Nandflash的地址分配以及multiplan操作

一、NandFlash的地址是如何分配的

图一：K9NCG08（2GB）

图二：S34ML16G（2GB）

	图一	图二
Page	4KB+128B	2KB+128B
Block	64	64
Plan	2048	8192
Device	4	2

• Nandflash没有地址线，靠8个IO口复用命令、地址和数据。不同的存储大小需要不同的地址宽度，总的地址分为多个8位地址传送到IO端口。
• 写数据是按页操作的，需要指定某一块中的某一页的某一位作为起始地址，然后将一页的数据写在页寄存器中，然后发送10h命令，开始讲寄存器的一页数据写到相应的页中。
• 读数据也是按页操作，同样要指定页起始地址，然后每读出一位，列地址加一，直到将一页数据读完。
• 列地址就是页内地址（页偏移地址），就是从某页的第几位开始操作（一般都是从第0位开始）。图一nandflash每页有4096+128位，需要13位列地址线，图二每页2048+128位，需12位列地址线。都需要分两个周期发送。
• 行地址是块地址+页地址。图一图二每块都是64页，需要6位地址线；图一共8192块，需要13位地址线，图二共16384块，需要14位地址线。都需要分三个周期发送。
• 发送顺序为：页内地址-----页地址-----块地址

二、关于Multiplan操作

存储阵列结构图：

每个plan都有一个页大小的数据寄存器，对于multiplan操作，就是将两页数据连续先写入两个plan对应的数据寄存器中，然后再将寄存器中的两页数据同时写入相对应的plan的不同页中。
Multiplan操作要求两组命令字，第一组用来将第一页数据写入第一个plan的data register中，紧接着第二组将第二页数据写入第二个plan的data register中。