低压LDMOS电学特性

最新推荐文章于 2024-10-29 18:55:05 发布

Srambler

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分类专栏：器件文章标签：其他

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本文链接：https://blog.csdn.net/chulan3207/article/details/117604606

版权

本文探讨了一种包含NBL的N型低压LDMOS器件，通过简化结构和有限元仿真展示了其工艺动态流程。初步电学特性仿真显示击穿电压为29V，阈值电压为2V，揭示了器件的基本电气行为。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

一种含有NBL的N型低压LDMOS多元胞结构图：

简化结构及有限元仿真网格：

工艺动态流程：

基本电学特性仿真（参数未完全优化）：

a) 击穿电压仿真结果（BV=29V）：

电势（pink）电流（black）分布：

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