MOS管原理-1

P型半导体参杂价电子为3的元素，一般为硼。因为硼的价电子比硅少一个，所以在共价键中少了一个电子，留下了空穴。空穴会吸引自由电子过来“入住”，所以参与导电的是空穴。
N型半导体参杂价电子为5的元素，一般为砷。因为砷的价电子比硅多一个，所以在N型半导体中多了一个自由电子。自由电子在电场作用下会“四处移动”，所以参与导电的是自由电子。
物理学规定空穴带正电，电子带负电。根据英文positive和negative和某型半导体中多子的电性（主要参与导电的叫多子），取为P和N型半导体。

扩散运动形成的耗尽区电场：N到P

我们规定P到N为正向，那么下图为反偏电压，使耗尽层变宽，扩散受到阻碍。

反型层：吸附了电子，电子是多子，与N相同，与衬底P相反，所以叫反型层