Dram硬件设计参考，信号传播速度

信号在板子上的传输速度

电信号在真空中的传播速度是光速，3 * 10^8 m/s or 11.8 inch/ns .
在其他的介质中，如果相对介电系数是Er ，则传播速度为 11.8 * Er^0.5。
例如，在水中，水的相对介电系数是80，所以，传播速度是真空中的1/9 ，
即11.8 / 80^0.5
在PCB中，FR4的相对介电系数约为4，所以，传播速度是真空中的一半，既
11.8 / 4 ^0.5 = 5.9 inch/ns

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FR4板材信号速度为6in/ns：这样计算出来的
Vp= V/sqrt(Er)
Er是FR4的介电常数
V是光速
Vp是FR4的介电常数。

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149.86mm/ns
5.9 in = 14.986 cm
1GHZ =时钟周期1ns

39mil/1mm/7ps------来源于高通
经验法则：1 mm的50Ω传输线在FR4中具有7 ps的传播延迟

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信号在pcb上的传播速度是5.9英寸/ns，sdram跑100mh的话是10ns一个周期，你算算你要走线长度差多少才会导致数据超出有效窗口。呵呵，想让它不好用都难。

DRAM上的参数

试验中发现的经验数据为，当信号在pcb走线上的时延高于信号上升沿的20%时，信号会产生明显的振铃。对于上升时间为1ns（1GHZ）的方波信号来说，pcb走线长度为20%*15cm=3cm=1800mil以上时，信号就会有严重的振铃。

频率	10%延时
500M	3cm=1181mil
1G	1.5cm=590mil
2G	0.75cm=295mil
5G	0.3cm=118mil
10G	0.15cm=59mil

由此表可知，1G以下的信号，只要不是绕线特别夸张，不做等长也影响不大

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时间的单位换算 1秒=1000毫秒(ms) 1毫秒=1／1,000秒(s) 1秒=1,000,000 微秒(μs) 1微秒=1／1,000,000秒(s) 1秒=1,000,000,000 纳秒(ns) 1纳秒=1／1,000,000,000秒(s) 1秒=1,000,000,000,000 皮秒(ps) 1皮秒=1／1,000,000,000,000秒(s)

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DRAM走线注意事项

按照优先级别进行了一个判断

1. 线间的串扰：上下走线不能重合，同层之间要有2~3倍线宽的距离
2. 地平面的稳定：保证走线有足够的地平面，将电源，CPU，DRAM连接在一起（需区分信号完整性和ESD之间的差异）
3. 布局：单个则靠近摆放，两个则T形摆放
4. 走线长度：根据以上的计算，走线长度对信号的干扰有限，只需注意不要太夸张即可。
5. 信号的仿真：分电源仿真和高速信号仿真，作为参考，修改图纸。

Dram 速度的计算

DDR3-800 最高通讯速度25.6Gb/S 来自赛灵思