HP Z系列工作站内存的使用

HP Z系列工作站内存的使用 一、内存基本知识:1、DDRSDRAM(Double Data Rate SDRAM)简称DDR,也就是“双倍速率SDRAM”的意思。DDR可以说是SDRAM的升级版本,DDR在时...
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HP Z系列工作站内存的使用

一、内存基本知识:
1、DDRSDRAM(Double Data Rate SDRAM)简称DDR,也就是“双倍速率SDRAM”的意思。DDR可以说是SDRAM的升级版本,DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据,这使得DDR的数据传输速度为传统SDRAM的两倍。
2、RDIMM即Registered DIMM,表示控制器输出的地址和控制信号经过Reg寄存后输出到DRAM芯片,控制器输出的时钟信号经过PLL后到达各DRAM芯片 UDIMM即Unbuffered DIMM,表示控制器输出的地址和控制信号直接到达DIMM上的DRAM芯片。
3、第一,二,三代DDR(Double Data Rate)内存则采用数据读写速率作为命名标准,并且在前面加上表示其DDR代数的符号,PC-即DDR,PC2=DDR2,PC3=DDR3。DDR一代内存,也就是DDR,为双倍并发,也就是常说的2倍速内存;而DDR2为四倍并发,也就是常说的4倍速内存;而DDR3为八倍并发,也就是常说的8倍速内存。ddr2内存传输带宽:4.3GB/sec、5.3GB/sec和6.4GB/sec;PC2 4300、PC2 5300和PC2 6400。DDR3相比起DDR2有更低的工作电压,从DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更为省电;DDR2的4bit预读升级为8bit预读。
4、CL延迟:CL是CAS Latency的缩写,指的是内存存取数据所需的延迟时间,用4个连着的阿拉伯数字来表示一个内存延迟,例如2-2-2-5。其中,第一个数字最为重要,它表示的是CAS Latency,也就是内存存取数据所需的延迟时间。第二个数字表示的是RAS-CAS延迟,接下来的两个数字分别表示的是RAS预充电时间和Act-to-Precharge延迟。而第四个数字一般而言是它们中间最大的一个。
5、规格

7、 内存模式:通道交织, DDR3控制器有两种映射模式:非交织映射和交织映射(interlave). 交织映射,即双通道内存技术,当访问在控制器A上进行时,控制器B为下一次访问做准备,数据访问在两个控制器上交替进行,从而提高DDR吞吐率。支持128byte,256byte,512byt
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