nandflash型号
型号:TC58NVG2S0HTAI0
Schematic Cell Layout
说明: 1个页含有4352字节(4096+256),图中256和4096是逻辑分开的,我可以0-2047做存储,2048-2175做其他用途,比如obb之类的,就是obb信息不一定是 4096-4351做,这和驱动代码的实现有关。这个flash有2048个block,一个block有64个页码。
Address Assign
页是存储器真实存在的单位,也就是Page Address(PA16-PA0),Column Addess(CA11-CA0);也就是通过页地址和页偏移寻址。block是逻辑的,方便擦除。
这个存储器一个页是4096+256=4352个字节。
如果驱动设计为一个页里面0-4095地址放存储数据,4096-4351地址放obb等信息。
1)如果我想访问数据地址4096,则传送地址:
00000000000 000001 0000000000000
这个地址放的是存储数据等信息
2)如果我想访问真实的地址4096,则传送地址:
00000000000 000000 1000000000000
这个地址就是放的obb等信息
注意: 驱动里可以把A12位设置为0,这样就跳过每一页中的obb信息。
芯片PAGE是4K,驱动是2K
如果驱动页是2K+128.
一个页的真实偏移是:0-4351
0-2047 | 2048-2175(obb) |
---|---|
2176-4223 | 4224-4351(obb) |
如果我想访问数据2048地址就是(2176地址),则地址:
1000 1000 0000
会发现A11是1,不能通过物理是2K,直接置这位0,访问数据了。