GGNMOS ESD保护器件

栅极接地的NMOS器件（GGNMOS）常用作ESD保护装置。下图所示给出了一种NMOS结构，该结构将栅极、源极、衬底接触极短接可实现ESD保护器件功能。

该结构的I-V曲线：漏极与衬底二极管发生雪崩击穿后，载流子的倍增效应将产生较大的电流，通过衬底电阻流到地。当电流继续增大，衬底电阻上的压降达到PN结阈值电压后，NMOS寄生BJT的BE结正偏导通。由于BJT对电流具有放大作用，只需要雪崩少量的基极电流就可以通过BJT放大，形成对ESD电流的有效泄放通路。漏源间的电压将会降低，呈现负阻。当电压降到最低点（维持电压）后， I-V曲线又呈现正电阻特性，这一段是ESD器件泄放ESD电流的主要工作区域。当电流继续增加时，硅半导体内部温度升高，晶格发生本征激发，出现二次击穿，器件失效。

ESD电流动态泄放过程，电势（pink）电流（black）