STM32 常用存储器介绍

目录

一、RAM—易失性存储器

1-动态随机存储器 DRAM的存储单元结构【电脑】

2-静态随机存储器 SRAM的存储单元结构

二、ROM—非易失性存储器

FLASH存储器

易失性：掉电是否正常保存数据。丢失：易失性。但是，非易失性存储器读写的速度远远慢于易失性存储器。

举个例子：写好的数据没有保存，电脑就会暂时将其放在易失性存储器（电脑是DRAM，STM32mini板子里面是SRAM）里面，因为CPU是不具备存储能力的，等到下次开机打开的时候，这些数据就不会存在。而我们数据保存之后就是放在了非易失性存储器（硬盘）里面，下次开机打开的时候还是存在的。

一、RAM—易失性存储器

根据RAM的存储机制，又分为动态随机存储器DRAM以及静态随机存储器SRAM两种。

1-动态随机存储器 DRAM的存储单元结构【电脑】

DRAM以电容的电荷（电压）来表示数据。给电容充电，电容电压达到3.3V，不充电就是0V。小于1.5V记作0，大于1.5V记作1。以此来记录数据。

由于电容充电之后会随着时间流逝而放电，假如一直放电放到1.5V以下，就会导致数据的改变，所以会一直给电容充电进行刷新，保证数据正常。

常见的DRAM都采用同步方式，称为SDRAM。

在上升沿或者下降沿的时候把数据写在SDRAM中。时钟频率越高，传输速度越快。

种类	特点
普通SDRAM	在上升沿时同步数据
DDRII SDRAM	在上升沿及下降沿都同步数据，时钟极限频率800MHz
DDRIII SDRAM	在上升沿及下降沿都同步数据，时钟极限频率1600MHz

2-静态随机存储器 SRAM的存储单元结构

SRAM以锁存器来存储数据

常见的SRAM都采用异步方式，它们被直接称为SRAM。

二、ROM—非易失性存储器

种类	特性
MASK ROM	出厂时固化，不可修改
OTPROM	用户可写入一次，之后不可修改
EPROM	可重复擦写，需要使用专用紫外线照射设备擦除
EEPROM	可重复擦写，电擦除，使用方便

FLASH存储器

FLASH存储器又称为闪存，它也是可重复擦写的储器，但它的容量一般比EEPROM大得多，且在擦除时，一般以多个字节为单位。（mini以4096个字节为单位擦除）

根据存储单元电路的不同，FLASH存储器又分为NOR FLASH和NAND FLASH。mini板子用NOR FLASH来存储程序。