MOSFET工作原理及应用

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于 2024-12-18 14:53:00 发布

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分类专栏：半导体基础文章标签：学习方法

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1. MOSFET 的结构

MOSFET 的结构分为四大部分：源极（Source）、漏极（Drain）、栅极（Gate）和基板（Bulk）。这四个部分的不同配置决定了它的工作方式。

源极（Source）：通常是电流进入的端点。对于 NMOS，源极是 n 型半导体，通常连接到低电压。对于 PMOS，源极是 p 型半导体，通常连接到高电压。
漏极（Drain）：电流流出端点。与源极类似，NMOS 的漏极连接到负载，PMOS 的漏极连接到电源。
栅极（Gate）：控制电流流动的端点。栅极上加的电压决定了源漏之间是否可以形成导电的沟道。栅极与基板之间有一层绝缘层，通常是二氧化硅（SiO₂）。
基板（Bulk）：通常是较大的硅片本身，可以是 p 型或 n 型半导体。基板的作用是为器件提供结构支持。

2. NMOS 工作原理

NMOS 由 n 型半导体构成的源极和漏极，而基板（衬底）通常是 p 型半导体。NMOS 的工作原理如下：

关闭状态（栅极电压低于阈值电压 Vth）

当栅极电压（V_GS）低于阈值电压（V_th）时，栅极产生的电场不足以在基板和源极之间形成导电通道。
在这种情况下，p 型基板中的孔（空穴）不会被驱动到栅极下方，因此源极和漏极之间无法形成连接。
这时，NMOS 处于关闭状态，电流不能从源极流向漏极。

开启状态（栅极电压大于阈值电压 Vth）

当栅极电压（V_GS）大于阈值电压（V_th）时，栅极电场会影响基板下方的载流子分布。p 型基板中的空穴被推到远离栅极的地方，同时将电子从源极引导到栅极下方，从而在源极和漏极之间形成一个导电的 n 型沟道。
这样，电子就能从源极通过导电通道流向漏极，形成电流。这个过程就是 MOSFET 的“导通”状态。
通过栅极电压的控制，NMOS 实现了源极与漏极之间的电流流动。

栅极电压的调节作用

栅极电压（V_GS）越大，导电通道的电导越大，电流也会增大。
栅极电压低于阈值时，通道关闭，电流无法流动。

3. PMOS 工作原理

PMOS 与 NMOS 的工作原理基本相同，但载流子类型相反，PMOS 使用的是空穴（即正电荷），而 NMOS 使用的是电子（即负电荷）。

关闭状态（栅极电压高于源极电压）

当栅极电压（V_GS）高于源极电压时（大于阈值电压），在栅极下方的 p 型半导体没有足够的电场来吸引空穴，沟道就不形成，电流无法从源极流向漏极。
这种状态下，PMOS 处于关闭状态。

开启状态（栅极电压低于源极电压）

当栅极电压（V_GS）低于源极电压时（低于阈值电压），栅极电场会驱动空穴从源极流向漏极，并在源极和漏极之间形成导电的 p 型沟道。
空穴从源极流向漏极，形成电流流动。
通过栅极电压的变化，PMOS 可以调节源极和漏极之间的电流。

栅极电压与阈值电压的关系

阈值电压（V_th）：是控制 MOSFET 开关的关键参数，定义了栅极电压需要超过多少才能形成导电通道。阈值电压的大小会影响 MOSFET 的导通特性，太小可能会导致漏电流增大，太大则可能影响开关速度。
栅极电压的变化：对于 NMOS，当栅极电压大于阈值电压时，通道就会导电；对于 PMOS，栅极电压低于源极电压时，通道才会导电。

4. MOSFET 的“增强型”与“耗尽型”工作模式

增强型 MOSFET：这是我们通常讨论的标准类型，栅极电压大于阈值电压时会导通，低于阈值电压时关闭。
耗尽型 MOSFET：这种类型的 MOSFET 即使在栅极电压为 0 时，也有一定的导电通道。栅极电压增加时会压制通道导电，直到关闭。这种 MOSFET 主要用于特殊应用，常见于某些模拟电路。

5. MOSFET 的重要特性

1. 控制性：

MOSFET 可以通过栅极电压控制源极和漏极之间的电流，这种特性使得 MOSFET 在数字电路中非常常用，因为可以通过简单的电压变化来完成开关操作。

2. 高输入阻抗：

由于栅极和基板之间有绝缘层，栅极电流几乎为零，因此 MOSFET 的输入阻抗非常高。栅极几乎不会消耗电流，只有电压影响其导通状态。

3. 快速开关：

MOSFET 的开关速度非常快，通常可以在纳秒级别完成开/关切换。它的开关特性使其非常适用于高频率的应用，如计算机芯片、逻辑电路等。

4. 低功耗：

由于栅极电流几乎为零，MOSFET 在静态状态下的功耗非常低。尤其是 CMOS 电路（互补 MOSFET）能够在低功耗和高效率之间取得良好平衡。

3. MOSFET 的开关特性

MOSFET 具有非常优秀的开关特性，特别是在数字电路中，开关速度非常关键。

开关速度

快速切换：MOSFET 的开关速度非常快，这是因为栅极电流非常小（接近零），栅极仅用电压控制电流的导通与关断。因此，MOSFET 可以快速切换状态，适合用于高频数字电路和高速度的应用中。
导通和关断时间：MOSFET 的导通时间和关断时间分别是指开关从关闭到开启的时间，以及从开启到关闭的时间。现代 MOSFET 可以在纳秒级别切换，满足高速应用需求。

高输入阻抗

由于栅极与源极之间有一层绝缘层，栅极几乎不需要电流，因此输入阻抗非常高，通常达到几兆欧姆（MΩ）到几百兆欧姆。这意味着外部电路几乎不会对栅极产生负担，从而减少功耗。

4. MOSFET 的应用

MOSFET 是现代电子技术中的核心器件，几乎所有的集成电路（IC）中都离不开它。以下是它的几大主要应用：

数字电路

逻辑门电路：MOSFET 在数字电路中的应用非常广泛，基本的与门（AND）、或门（OR）、非门（NOT）等都是由 MOSFET 构建的。特别是 CMOS 技术，利用互补的 NMOS 和 PMOS 获得了极低的功耗和高速度。
存储单元：MOSFET 用于动态随机存储器（DRAM）和静态随机存储器（SRAM）中，控制数据的存储和读取。