MOS管原理-2

Basic

1.硅中参杂电子多的话，会在那里写个N，参杂空穴多的话，会在那里写个P。
2. 电流的方向指的是正电荷（空穴）流动的方向，是电子流动方向的反方向。（初中物理）

3. 电源的正电压端会吸引电子聚集过来，负电压端会吸引空穴聚集过来。（初中物理：异性相吸）

4. mos管是个开关，栅极（G）是控制端，它控制着源极（S）和漏极（D）之间是否能导通，即是否可以通过电流。

5. 源极和漏极导通电流的意思是，给他们两加一个电压源，可以形成电流，从漏流到源也行，从源流到漏也行，这个电流是空穴移动产生的也行，是电子移动产生的也行。

6. 二极管正向（从P到N接正电压）导通，反向（从N到P接正电压）不导通。

Step

拿到这副mos管的结构图，首先看到s极和d极连着的是N参杂区域，代表这两个区域电子多，衬底是P参杂区域，代表空穴多。

此时，想象在S极和D极两端加一个电压源(方向无所谓)，可惜中间衬底部分都是P型啊，【由已知第6条】电子想移动形成电流可是从N到P是二极管反向走不通啊。那我们的目标就来了，在这两个N参杂区域之间架起一条可让电子通过的“桥梁”。

这条"桥梁"的架设很巧妙：栅极加一个比衬底电压更高的电压，那么栅极相当于电源正极，【由已知第3条】栅极吸引P衬底中的电子（P代表空穴多，但依然有电子啊）向着栅极方向聚集，形成了下图红色区域中电子聚集的情况。

“桥”架起来了！红色区域也成为电子多的区域了，我们完全可以在这个时刻在红色区域上标一个N。

这个“桥”的学名叫做“沟道”，沟道是由衬底中电子被吸引来形成的就叫N沟道，沟道是由衬底中空穴被吸引过来形成的就叫P沟道，个人感觉这名字还是挺贴切的。好，到我们敲黑板知识点：PMOS的全称叫P沟道MOS管，容易想出沟道是什么类型取决于S和D端掺杂的是什么类型，立即推：S和D端区域写了N，管子就是NMOS；S和D端区域写了P，管子就是PMOS。

MOS管的标准符号中，衬底的箭头方向指的是衬底中“电子”的移动方向，上述的NMOS管中衬底里的电子被栅极高电压吸引跑去形成N沟道，那么下图中衬底箭头方向是朝着栅极的。

实际使用中，无论是NMOS还是PMOS，通常把S极和衬底B接在一起用，叫做共源接法。

对于恒定Vds，Vgs越大，则沟道中可移动的电子越多，沟道电阻就越小，ID就越大。当然这个Vgs大到一定值，电压再大，ID的变化也不会再有太大的变化了。

Some Concept

以NMOS为例，它是P型衬底，空穴是衬底的多子。NMOS要导通的话，得给栅极加正电压，那么栅极金属层将积累正电荷，排斥衬底中的空穴，使之剩下不能移动的负电中心区域，这块区域就叫做耗尽层。简单理解就是衬底里的多子被耗尽（排斥）了。

什么是反型层呢？给栅极加正电压，排斥空穴的同时，也会吸引衬底中的自由电子。电子被吸引到耗尽层和绝缘层（SiO2）之间，形成一个N型薄区，称为反型层。这个反型层就是源漏之间的导电沟道。

首先，Vgs < Vth时，无反型层；Vgs = Vth开始形成反型层，如果此时不在漏极端加电压，Ids=0，由于热平衡，会时一个均匀的反型层；

Vds>0，有从D->S的电流形成；逐渐增大Vds，Ids线性增大；同时有一部分电子会被漏极吸走，所以靠近漏极的反型层(沟道)会薄一些；

Vds增加到某一个值时，靠近漏极的沟道出现夹断；夹断区是一个高电场区，从源极到沟道末端的电子会被夹断区的高电场区拉走；此时进入恒流区；

再加大Vds有可能进入击穿区。