器件
Srambler
这个作者很懒,什么都没留下…
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分离栅VDMOS
分离栅VDMOS是在传统沟槽栅VDMOS的基础上将栅极分为两段,底部的栅极和源极接相同电位,从而屏蔽了部分栅漏间的电容。该结构有助于减小Miller电容,提高器件的开关速度。原创 2022-09-07 13:05:03 · 2384 阅读 · 3 评论 -
GGNMOS ESD保护器件
栅极接地的NMOS器件(GGNMOS)常用作ESD保护装置。下图所示给出了一种NMOS结构,该结构将栅极、源极、衬底接触极短接可实现ESD保护器件功能。该结构的I-V曲线:漏极与衬底二极管发生雪崩击穿后,载流子的倍增效应将产生较大的电流,通过衬底电阻流到地。当电流继续增大,衬底电阻上的压降达到PN结阈值电压后,NMOS寄生BJT的BE结正偏导通。由于BJT对电流具有放大作用,只需要雪崩少量的基极电流就可以通过BJT放大,形成对ESD电流的有效泄放通路。漏源间的电压将会降低,呈现负阻。当电压降到最低点原创 2021-09-20 08:53:51 · 10048 阅读 · 3 评论 -
低压LDMOS电学特性
一种带有NBL的N型低压LDMOS多元胞结构图:简化结构及有限元仿真网格:a) 击穿电压仿真结果(BV=29V):电势(pink)电流(blank)分布:原创 2021-06-05 23:05:21 · 2262 阅读 · 0 评论