MOS管之热设计热处理

MOS管之热设计热处理

热分析需求
功率MOS管是电路设计中比较常见的器件，经常用在多种开关电路或者防反电路中，电流值从几个mA到几十个A。来一起看下热方面的知识。
1、当MOSFET完全导通时，将产生I2RDS（on）的功率损耗
2、I2RDS（on）的功率损耗将在器件内部或者外部产生温升
3、MOSFET器件可能因温度过高而损坏
一般MOSFET的结点温度都要保持在175°C以下，贴片MOSFET的PCB的温度限值是120°C，由于 MOSFET 器件和焊接 PCB 处之间热耦合紧密，所以我们可以认为 TPCB ≈ Tj，那么安全工作温度的上限将不再是 MOSFET的结点温度，而是 PCB 的温度（120 ℃）。

PCB设计可以应用不同的技术，引导最佳的热性能方向发展，有下面需要考虑的因素：
1、PCB的层叠
2、常见不同电路拓扑结构对PCB布局的影响
3、PCB的铜箔面积
4、散热过孔的影响
5、器件的摆放和间隔
6、单个PCB上多个功率器件的相互影响

PCB的层数对散热的影响
双层PCB
保持分析 1 中表层铜箔的变化设置。但是对于分析 2 我们在 PCB底层固定面积为 25 x 25 mm 的底层铜箔，因此也就有了两个结果

即使第四层和器件没有连接关系，加入第四层铜箔也能有效地提高 PCB的热性能。同时我们也发现 MOSFET 的 Tj 有些不怎么依赖于第一层的铜箔面积了。通过加入第四层铜箔，我们可以将顶层铜箔面积从 25 x 25 mm 减小到大约 15 x 15
mm，同时又能保持相同的热性能（也就是相同的 Tj）。当我们希望提高顶层器件的密度时，这将会是一个相当有用的方法。

4层PCB

与一层和两层 PCB 的结构相比，加入第 2 层和第 3 层铜箔已经导致了 Tj 相当大的降低，此外可以发现 Tj 已经几乎不依赖于顶层铜箔面积了。这是一个非常有用的结论，因为它告诉我们就像这里描述的四层 PCB 板那样，我们可以将顶层铜箔的面积减小到最小而完全不会影响热性能。这样顶层将会有更多的空间用于贴装其他器件和布线。

过孔的组合对热性能的影响

过孔直径为 0.8 mm
结论是通过加入过孔可以提高散热性能，但继续加入过多的过孔，对散热性能不会有明显的提升。

MOS管布局间距对热性能的影响
对于边长为 15 mm 的表层铜箔。
• 对于焊接在单层 PCB 板上的四个器件，器件间隔d对器件 Tj 几乎没什么影响。
• 与单层 PCB 板相比，如果在第四层加入第二个铜箔层，器件的Tj将会降低 20 ℃左右。
• 与两层 PCB 板相比，如果变成四层板，器件的Tj将会再次降低 8 ℃ 右）。
• 若在器件的下部加入 5 x 4 的过孔组合，器件的热性能将会有进一步地提升，器件Tj 大概能再次降低 4 ℃ 左右。
• 采用共同 （而非单独）的器件第四层铜面积对器件几乎无影响。