整流二极管作用

　　整流二极管的作用具有明显的单向导电性。整流二极管可采用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的作用可以有效的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能优良。整流二极管的作用是利用PN结单向导电特性，把交流电转变成脉动直流电。整流二极管的电流较大，大多采用面接触性料封装。那么整流二极管的作用主要有哪些呢？下面就是小编对于整流二极管的作用的具体介绍。
　　1、正向性
　　整流二极管的作用最为突出的就是其正向性，整流二极管外加正向电压时，正向特性起始部分中的正向电压很小，不能有效的克服PN结内电场的阻挡作用，当整流二极管的正向电流几乎为零，这一段称为死区，不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当整流二极管正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被有效克服，整流二极管的正向导通，电流随电压增大而快速上升。在正常的电流范围内，导通时整流二极管端电压几乎维持不变。
　　2、反向性
　　整流二极管的作用中的反向性，是当整流二极管外加反向电压不超过一定范围时，通过整流二极管的电流少数载流子漂移运动从而形成的反向电流。由于整流二极管的作用反向电流很小，整流二极管处于截止状态。整流二极管的反向饱和电流受温度影响。一般硅整流二极管的作用反向电流比锗整流二极管的作用小得多，小功率硅整流二极管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗整流二极管在μA数量级。当整流二极管温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目也会增加。
　　3、反向击穿
　　整流二极管的作用中的反向击穿，反向击穿按机理原理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。整流二极管在高掺杂浓度的情况下，整流二极管因势垒区宽度很小，反向电压较大会破坏势垒区内共价键结构，使电子脱离共价键束缚，产生电子空穴，整流二极管的作用中的另一种击穿为雪崩击穿。当整流二极管反向电压增加到较大数值时，外加电场会使电子漂移速度加快，从而使整流二极管共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子空穴对。
　　整流二极管MURS120-13-F的参数
　　类型：标准
　　反向电压Vr：200V
　　正向电流If：1A
　　正向电压Vf：875mV @ 1A
　　速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
　　反向恢复时间trr：25ns
　　反向漏电流Ir：2A @ 200V
　　结电容Cj：27pF @ 4V，1MHz
　　封装/外壳：表面贴装
　　封装/外壳：SMB
　　工作温度-结：-55°C ~ 175°C
 

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