物联网:Nand flash读写范围的问题
很多时候对nand的操作都是通过主控的nand控制器直接完成,或者更多时候是通过MTD标准操作接口完成读写擦的过程,然而有些细节问题有必要在这里讨论一下,我分为以下几点进行说明:
1、擦除过程:擦除过程是将0变成1的过程,即充电的过程(比如SLC中,当低于某个电压值表示0,高于这个电压值则表示1;而对于MLC来说可以有多个阈值,所以可以保存更多bit)。擦除过程是按块进行的,但启始地址是页地址,不过擦除过程在内部是有边界对齐的,也就是说当擦除启始地址不是块对齐时,只能擦除本块,而不能垮越到第二个块继续擦除,也就是无论我们给的地址是否页对齐,本块都将擦除,不会有任何保留。
需要注意的是:块擦除时每一页的oob区也同时被擦除掉了,所以一般擦除前先读取块的第一页的两个字节看是否为0xff(512Byte页大小nand的坏块信息放在第6个字节中,ECC占用0、1、2、3、6、7字节;2k页大小的nand有24位ECC放在oob区的40-63字节处),不是的话就不要擦除,0xff表示正常,其它值