STM32 Flash模拟E2prom

最新推荐文章于 2024-07-19 23:39:50 发布

czljcb

最新推荐文章于 2024-07-19 23:39:50 发布

阅读量1.2k

点赞数

分类专栏： MCU

本文链接：https://blog.csdn.net/czljcb/article/details/46367637

版权

本文介绍了如何在STM32的Flash中模拟EEPROM进行数据存储。通过定义PAGE和ADDR_BASE，实现了SavePara()函数来保存参数，以及GetPara()函数来读取参数。同时提供了WriteStrToFlash()和ReadStrFormFlash()函数用于写入和读取字符串。注意，由于Flash的特性，写入前需要先擦除页面。

摘要由CSDN通过智能技术生成

#define PAGE 254 //第254页 255 256 //eeprom
#define ADDR_BASE (0x08000000+PAGE*2048) //存储数据Flash页首地址(0-254)

/*****************************************************************************************************
** 函数名称: SavePara()
** 函数描述: 保存参数
** 接口参数: addr,data
** 全局变量: 无
** 宏定义：ADDR_BASE
** 作者:
** 日期:
------------------------------------------------------------------------------------------------------
** 备注:每次写数据前得先擦除所要存储位置所在的整个页，这是和EEPROM的不同之处。Flash不具备修改功能，
只能先擦除再写，而擦除时，只支持页擦除。
addr地址范围：ADDR_BASE ~ADDR_BASE+2026 (偶数)
*****************************************************************************************************/
void SavePara(u32_t addr,u16_t data)
{