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CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)
NMOS
金属氧化物半导体场效应晶体管
这是一个什么样的结构呢?
对于N型增强型MOSFET
如果看到这个符号是一个N型增强型的MOSFET
一般认为是三端的元器件
gate端我们定义成栅极
drain端我们定义成漏极
source端我们定义成源极
对于MOSFET来说,我们用电信号来代替力学信号
当栅极和源极之间的电压差大于某一个数的时候就是导通的
力控开关就是力到达某一程度,开关导通
对于MOSFET来说也是一样的
那么则是导通的
那么则是不导通的
用电压值来控制开关,我们就更加容易实现电路逻辑了
MOSFET的开关模型
DS之间会形成一个源漏电流,
非常非常小,
,一直是接近于,几乎可以等同于0
D,S就是开关的一个输入和输出
D端和S端是对称的,因而
这个MOSFET相当于是一个电控的开关,开关特性完全类似于力控开关,力控开关可以实现逻辑门的运算还有功能,我们用电控开关一样可以实现功能
这个MOSFET可以等同于力控开关
我们把高电压定义为数字逻辑1,低电平定义成数字逻辑0
推广一下可以得到
举例:
对于NMOS形成的逻辑门来说,这个操作形成的是或
大家以后看到这样的电路,可以直接写出表达式
如果逻辑门采取的是这样的构型,下面是通过NMOS的串并联,那么结果上肯定始有非的
Gate,Drain,Source并不是一个平面结构,而是一个立体的结构
在drain和source我们写了一个
,是一个非常重的N型掺杂
画斜杠的这一层就是meta,箭头指的地方就是氧化层,再往下就是S结构
Source和Drain之间是有距离的,我们定义成
代表
电流不仅取决于长度,也取决于
当这个MOSFET导通的时候,电流在L上流动,L越小,
就会越大
越小,
越大,电流才会越大
现实生活中MOSFET的截面图
侧墙是为了保护氧化物这一层的
当
比较小的时候,沟道呈现高阻态,所以电流不导通
输出特性曲线
现在可以看出来
晶体管导通的时候D和S之间并不是短路,至少是有一个电阻
总结
在饱和区的时候,
不受
控制,受到
控制,像是一个压控电流源
此时我们就可以用电流源的符号来等效MOSFET
在这个时候,我们就会发现压控电流源,在现实生活中是存在的,只是并不是线性的受控电流源
在线性区的时候,等效于一个电阻,
和
类似线性模型,此时重点就在于
,这个取决于电路结构
受到
的控制,栅压越大,导通性能就会越好,电阻值就会越小
MOSFET的SCS模型
SCS模型可以用来做放大
如果要用来做放大,我们一定要让他工作在饱和区
否则工作在线性区,我们不能让它和输入电压构成关系
所以我们一定要千方百计让它一定要工作在饱和区,这样才能实现一个类似放大器的功能
MOSFET的SR模型
SR模型主要是用在数字电路中的
我们下面简单来做一个对比
导通的时候,肯定不是短路
对于
模型来说,导通的时候就是一个电阻,用在MOSFET开关电路中
SR模型更加贴近MOSFET的实际情况,S模型是一个理想化的模型,在现实生活中用的比较少
当然如果外接电阻非常大的话,我们一样也可以忽略这些
进一步分析
我们需要比较小,
比较大,我们才能够满足需求
但是不管用S模型还是SR模型都是相对比较容易的
例子
PMOS
PMOS在属性上和NMOS相反,大家只需要记住相反的结论就可以了
CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)
互补型MOSFET技术
NMOS和PMOS连接起来就是CMOS(互补型电路)
下面和地相接的是NMOS,上面和电源相接的是PMOS
不管是上面在工作,还是下面在工作,他都没有形成通路
引入CMOS大大降低了功耗,永远都不能形成到地的通路