MOSFET基本结构

MOSFET的基本结构

 

以NMOS为例介绍MOSFET的基本结构，如下图所示，器件以p型硅为衬底，并扩散形成两个重参杂n+的区域，分别为源端（Source）和漏端（Drawn），应当注意的是，对于单个器件，源端和漏端是人为定义的，两者是对称可交换的。对于NMOS器件，源端一般接在电路的最低电位（接地），但对与PMOS源端一般接在最高电位（Vdd）。源漏之间的存在导电沟道，其理论长度为Ldrawn ,但是由于在形成过程中的非理想因素的影响，导电沟道的长度会有一定程度的减小，也即Leff,两者之间的距离差为由于电子（空穴）热运动引起的迁移长度LD​ 。在沟道上方先生长一层绝缘的二氧化硅，然后再生长已成多晶硅作为栅极，与源漏方向垂直的栅的尺寸叫栅宽W。可以知道，栅极与器件的其他部分是绝缘的，但是栅极却在MOS导电方面起着极其重要的作用：通过在栅极施加电压影响沟道的空穴（电子）的迁移进而影响器件的导电性能。由此可见，在一定程度上来讲，MOSFET是压控器件，这在后面也会提到。应当注意的是，MOSFET是一个四端器件，但是通常情况下为了避免二级效应带来的影响，会将器件的源端和漏端相连，作为一个三端器件使用。

Id:通过二极管的电流

Vgs:栅至源的电压

Vds:源至漏的电压

Vt:阈值电压

MOS晶体管应该是四端器件。但是，如果MOS晶体管的衬底和源极相连时，它就可以被看成三端器件。在LTspice元器件库中的pmos4和nmos4表示衬底没有和源极相连接。

 

一文彻底弄清MOS管 （NMOS为例） - 知乎 (zhihu.com)

MOSFET结构及其工作原理详解 - 知乎 (zhihu.com)

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