模拟电路——晶体管基础

本文参考：杨建国老师的《新概念模拟电路——晶体管》
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模拟电路的精髓在于两个字：放大

晶体管更多的时候我们称它为三极管
晶体管是流控器件，用小电流控制大电流（顺带提一下场效应管是压控器件，小电压控制大电压）

一、晶体管箭头的作用：
晶体管中箭头方向代表了管子的类型：箭头向外的，是 NPN 型，箭头朝里的，是 PNP 型。晶体管有箭头的管脚表示三极管的发射极。

二、晶体管的电流方向
对于 NPN 管，发射极电流iE是流出的，基极电流iB和集电极电流iC都定义为流入的。
对于 PNP管 ，发射极电流iE是流入的，基极电流iB和集电极电流iC都定义为流出的。

三、晶体管的三个公式
1、基尔霍夫电流定律：

2、集电极电流𝑖C唯一受控于基极电流𝑖B:

（β为晶体管的放大倍数）
3、由公式2可以推导出：

四、晶体管的伏安特性曲线

输出伏安特性中的区域划分
1）放大区。图中标注的中心空白区域。在此区域内，晶体管的 iC几乎不受电压 uCE 控制，近似满足下式：

2）饱和区。图中标注的竖线区域。在此区域内，iC 随着电压 uCE 增大而增加。为了简单表示，一般认为当 uCE<UCES，属于饱和区。（其中 UCES 称为晶体管的饱和压降，是饱和区和放大区的分界电压，晶体管一般为 0.3V/0.7v。很显然，在饱和区时，随着 IB 的增加，饱和压降会上升。）
3）截止区。IB=0 的那根线。当 IB=0 时，iC并不为 0，而是存在与 uCE 相关的漏电流。
定义当 IB=0 的区域为截止区。截止区的含义是使得晶体管处于几乎没有任何电流流进流出
的状态，就像完全关闭一样。

1. NPN管由Ube控制三极管的导通，就是由基极对发射机电压>07v(Ub-Ue>=0.7v)时导通。
2. PNP管由Ueb控制三极管导通，由发射极对基极的电压>0.7v（Ue-Ub>=0.7v）时导通。由于这个特性，PNP三极管在蜂鸣器或者喇叭电路中广泛应用。