单片机IO口科普:推挽输出、开漏输出详解

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在学单片机和选用逻辑器件的时候我们常别人说这款芯片是推挽输出驱动能力强,这个引脚是开漏输出需要加上拉电阻。

是不是有时候感觉一头雾水?

今天就详解一下推挽和开漏,以后你买芯片的时候就可以和别人大声理论了。

1. 推挽输出

推挽输出既可以输出低电平,也可以输出高电平,可以直接驱动功耗不大的数字器件。

2. 推挽输出电路

推挽电路是由两个三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,电路工作时,两只对称的开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小、效率高、既提高电路的负载能力,又提高开关速度。

其示意结构如下图所示:

当内部输出1电平时,上边的MOS管导通同时下边的MOS管截至,IO口输出高电平。

当内部输出0电平时,上边的MOS管截至同时下边的MOS管导通,IO口输出低电平。

3. 开漏输出

开漏输出只能输出低电平,如果要输出高电平必须通过上拉电阻才能实现。就类似于三极管的集电极输出。

4. 开漏输出电路

如上图:

内部输出1时MOS管截止,输出与地断开,这时候IO口其实是没有驱动能力的,需要外部连接上拉电阻才能输出高电平,才能驱动数字器件。

内部输出0时MOS管导通,输出低电平,所以开漏能输出低电平。

5. 准双向I/O

在学51单片机的时候老师告诉我们,51单片机的IO口是准双向的。

什么是准双向的?

示意如下:

其结构类似于开漏输出,只不过是把上拉电阻集成到了单片机内部。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

单片机IO配置中,推挽输出输出是两种常见的输出方式,各自有不同的应用场景和优缺点。为了更深入理解这两种模式的区别,以及如何根据实际需求选择合适的输出模式,建议参考这篇资料《单片机IO科普推挽输出输出详解》。文章详细介绍了两种输出方式的工作原理、电路结构以及在实际应用中的选择依据。 参考资源链接:[单片机IO科普推挽输出输出详解](https://wenku.csdn.net/doc/645e45e75928463033a4cca0?spm=1055.2569.3001.10343) 推挽输出(Push-Pull Output)是指单片机IO可以直接输出电平和电平两种状态,它内部含有一个上拉MOS管和一个下拉MOS管。当需要输出电平时,上拉MOS管导通,下拉MOS管截止,输出端得到电平;当需要输出电平时,上拉MOS管截止,下拉MOS管导通,输出端得到电平。由于具有足够的驱动能力,推挽输出适用于大多数通用的数字电路。 输出(Open Drain Output)则不同,它只能输出电平,若要输出电平,需在IO和电源之间外接一个上拉电阻。输出的优势在于可以实现多个IO的线“或”连接(Wired-OR Connection),这对于总线冲突检测等应用场合特别有用。 在实际应用中,若需驱动的负载电流较大或对输出速度要求较,一般选择推挽输出。而对于多芯片共享一个信号线的场合,或者需要实现信号线的电平确认功能时,输出可能是更合适的选择。 了解这两种输出方式的不同特性,对于选择和配置单片机IO具有重要的实际意义。《单片机IO科普推挽输出输出详解》不仅提供理论知识,还提供了实践案例,帮助学习者加深理解并能够应用到实际项目中去。 参考资源链接:[单片机IO科普推挽输出输出详解](https://wenku.csdn.net/doc/645e45e75928463033a4cca0?spm=1055.2569.3001.10343)
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