶闸管的耐压能力、导通特性、开关特性等进行了全面测试。
  • 测试方法：通过模拟不同的工作条件和操作场景，对器件的性能进行了评估。

• 实验结果：

  • 碳化硅二极管：实验结果表明，基于离子注入的指数变化型场限环设计能够显著提高碳化硅二极管的耐压能力，终端长度效率维持在40 V/μm的较高水平。终端增强方法有效提高了器件的制造良率和可靠性。
  • 碳化硅晶闸管：实验结果表明，基于外延刻蚀的无级渐变型结终端扩展设计能够显著提高碳化硅晶闸管的耐压能力，终端效率可达25 V/μm。一步成型的技术路线在制造效率上具有明显优势，适合未来更高电压等级器件的制造。

• 结果分析：

  • 耐压能力：通过对实验数据的分析，验证了所提出的终端技术能够显著提高碳化硅器件的耐压能力，满足高压应用的需求。
  • 导通特性：实验结果表明，所研制的碳化硅二极管和晶闸管具有优良的导通特性，能够在高压条件下稳定工作。
  • 开关特性：实验结果表明，所研制的碳化硅二极管和晶闸管具有快速的开关特性，能够在高频应用中表现出色。

 

import numpy as np
import matplotlib.pyplot as plt

# 定义系统参数
voltage_rating = 10000  # 电压等级 (V)
terminal_length = 250  # 终端长度 (μm)
field_strength = 40  # 电场强度 (V/μm)
num_rings = 10  # 场限环数量
ion_injection_depth = 1  # 离子注入深度 (μm)
etching_depth = 10  # 刻蚀深度 (μm)

# 生成初始场限环位置
ring_positions = np.linspace(0, terminal_length, num_rings)

# 离子注入的指数变化型场限环设计
def exponential_field_limiting_rings(ring_positions, field_strength, ion_injection_depth):
    ring_positions_exp = np.exp(ring_positions / ion_injection_depth)
    normalized_positions = ring_positions_exp / np.max(ring_positions_exp) * terminal_length
    return normalized_positions

# 计算电场分布
def calculate_electric_field(ring_positions, terminal_length, voltage_rating):
    electric_field = np.zeros_like(ring_positions)
    for i in range(len(ring_positions) - 1):
        electric_field[i] = voltage_rating / (ring_positions[i+1] - ring_positions[i])
    electric_field[-1] = voltage_rating / (terminal_length - ring_positions[-1])
    return electric_field

# 无级渐变型结终端扩展设计
def gradual_junction_termination_extension(terminal_length, etching_depth, field_strength):
    x = np.linspace(0, terminal_length, 1000)
    y = field_strength * (1 - np.exp(-x / etching_depth))
    return x, y

# 生成指数变化型场限环位置
normalized_positions = exponential_field_limiting_rings(ring_positions, field_strength, ion_injection_depth)

# 计算电场分布
electric_field = calculate_electric_field(normalized_positions, terminal_length, voltage_rating)

# 生成无级渐变型结终端扩展
x, y = gradual_junction_termination_extension(terminal_length, etching_depth, field_strength)

# 绘制结果
plt.figure(figsize=(12, 8))

plt.subplot(2, 1, 1)
plt.plot(normalized_positions, electric_field, marker='o', linestyle='-', color='b', label='Exponential Field Limiting Rings')
plt.xlabel('Position (μm)')
plt.ylabel('Electric Field (V/μm)')
plt.title('Exponential Field Limiting Rings Design')
plt.legend()

plt.subplot(2, 1, 2)
plt.plot(x, y, color='r', label='Gradual Junction Termination Extension')
plt.xlabel('Position (μm)')
plt.ylabel('Electric Field (V/μm)')
plt.title('Gradual Junction Termination Extension Design')
plt.legend()

plt.tight_layout()
plt.show()