NAND FLASH的工作原理

一。nand的技术点：

nand是一种速度，容量，成本比较均衡的一种存储器件。但是要想用好需要一定的管理技术：

1. 写入前需要先擦除。------使用时注意即可

2. nand有损耗，---------需要做平衡磨损算法，以平均内部各个快的损耗程度

3. 超过损耗期即形成坏块-----------需要做坏块管理。

4. 读写时的干扰可能会导致数据出错-----使用ECC等错误检测和校正机制，

综述：nand是一种很常用的存储介质，但是需要做好一些管理，才能利用好 nand。

二。cell的数据表示：

1. 数据以电荷数量的形式存储，电荷数量取决于控制级所施加的电压。准确的说，控制级的电压决定了是向存储单元冲入电荷还是释放电荷。

2. 数据的表示，以所存储的电荷的电压是否超过一个阈值Vth表示。

3. 对cell的写入（又称为program）：控制级控制向存储单元中 充入 电荷，超过阈值Vth，表示为0
4. 对cell的擦除（又称为erase): 控制级控制释放存储单元中的电荷，低于阈值Vth，表示为1 

综述：对cell的写操作只有两种，想变为0，只有通过program实现，想变为1，只有通过erase实现，或者说program只能写0，无法写1.

三。nand架构

1. 水平方向上，4KB个cell(4096*8 = 32768) 共用一根word line, 组成一个 page (page是nand的最小读写单位) 此外每个page都有128b (128字节)的空间用于管理和ECC。

2. 竖直方向上，64 page (256KB个cell)组成 一个 block, (block是nand的最小擦除单位)

四。SLC和MLC的区别：

1. SLC：写入快，更稳定，更耐久

2. MLC：容量大，但是写入速度慢， 不稳定，不耐久，功耗大。

五。 挑战1之  写入前需要先擦除：

1. 擦除的最小单位为block, 具体是让所有块内cell释放电荷，小于Vth，记作1 .

2. 按照（二）得到的结论，从微观上来看，cell置0，只能通过program实现，反过来，program只能实现置位为0，无法实现置位为1，

3. 得到结论：page中某位变为0（写入）后，想让这个bit=1，需要擦除256KB大小的block才行。

六。挑战2之 读写干扰：

1. nand存储cell的电荷非常不稳定，在读写中很容易对临近的单元造成干扰，造成bit出错，MLC相对SLC更容易受干扰。

2. 相对写入干扰来说，读取干扰要小得多。但是这些干扰都会导致某些bit错误，

3. 为了解决由于读写干扰出现的bit错误，将数据返回主机前，要用ECC EDC算法来纠正这些bit错误

4. 随着闪存芯片体积的变小，容量的增大，干扰越来越厉害，所以需要更强大的ECC EDC来纠正错误。

七。挑战3之 数据的保存期限：

1. 指的是nand完全断电后，数据还能在 nand 里面存放多久，一般是10年。

2. 微观来看，就是cell里面浮栅内电荷会泄露，泄漏到一定程度，即bit错误，

3. 保存期限随着擦写次数的变多明显降低。

4. MLC的期限明显低于SLC。

八。挑战4之坏块：

1. 分为两类：出厂坏块和积累坏块。 所谓出厂坏块，一般是厂商处于成本考虑，不可避免导致的坏块。 积累坏块：多次擦写后出现的坏块。

2. 控制器用 坏块表 来映射 出场坏块和积累坏块到坏块区内。

九。擦写次数限制

1. 擦写到一定次数后，就会出现坏块，SLC一般为 10万次， MLC为1万次 

十。ECC实现：

1. 每当一个page的数据要写入nand时，这些数据会通过ECC模块，对每512b的数据生成一个ECC签名（类似MD5值），然后数据和这些签名被存放到page里面（数据放在4KB数据区，ECC签名放在SA即备用区），

2. 当主控要读取该page时候，会先读取page的数据区，然后通过ECC模块形成新的ECC签名，

3. 最后将新生成的ECC签名于存放在page SA区的签名对比，相同则说明数据没问题，可以送给主控，不同则不送主控。

4. 不同的ECC算法只是生成的MD5值不同，

5. ECC的能力对耐久度，稳定性有较大影响。